イオンドーピングを用いたLDD構造Poly-SiTFT特性改善

抄録

一回だけのイオンドーピングでソース・ドレイン及びLDD領域を同時に形成するという簡便なプロセスを用いることによって、良好なTFT特性を有するLDD構造Poly-SiTFTを作製した。ここでは、大面積処理に有効な、非質量分離であるイオンドーピングを用い、深さ方向にブロードなP濃度プロファイルを利用してLDD濃度を制御し、TFT特性の改善に成功した。このLDD構造TFTは8桁以上の高いオン/オフ比および良好な負バイアス信頼性を示した。