テレビジョン学会技術報告
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大面積a-Si膜形成用プラズマの生成と制御
佐藤 徳芳
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1996 年 20 巻 8 号 p. 101-106

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抄録

現在, ドライエッチング、a-Si膜作製など、各種材料プロセスに弱電離プラズマが広く使用されている。ここでは、次世代に必要と考えられる、大面積均一プラズマの生成と電子エネルギー制御の技術確立に関する研究を紹介する。大面積均一プラズマの生成については、電子サイクロトロン共鳴によって生成される"ECRプラズマ"を対象として、大面積均一プラズマの生成の研究を行ってきた。ただし、プロセス基板近傍では磁界が無視できる、非磁化プラズマを目標としてきた。永久磁石を有する平面状スロットアンテナを開発し、アンテナからやや離れた場所(基板設置場所)で、現在直径ほぼ50cmの均一(変動が数%以内)プラズマが得られている。一方、電子温度制御については、プラズマの局所構造を制御して電子温度を下げる手法を提案し、ピン付きホロー陰極のピン長変化またはグリッドバイアスの変化によって、通常数万度の電子温度を一桁、条件によっては二桁にわたり連続的に制御することに成功している。また、電子温度が活性種の組成に大きな影響を与えることも明らかにしている。

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© 1996 一般社団法人映像情報メディア学会
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