高温・局所歪印加によるシリコン突起構造の形成と先端部への金属キャップ形成

抄録

Siウェハー片を局所的に歪ませながら通電加熱により表面溶融させ、熱膨張とエレクトロマイグレーションによるSiの流動により表面突起を形成した。この構造に金属を蒸着すると、金属の固溶でSiの凝固点が降下する。その結果、冷却過程では温度勾配によって金属含有量の高いSiが突起先端部に残り、冷却後は金属成分が主となる先端が形成される。温度分布を持つ高温加熱や局所応力印加による形状と組成の表面改質法を探る。