ZnS:Mn薄膜EL素子とSrS:Ce薄膜EL素子の電気的特性の評価として、Q-V特性とQ-Fp特性の測定を行なった。駆動電圧波形として、台形波パルスを用い、各々の測定結果について比較検討を行った。その結果、印加電圧波形のdv/dtを変化させるとQ-Vループのターンオン電圧がSrS:Ce薄膜EL素子では変化するのに対し、ZnS:Mn薄膜EL素子についてはあまり変化しないことを見い出した。また、輝度一移動電荷量特性は両方の素子ともdv/dtにほとんど依存しなかった。これらのことよりSrS:Ce薄膜EL素子の動作機構を考える場合、発光層中の空間電荷の発生を考慮する必要があることがわかった。