TFT/LCDを完成したセル状態で、一画素単位のTFT特性、画素容量を測定するテスターを開発した。測定方法は、ドライバーの階調表示入力端子から、画素内の電荷を読み出す。そのとき、電荷の時間変化を測定することによって、高精度にドレイン電流が測定される。液晶の入ったセルのId-Vg測定値は従来の測定法と一致した。また、電荷の電圧変化を測定する事によって、容量が得られ、実セルの液晶容量と、LCRメータで測定された容量とが一致した。ゲートソース間の寄生容量CgsをTFTオン状態で直接測定する方法を考案し、電圧依存性の容量のふるまいについて考察した。
