フッ素ガスを用いたSiC半導体材料の表面改質とめっき皮膜形成

抄録

半導体材料である炭化ケイ素は、従来のSi材料より優れた物性を有することで次世代パワー半導体として期待されている。また配線幅やめっき膜厚もより微細化が要求されている状況の中、まだ微細化・溝への均一なめっき膜の形成と基材との密着性等に課題が残っている。これらの問題点を改善するため、SiC表面を焼成した後、フッ素処理することで容易に微細凹凸を形成し、めっき膜との密着性に優れたSiCウェハの作製を試みる。