SiC MOSFETとMOS界面の最近の進展

抄録

SiCパワーMOSFETが実用化され、数年が経つ。従来のSiC-MOS界面には多くの欠陥があり、酸化膜の信頼性も不十分であった。窒化法の開発により特性改善が進み、Siデバイスの特性を凌駕するMOSFETの実用化に至った。しかし、高いチャネル抵抗やしきい値電圧変動の問題など、依然として界面欠陥に由来する課題が多い。本発表ではSiC MOSFETとMOS界面の特性向上に向けた最近の進展を紹介する。