セシウム吸着半導体極表面のシンクロトロン光を用いた解析

抄録

半導体にCsを吸着すると電子親和力が小さな、時には負になる表面が形成できる。半導体を光励起すると形成されたキャリアを容易に表面から取り出せるため、Cs吸着半導体表面は光励起電子源への応用が期待される。一方その表面形成には極高真空を必要とするため、表面構造の理解が進んでいない。ここでは、Cs吸着半導体表面形成装置をシンクロトロン光ビームラインに持ち込み、その場で測定と分析を試みた結果を紹介する。