東北大学工学部電子工学科
1993 年 17 巻 11 号 p. 23-28
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高分子配向膜上では電界や磁界などの外場を用いることによりメモリー効果によって、ネマティック液晶を配向させることができる。我々は、メモリー効果の特性を調べる実験方法を考案し、メモリー効果の温度依存性について調べた。また、メモリー配向を形成するために外場を印加していた時間の影響についても調べた。これらの測定結果は、高分子配向膜上での液晶分子の吸着-脱離のメカニズムにより簡潔に説明することができる。
映像情報メディア学会技術報告
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