TFT-LCDにおける真性寄生容量の効果 : TFT-LCDの高精度シミュレーション技術 : 非発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ

抄録

アモルファスシリコン薄膜トランジスタ(a-SiTFT)を用いた液晶ディスプレイにおいて、画質に影響を及ぼす主原因であるゲート電圧立ち下がり時のソース電圧の変動(フィードスルー電圧)を精度良く解析できるシミュレーション技術を確立した。特徴は次の2点である。(1)真性容量を考慮したa-SiTFTモデルを導入した。(2)RC遅延回路を用いた1画素解析からTFTマトリクス網を用いたマトリクス解析に拡張した。本シミュレーション技術によリ得られたフィードスルー電圧は、実測値と10%以内の精度で一致した。