主催: 公益社団法人日本表面科学j会
会議名: 2016年真空・表面科学合同講演会
開催地: 名古屋国際会議場
開催日: 2016/11/29 - 2016/12/01
Siは、地上で最も安価に手に入る半導体元素であり、その材料開発は、環境、コスト面で非常に重要である。本研究でとりあげる、Siクラスレートは、ダイヤモンド構造とは異なる結晶構造をとるSiの同素体である。これまでに、Siよりも大きい直接遷移のバンドギャップなど興味深い物性が示されてきた。本講演では、SiおよびGeクラスレートの構造・物性を紹介するとともに、応用に向けた最近の取り組みを発表する。