n型多孔質シリコンFEAの作製とその特性 : 情報ディスプレイ

抄録

n型シリコン電界放出アレイ(FEA)の電子放出特性の改良のために、放出電極の陽極化成による多孔質化を行った。陽極化成処理により、電子放出のためのゲート電圧が低減し、最大10倍の放出電流増加が得られた。また、ファウラーノルドハイムプロットより、放出電極の仕事関数の低下と、アレイの電子放出特性の一様化が達成できた。