全反射高速陽電子回折(TRHEPD)パターンの方位角プロット解析

抄録

全反射高速陽電子回折法は、視射角θが臨界角θcより小さいと、全反射条件の回折パターンが得られる。すなわちθをθc以下に保って方位角プロット測定すれば、最表面のみの構造情報しか持たないデータを得ることができる。またθをθc以上にすれば、θに応じて所望の深さまでの構造情報を含むデータが得られる。ここでは構造がわかっているルチル型チタニア(110)(1x1)表面で、この新しい解析法の妥当性を検証した。