テレビジョン学会技術報告
Online ISSN : 2433-0914
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AM-LCD用poly-Si TFTのモンテカルロシミュレーション
島谷 民夫小柳 光正
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1996 年 20 巻 8 号 p. 107-112

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抄録

モンテカルロ法に基づくpoly-Si TFT用デバイスシミュレータを新たに開発し、poly-Si TFTにおけるキャリアの伝導機構を詳細に解析した。このシミュレータでは、poly-Si内部の結晶粒界が伝導電子に与える影響が、結晶粒界に捕獲された電子によって形成される電位障壁の高さを考慮して粒子を追跡することにより取り込まれる。伝導電子はこの電位障壁の高さに応じた反発を受け、その結果としてチャネル電流が変化することになる。今回のシミュレーション結果から、ゲート電圧が印加されることにより、ゲート酸化膜とpoly-Si薄膜の界面付近における電位障壁の高さは減少し、結果として電流は界面近くに閉じ込められることがわかった。又、衝突電離で発生した正孔は結晶粒界付近に集まり電位障壁の高さを減少させ、チャネル電子の伝導機構に大きな影響を与えることがわかった。このような正孔の振舞いが、poly-Si TFTにおけるアバランシェ誘起の短チャネル効果の原因の一つと考えられる。

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© 1996 一般社団法人映像情報メディア学会
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