マグネトロンプラズマCVDによるグラフェン成長と基板材料の効果

抄録

グラフェンを電子デバイスの材料として用いるには、特定の基板上に低温で堆積する技術の開発が必須である。これまで、マグネトロンプラズマ化学気相堆積法により銅基板上にグラフェンを成長してきた。今回は、シリコンやシリコン酸化膜上へのグラフェンの成長について、銅基板上での成長と比較しながら、その結果について発表する。