p-Si基板上にSiO_2を形成した場合に生じるバンドの曲がりを利用すると、低い印加電圧で外側から発光層内へホットエレクトロンを注入することができる。この応用としてSi基板上にELディスプレイを集積化することを目指して、EL素子/MOS FET構造の発光素子の作製を試みた。発光層としてZnS : Tb薄膜を用い、ITO/ZnS : Tb/SiO_2/p-n Si/Al構造で、1kHz矩形波励起で約10cd/m^2の輝度が得られた。しかしながら、FETを動作させた上でELの発光を得るために、ITOのパターニングの方法を検討する必要があること、また高輝度化、低電圧化のためにSiO_2層の膜厚やpn接合形成等について検討する必要があることが示された。
