平板ガラスにギャップが30μm、長さ25mmのスリット型電極対を作り、間隔2μmで平板ガラスを向かい合わせたセルに強誘電性液晶を注入し、横電場(Horizontal Electric Field : HEF)を加えて電圧-光透過度(Tr-V)特性を測定した.HEFセルの電気光学特性の実験結果から、Tr-V特性にはヒステリシスがあり、コントラスト比は30 : 1に達した.HEFセルの光スイッチング応答から、セル中央部ではスメクチック層法線周りの回転が容易に起こり、応答時間は5ms以下、スイッチング電流は約10^<-9>Aであった.壁面近くの分子は動きにくく、閾電界強度2[V/μm]以上で動くことがわかった.
