MoS_2_(0001)表面ナノアイランドでのフォノン潤滑

抄録

MoS₂(0001)表面上のナノアイランド（FIBを用いて作製した5～0.2μm四方の凸型の構造）における摩擦力をFFMを用いて測定したところ、ナノアイランド上ではそれ以外のところに比べて摩擦が低くなった。これはナノアイランド上で起こるフォノンの閉じ込めが摩擦力の軽減に関係しているからである。