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武田 恭祐, 竹内 章, 加藤 聖隆
セッションID: 14A-01
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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プリント配線板製造工程では配線ピッチの微細化、ビアの小径化に伴いプラズマによるメッキ前表面洗浄、およびデスミア処理工程が不可欠なものとなっている。現在はバッチ方式を採用したプラズマ表面処理装置が主流であるが、将来的には製造ラインに対応した水平式のものが好ましい。本稿では、マイクロ波を用いたインライン方式によるプラズマ装置の開発、および評価をおこなった。その結果バッチ式プラズマ装置と同等の生産性をインライン方式にて実現できることを確認した。さらに有機物残渣の除去や親水性向上といった処理能力の有効性を示し、めっき前処理、デスミア処理の製造ラインへの適用を可能とした。
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渡辺 充広, 松井 貴一, 杉本 将治, 本間 英夫
セッションID: 14A-02
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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高度情報化に伴い、伝播速度の高速化、高周波対応化が重要な課題の一つとなっている。通信分野ではGHz帯の高周波が利用され、更にはミリ波の領域へ展開が図られている。これらの用途に適する代表的な材料にフッ素材料がある。また、導体損失を低減する必要性からフラットな回路が求められるようになってきた。しかしながら、フッ素素材へ粗度のないフラットな回路を形成する事は困難である。そこで本研究では,フッ素同等の優れた誘電特性を持つシクロオレフィンポリマーに着目し、本素材への低粗度な表面改質について検討を行い,その改質面へ銅めっきを施すことで,平滑性に優れた導体形成技術の検討を行った。
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森本 良一, 矢澤 貞春, 齋藤 誠, 杉山 敦史, 青柿 良一
セッションID: 14A-03
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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石塚 博士, 萩原 秀樹, 君塚 亮一
セッションID: 14A-04
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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従来の多層板製造工程ではスルーホールを有するコア材に対してコンフォーマルめっきを行い、インク材などを充填した後に研磨、フタめっきを経てコア材のスルーホールにスタックビアを形成する方法が採用されてきた。しかし、コア層スルーホールを銅めっき充填できれば、インク材充填~フタめっきを1段階で処理することが可能であり、生産性の向上や大幅なコストダウンが期待される。このような背景のもと、我々は硫酸銅スルーホールフィリングめっきプロセス(TF2)の開発を進めてきた。本報ではスルーホールフィリングのメリットおよびTF2プロセスの性能や今後の展開について報告する。
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前田 武昭, 横畑 孝, 渡邊 裕文, 松浪 卓史
セッションID: 14A-05
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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プリント配線板のファイン化、高多層化に対応すべく、ビアフィリング技術を用いたプリント配線板の量産が行われている。しかし、ビアフィリングめっきは安定性に乏しく、ブライトナーの経時変化により埋込性が低下することから、生産性に課題があり、改善が望まれている。経時変化は、含リン銅アノード表面で生成する一価銅がブライトナーを還元することにより生じる。筆者等は、一価銅を溶解する化合物が経時変化の抑制に効果があることを見出した。本発表では、一価銅溶解成分がフィリング性の安定化に及ぼす影響、ならびにブラックフィルムの形成状態について、報告する。
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村上 朋央, 片山 順一
セッションID: 14A-06
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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近年ポリイミドフィルムに対して湿式法による金属薄膜形成が検討されている。しかし、ホルマリンを還元剤とする一般的な無電解銅めっきを使用した場合には十分な密着強度が得られていないのが現状である。 本講演では回路形成を目的とし次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解Cu-Ni合金めっき浴を開発し、ポリイミドフィルムへの密着性、皮膜のエッチング特性などについての評価結果を報告する。
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山田 由里子, 田邉 靖博, 村田 俊也
セッションID: 14A-07
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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フレキシブル基板は薄く柔軟性があることから、電子機器の小型軽量化、薄型化の役割を担っており、需要を増やしている。従来、電子部品、特にプリント配線板において、はんだ付けやワイヤーボンディング等を行う部分には、表面処理として無電解Ni/Auめっきが多く用いられてきた。フレキシブル基板における無電解Niめっきは、形状変化に対応する柔軟性が要求されるが、従来浴での無電解Niめっき膜は、電極部のCuの延展性に充分には対応できず、割れが発生する問題点がある。本発表では、屈曲性に優れた無電解Niめっき膜について報告する。
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藤原 裕, 小林 靖之, 菅谷 孝則, 野呂 美智雄, 星山 康洋, 三宅 秀和
セッションID: 14A-08
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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Sn(II)錯イオン水溶液と硝酸銀水溶液の混合により,銀ナノ粒子懸濁液が得られる。これをプリント配線板の無電解銅めっき開始触媒として適用することを目的とし,(1) 小角X線散乱,TEM,組成分析による銀ナノ粒子のキャラクタリゼーションを行い,(2) カチオン界面活性剤およびカチオン性ポリマー処理によるエポキシおよびガラス基板への吸着量の向上の機構を検討し,(3) 無電解銅めっき開始触媒としての特性を検討した。
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菅沼 克昭
セッションID: 14A-09
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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Snウィスカは50年以上前に世界中の市場で機器故障を引き起こし、試行錯誤の上に鉛を微量添加することである程度の抑制が可能になった現象であり、その時点で科学的な見地から多くの発生成長に関するメカニズムの検討が行われた。これが、ファインピッチ化と同時に鉛フリー化が進み、再びエレクトロニクスの信頼性に関わる大きな問題としてクローズアップされている。Snウィスカの発生と成長には複雑な環境条件が関与し、メカニズムの理解は未だに不十分であるが、本講演では市場故障原因として懸念される5種類のウィスカ発生メカニズムの理解の現状を紹介し、期待される抑制方法の提案状況をまとめる。
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高倉 健次, 村上 博, 杉浦 健
セッションID: 14A-10
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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無電解Au/Ni-P及びAuの下地としてPdを50nm,200nm施したPWB基板ランドの上にSn-3Ag-0.5Cu(mass%)はんだボールを搭載した。はんだボールの接合信頼性を確認するために、リフローを加算的に加え、プル強度の変化と金属間化合物の形成状態を相関付けた。解析の結果、下記の知見を得た。1. Pdめっきの有無に拘わらず、リフロー加算に伴うプル強度の低下は、Ni-P表面におけるPリッチ層の成長に依存する。2.リフローの加算によってほとんどのPdがはんだ内部へ拡散すると、Sn-Ni-Cu化合物の形成に伴う一時的な強度上昇と同時に、Pリッチ層の成長に伴う強度減少が起きる。
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森田 芳郎, 今瀧 智雄, 小川 将志, 村山 里奈, 松原 浩司, 縄舟 秀美
セッションID: 14A-11
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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ポリイミド基板表面に直接Cu配線を形成するダイレクトメタライゼイションは、FPCを低コストで作製するために有望な手法である。それを実現する上で主要な技術は、ポリイミド基板表面のポリアミック酸を再度ポリイミドに戻すことである。本論文では、ポリアミック酸からなる層にCuイオンが存在していたことがイミド化を阻害すること原因であることを明らかにした。
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近藤 正芳, 加藤 正明, 中馬 敏秋, 小宮谷 壽郎, 飯田 隆久, 兼政 賢一
セッションID: 14A-12
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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高密度実装用基板多層FPC“SBic”(Solder Bump Interconnection Circuit)を開発し、そのTCサイクル試験における実装信頼性評価を行った。材料構成、層数、実装部品等の条件ごとに実装部品付のSBicの疲労寿命をシミュレーションにより算出し、信頼性に影響を及ぼす因子を明らかにした。そして、高信頼性を得ることが可能な組み合わせにおいて、検証実験を行い傾向が一致することを確認した。
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大森 恒嗣, 高橋 大喜, 松本 克才, 谷口 尚司
セッションID: 14A-13
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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本研究では、乱流条件下における塩化第二鉄溶液による回路用銅箔のウェットエッチング実験を行い、そのメカニズムの解明を試みた。理論的考察としては、境膜説に基づく数値シミュレーションを行った。その結果、レジスト間隔が狭い条件では、回路形状は実際に行ったウェットエッチング実験の結果とよく一致した。一般にウェットエッチングによる銅回路の微細化限界条件は液本体の流れがキャビティ内に入り込まないことが予想され、本シミュレーションはその予測に最適なものと考えられる。そこで我々は、様々な条件下における数値シミュレーションを行い、ウェットエッチングによる銅回路の微細化への提言を理論的に行った。
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高井 健次, 長谷川 清, 松本 克才
セッションID: 14A-14
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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近年、パッケージ搭載基板ではL/S=20/20μm以下の微細配線形成性が要求される。銅箔を給電層にしてセミアディティブ法で回路形成を行う場合、微細化の為には給電層である銅箔を極端に薄くする技術が必要になる。通常のエッチング液では液あたりの良い場所からエッチングが進む為、均一にエッチングを行うのが難しい。著者らはペルオキソ二硫酸塩水溶液に微量のエッチング抑制剤を加えることで、エッチング速度が液攪拌に逆依存することを発見した。更に、抑制剤の量をコントロールすることで、エッチング速度が液攪拌に依存しないエッチング液を作製することが可能であることを見出した。
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細美 英一, 後藤 祐一, 滝口 巌, 田村 哲司, 大出 知志, 森 裕幸, 河崎 一茂, 乃万 裕一, 西尾 俊彦, Harvey Pa ...
セッションID: 14B-01
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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本日(1/15)中に再登録させていただきます。内容は,CELL向けパッケージの電気特性の最適化設計です。
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古谷 充, 大島 大輔, 井上 博文
セッションID: 14B-02
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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近年、電子機器において高速・大容量伝送特性へのニーズが著しく高まっている。パラレル伝送においては、多チャンネル間のスキュー調整のために等長配線にする必要があるが、実装の高密度化によりその引き回しが困難となってきている。本講演では伝送路の電気長を短縮するためにプリント基板配線上に高誘電率樹脂ペーストを塗布した伝送路構造を提案し、電磁界解析および実測データを基にその遅延・高周波特性を議論する。
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小林 禧夫, 蓮池 健一
セッションID: 14B-03
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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本報告では、平衡形円板共振器法により誘電体基板の垂直方向の複素誘電率を、また空洞共振器法により基板の平面方向の複素誘電率を分離測定する。マイクロ波帯における種々の誘電体積層基板、フィルムについてその周波数依存性および温度依存性の測定結果を提供する。これらの測定結果は、マイクロストリップ構造やコプレーナ構造の実装回路の設計の高精度化に有効である。
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池田 聡, 中西 秀行, 田中 顕裕
セッションID: 14B-04
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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電子機器において10Gbpsの伝送速度が実用化されている現在、プリント基板の配線だけでなく、スルーホールについても特性インピーダンス制御が望まれるようになり、この設計手法を提案した。高速信号の伝播経路としてはこれらの他に部品実装部位がある。一般には、部品実装用フットプリント部位の特性インピーダンスは低下する。したがって、これに起因する伝送損失が発生することになる。今回、表面実装用コネクタのフットプリント直下のべたプレーンに抜きを設け、その特性インピーダンスを測定して、任意のインピーダンスを得るための手法を検討した結果を報告する。べたプレーンを抜く弊害として、発生するノイズついても実測した。
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高橋 一平, 中西 秀行, 田中 顕裕
セッションID: 14B-05
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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内層べたプレーンのスリットを差動配線がまたぐとき、差動配線の特性インピーダンスがスリット部分で増加し、この増加量は差動配線内の結合が強いほど小さいこと、および、この差動インピーダンスの増加量から、スリットまたぎのある差動配線全体としての伝送損失が見積れることを示した。 しかし、伝送損失の増加量は電子機器の誤動作に直接の原因となるほど大きくはなく、ノイズによる誤動作の方が危惧される。 今回、差動配線のスリットまたぎに起因するノイズの発生に着目し、放射ノイズとべたプレーンを伝導するノイズを実測した結果を報告する。さらに、スリット間をコンデンサでAC的にショートした場合の効果も示す。
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相羽 英, 小林 禧夫, 馬 哲旺
セッションID: 14B-06
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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銅張り誘電体基板は銅箔を張り付ける際に面荒らしが行われているため、表皮効果により界面導電率が低下する。本報告では、MIC形誘電体共振器法により銅張り誘電体基板のマイクロ波帯における界面導電率の周波数依存性を測定したので報告する。
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瀧澤 隆博, 有坂 睦生, 芳賀 知
セッションID: 14B-07
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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プリント配線板の設計ツールや手法は効率化が進められているが、配線設計の検図作業においては、未だ従来手法が多く用いられており、配線設計の高難度化に伴い、この検図作業が配線設計期間短縮の障害となっている。本稿では、特に高速信号を扱うプリント配線板の、検図作業効率化のために開発したツールを紹介する。これは、従来のツールおよび手法では困難である、ドライバ-レシーバ間に複数ネットが存在する場合の、配線長などが規定範囲内であるかの検証を瞬時に実行する機能、回路設計者と配線設計者が、同一画面を共有し、リアルタイムに双方向のコミュニケーションを実現する機能などを持つ検図支援ツールである。
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本木 浩之, 東浦 健一
セッションID: 14B-08
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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デバイスの高速化に伴い、プリント基板のパターンにおいても低電圧、大電流化が進んでいる。一方で、プリント基板は高密度、小型化が進み、デバイスの温度だけでなくパターンでの熱対策が重要になっている。 しかし、市販のツールでは、デバイスの温度上昇は考慮できても、微細なパターンの発熱まではモデル化がされていないのが実情である。 そこで、市販の熱解析ツールを活用して、パターンの発熱モデルを反映した熱設計手法を開発した。また、多層配線板において、基板仕様によるパターンの温度上昇差を測定したので、合わせて報告する。
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上谷 純, 水科 秀樹, 廣川 正孝, 芳賀 知, 高草木 秀夫, 石塚 勝
セッションID: 14B-09
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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プリント基板の熱解析において、スルーホール構造を忠実にモデル化すると、解析規模が大きくなりあまり現実的では無い。そこで、対象となる部分を熱的に同等な性質を持つ簡易モデルに置き換える手法が有効である。本報告では、スルーホール部を移動する熱量が同等となるように等価熱伝導率を与えたブロックとし、精度良くモデル化する手法を提案する。また、等価モデルを使用した解析値と評価基板による実測値との比較を行い、十分な精度であることを確認した。
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廣川 正孝, 水科 秀樹, 芳賀 知, 高草木 秀夫, 石塚 勝
セッションID: 14B-10
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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電子機器における放熱の問題は益々重要視されており、プリント配線板を有効に利用できれば部品温度をさらに低減させることができる。複雑な熱伝達特性のプリント配線板をシンプルモデル化し、構成材料のパラメータを振った基板を製造して比較評価した。銅は面積・厚さの増加で熱伝達が増え、配置が熱源裏面でも大きな効果を示すが、熱源に近い方がより効果がある。絶縁材料は放熱効果の差が小さいが、標準FR-4よりハロゲンフリーFR-4の方の高い効果がある。ソルダーレジストは、銅に塗布することにより放熱性を向上させ、標準タイプとハロゲンフリータイプの違いは無い。分散分析により熱伝達特性への各因子の相対的影響がわかった。
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熊野 豊, 小掠 哲義, 山田 徹
セッションID: 14B-11
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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回路基板上に実装された半導体部品のジャンクション温度を予測するには、配線の疎密・方向性を考慮した解析が必要となる。これは熱伝導率の高い配線を介した熱拡散が支配的であることに起因する。我々は、配線情報が保存されている基板CADデータより、配線の疎密・方向性を考慮した基板の異方性熱伝導率を算出する手法を確立した。従来の配線面積比から求めた等方性熱伝導率を用いた解析において、最大30%もあった半導体ジャンクション温度の解析誤差が、本手法で求めた異方性熱伝導率を用いることにより5%以下に低減した。試作レスを可能とした本手法により、半導体部品の設計期間・コストが大幅に短縮されることが見込まれる。
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海野 俊夫, 浅井 秀樹
セッションID: 14B-12
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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本稿では、領域分割法とモデル縮小技法を用いた高速な過渡解析手法を提案する。この手法を用いるためには分割回路は少なくとも1つの電源を持たなければならない。そこで本手法では、分割回路間に流れる電流を電流源とみなす。このことにより、分割回路に電流源を持たせることができ、分割回路にモデル縮小技法を適用することが可能となる。本手法を用いることで、縮小モデルを生成するための逆行列サイズが分割回路サイズになり、計算コストを削減できる。結果として、シミュレーションとモデル生成の両面でコストを削減できる。最終的に本手法を用いて例題回路のシミュレーションを行い、従来手法と比較することでその有効性を示す。
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辻 嘉樹
セッションID: 14B-13
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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島田 靖, 渡辺 悦男
セッションID: 14B-14
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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高速信号伝送においては、伝送損失の低減が大きな技術的課題となっている。しかし、伝送損失に影響を与えるパラメータには、誘電体材料の比誘電率や誘電正接、導体の導電率や表面粗さ、さらにはライン幅などの設計仕様など、多くの項目が挙げられ、対策も多様である。一方で、シミュレーションを活用することにより、現時点では実測評価が出来ない材料や構造の解析が可能となっている。そこで、品質工学の手法をシミュレーション解析に適用し、効率的に各種パラメータの重要度をランク分けし、誘電特性の与える影響が最も大きいことを明らかにした。
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三川 孝
セッションID: 14C-01
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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ラスト1メートル領域と称される、筐体内への光技術導入の開発現況について、主として、実装技術の観点から、国内外の最近の開発動向を概観する。併せて、将来展望について言及する。
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中川 茂
セッションID: 14C-02
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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サーバーなどのコンピューティング・システムは今後高性能化と低消費電力化を同時に実現していかなければならない。そのためにコンピューティング・システムの様々なレベルのインターコネクションにおいて、光の利点が不可欠となる場合が今後ますます増えてくる。インターコネクションに求められる特性、光インターコネクションがもたらす利点などについて議論する。
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原 憲司, 石川 佳寛, 斎藤 誠一, 東海林 義和
セッションID: 14C-03
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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一液性でハンドリングが容易であり、低収縮性・高透明性等の特徴をもつ光硬化アデカ ナノハイブリッドシリコーンを用い、直接露光プロセスにより可とう性に富むマルチモードフィルム光導波路を作製した。カットバック法により、伝送波長850nmで0.1dB/cm以下の低損失であることを確認した。短期はんだ耐熱・耐UV、ヒートサイクルや高温高湿試験等の初期信頼性試験を行い、光損失に大きな変動がないことを確認した。
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金高 健二, 西井 準治, 山口 智史, 小林 貴之, 裏 升吾
セッションID: 14C-04
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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我々は、ボード内チップ間を超広帯域で接続する光配線の実現を目指し、波長多重技術を用いたチャネル光導波路配線を検討している。光配線に必要な波長合分波素子は、信号伝送用導波路と入出力用導波路を分離・接合する縦型Y分岐導波路と分布ブラッグ反射器(DBR)で構成される。DBRは信号伝送用の導波モード(0次モード)と信号入出力用の導波モード(1次モード)を波長選択的に結合・反射させる。今回、動作波長帯850nmとしてSiO2系の2次元導波路構造において設計を行った。0.3mm長の素子において最大効率97%以上、波長選択幅2nmと見積られた。試作した素子において、波長選択性を確認した。
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北村 篤史, 河内 平, 三浦 英生
セッションID: 14C-05
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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半導体レーザの発光波長のひずみ依存性は300 nm/1%-Strainに達するという理論解析もあることから,実装工程における残留ひずみ(応力)制御は製品の信頼性上極めて重要な課題である.そこで,今後の光電子混載モジュールも含め,実装(パッケージング)工程で生じる半導体レーザの残留ひずみ(応力)変化による発光スペクトル変化を定量的に議論することを目的に,四点曲げ負荷試験法を応用し,半導体レーザに既知の一軸ひずみを負荷誌ながら発光スペクトル変化を測定した.その結果,実装工程で生じうるひずみ変化で発光中心波長や発光スペクトルの半価幅が負荷ひずみに依存して変動することを実証したので,その概要を報告する.
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横島 時彦, 山地 泰弘, 大里 啓孝, 田村 祐一郎, 菊地 克弥, 仲川 博, 青柳 昌弘
セッションID: 14C-06
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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無電解めっき法を用いて微細接続用Auバンプの作製を試みた.一般的に無電解Auめっきは析出速度が遅く,バンプ等の厚膜形成が必要な構造の作製には不向きとされている.そこで,反応面積を減少させ界面イオン濃度を増加させることで析出速度の向上を試みた.金属塩濃度の最適化や浴温の最適化も合わせて行うことで,約4倍の析出速度を得ることが出来た.そこで,実際のバンプの作製を試みたところ,10μm角,高さμum,20μmピッチのバンプの作製が可能となった.また,作製した金バンプは接合に必要な比較的低い硬度を示し,本プロセスにより,微細接続用Auバンプの作製が可能となった.
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藤丸 浩一, 野中 敏央
セッションID: 14C-07
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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IC実装面積の極小化と工程簡略化を目的にウェハ上に半硬化状態でラミネートし、ウェハと一括でダイシングが可能なWL-NCF(Wafer Level Non-conductive Film)材料の検討を行った。ダイシング工程での欠けや、切削粉の固着がなく、かつアライメントマーク認識可能な透明性を有する材料系を見出した。
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荒巻 仁志, 吉野 正洋, 増田 豊土, 笹野 順司, 上野 和良, Shacham-Diamand Yosi, 逢坂 哲彌
セッションID: 14C-08
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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現在,ULSIの内部配線材料にはCuが用いられている.Cuは熱処理プロセス時等に絶縁膜中に拡散し,デバイス特性を劣化させるため,拡散を防ぐバリア層がCu / 絶縁膜間に設けられている.一般的にバリア層の形成にはドライプロセスが用いられているが,我々は,段差被覆性に優れるウェットプロセスに注目し,有機分子膜と無電解めっき法を併せ用いるプロセスを開発した.本論文では、次世代の極微細配線への応用を見据えた薄膜バリア層の開発を試みた.具体的には無電解NiBめっきの高い核発生密度と無電解CoWPめっきの高い拡散防止特性に着目し,CoWP / NiB膜プロセスを提案,導入することで安定した薄膜形成を可能とした.
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菊池 宏和, 山田 裕介, 福島 誉史, 田中 徹, 小柳 光正
セッションID: 14C-09
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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近年、メモリやプロセッサ等の LSIには、高性能化に加え、小型化および低消費電力化が強く要求されるようになり、複数枚のチップを積層する三次元実装技術が実用化されている。我々の研究室では、15年以上前から、ウェーハやチップを複数枚積層し、各チップを貫通する垂直配線 (TSV: Through Si Via) によりそれらを接続する三次元集積化技術の開発に取り組んできた。 本研究では、完成したLSIウェーハまたはチップを三次元集積化する際に重要となる垂直配線形成のための微細トレンチ形成技術の開発を行ったので報告する。
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石井 真澄, 中村 勝光, 横島 時彦, 菊地 克弥, 仲川 博, 青柳 昌弘, 中島 慎太郎, 瀬川 繁昌, ウィン モーソー
セッションID: 14C-10
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
会議録・要旨集
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ポリイミドは高絶縁性・低誘電率・耐電圧性・耐熱性・耐薬品性などの優れた特性を有するため、多層配線板の絶縁材料として非常に有用である。本研究では金属表面への選択的析出が可能な電着法で製膜される電着ポリイミドを用いた微細多層配線構造の作製を試みた。電着ポリイミド膜は製膜条件により大きく特性が異なることが示され、撹拌の最適化を行うことで再現性良く平滑面を得ることが可能となった。そこで電気銅めっきと電着ポリイミドによるマイクロストリップ線路の作製を行った。その結果、電着ポリイミド絶縁層と微細銅配線による伝送線路構造を形成できることが分かった。
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佐々木 智江, 菅谷 康博, 高橋 英治, 齊藤 義行, 福本 幸弘
セッションID: 14C-11
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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近年、システムLSIの高速・低電圧化が進んでいる。このため、配線の抵抗や寄生インダクタンスによる電圧降下の影響が大きくなり、誤動作しやすくなっている。 現在、我々はシステムLSIを安定動作させるインターポーザとして、既存のチップ部品を内蔵し配線長の短縮を図ったチップコンデンサ内蔵インターポーザの開発を行っている。また、大容量化が可能なシート状コンデンサを基板プロセスで作りこんだものについても検討を進めている。 本報告では、これらのコンデンサ内蔵インターポーザによる電源電圧変動抑制の効果について報告する。
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隠岐 武, 山口 友孝
セッションID: 14C-12
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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ステムパッケージに放熱キャリア及びLD(Laser Diode)素子を実装するダイボンダの搭載精度の向上を行った。1、ピン位置決め方式による3点支持でステムの外形精度に左右されない位置精度の再現性。2、天秤式ノズルとボイスコイルによる荷重の任意コントロール。3、搭載前のヒータの上方認識と揺らぎ防止ブロー。4、三重ガスカバーによる低酸素濃度雰囲気。
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望月 千裕, 野瀬 藤明, 菊地 広
セッションID: 14C-13
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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近年、デジタルカメラの一般家庭への普及に伴い、高性能で低価格なカメラが望まれている。カメラの低価格化を図るには、価格割合の大きいレンズ構成を簡素化することが有効な方法である。しかし、レンズ構成を簡素化すると、センサチップ中心で焦点を合わせた場合に、チップ周辺部で焦点ズレが生じてしまう課題(像面湾曲)があった。そこで、センサチップをレンズの焦点面に倣った方向の曲率に制御することで像面湾曲を低減する実装方法を検討し、実現の見通しを得た。
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福永 香, 倉橋 真司
セッションID: 15A-01
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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近年,電子機器の高速高周波化が進み,それに用いられる誘電絶縁材料のマイクロ波,ミリ波帯での誘電特性評価が重要となってきた。特に20GHz付近では水の吸収が大きいため,材料の吸湿が損失係数に与える影響が大きくなると考えられる。そこで様々な絶縁材料を吸湿させた後でのK-band (18 - 26 GHz) における複素誘電率を自由空間法により測定した。また,吸水量と複素比誘電率の比較を行った。その結果PTFEおよびその複合材料は,吸水率が低いため,加湿下においても誘電特性の変化は少なく,アラミドエポキシ樹脂やポリイミドは吸水率が高くいため,著しく影響されることが明らかになった。
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山口 真魚, 西野 充修, 古森 清孝
セッションID: 15A-02
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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プリント配線板への表面実装部品のはんだ接合において接合部位の長期信頼性を高めるために,基板材料の面方向の低CTE化を図ると共に樹脂の低弾性化を実現したガラスエポキシ銅張積層板を開発した。汎用FR-4の面方向CTEが13~14 ppm/℃に対し、開発材では9.5 ppm/℃と30%低減した。同様に曲げ弾性率も10~20%低減させることに成功した。この基板材料を用いて、実際に部品を実装した冷熱サイクル試験を行い、汎用FR-4に比べて開発材が高い信頼性を有することを確認した。また、開発材では板厚方向のCTEも50 ppm/℃と抑えることにより、スルーホールの導通信頼性も良好であることを確認した。
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田中 章, 八甫谷 明彦
セッションID: 15A-03
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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電子機器の高密度実装の一つとして、フリップチップ実装があり、ダイとサブストレイト間の熱膨張差による接合部の応力を緩和するために、アンダーフィル(UF)を用いる。このUFの物性値は、通常バルク状態で測定するが、実装後のダイとサブストレイト間に注入した状態の物性値を把握することは困難であった。今回、実装後のUFについて、トリミング切削法を用いて切削剥離し,さらに剥離片の任意箇所よりμmオーダのUFブロックを切り出し、熱物性測定を行なった。この結果、硬化条件によっては、UFの充填位置で差が生じる可能性のあることを示す興味深い知見を得た。
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井上 雅博, 菅沼 克昭, 石黒 浩
セッションID: 15A-04
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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圧電性を有するポリフッ化ビリニデン(PVDF)フィルムは80℃以上の温度で加熱すると熱収縮を起こすとともに圧電性が著しく低下することから使用範囲が限定されている.本研究では,PVDFフィルムの加熱劣化現象を詳細に解析するとともに,高温安定性を改善するためのプレアニールの効果について検討を行った.プレアニール温度を120℃とすると高温曝露前の圧電定数は低くなるが,高温安定性が改善され,実用上150℃までの加熱に耐えうることがわかった.この検討結果をもとにヒューマノイドロボット用皮膚センサシステムを試作することに成功した.
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村上 滋, 高坂 英治, 田嶋 由美子, 鈴木 輝美
セッションID: 15A-05
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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ドライフィルムソルダーレジストは、クリーンな作業環境と高いテント信頼性の優位性から、液状ソルダーレジストの代替として期待されている。ドライフィルムタイプは市場環境の変化を伴い信頼性が高まる中、無電解および電解ニッケル/金めっき耐性に問題があった。めっきもぐり防止は熱架橋剤による効果が認められ、めっきつきまわり性は光開始剤による浴汚染の影響が明らかになった。適切な熱架橋剤種と光開始剤種の選択により良好な耐めっき性を確保できたので報告する。
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姫田 優香理, 久保田 章裕, 五十嵐 勉, 阿部 公博
セッションID: 15A-06
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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低抵抗性・耐食性・はんだ付け性やボンディング性に優れるAuをはじめ貴金属めっきは小型電子デバイスへの応用が盛んに進められている。今回、中性~アルカリ性のシアン浴での電解貴金属めっき浴に耐え、解像度、密着性に優れるドライフィルムレジストが得られたので報告する。
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小笹 健仁, 植村 聖, 末森 浩司, 吉田 学, 星野 聡, 鎌田 俊英
セッションID: 15A-07
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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特定のケイ素化合物を基板上に塗設し200℃以下で紫外光を照射する事により高純度酸化シリコン膜を作製する技術を開発した。作製した酸化シリコン薄膜はシリコン熱酸化膜並みの表面平滑性と絶縁性能を有し、そのRMS値は0.15nm、抵抗率は10の15乗オームcm@1MV/cm、絶縁耐圧は6-8MV/cmであった。本技術では従来の塗布工法と異なり塗布したケイ素化合物の酸化シリコンへの転化過程において化学反応や熱履歴による体積変化を最小限に押さえる事によって緻密な薄膜の作製を可能にしている。講演においては本技術について材料やプロセスの面からその有効性を紹介すると共に他の物性評価の結果等についても発表する。
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種 隼也, 山下 恭平, 朴 素暎, 内木場 文男
セッションID: 15A-08
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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LTCCグリーンシートにスルーホールを形成する方法には、レーザーパンチング法が優位で広く用いられ、最小穴径はおよそ40μm程である。更なる小型化のために、フォトレジストフィルムを用いた、LTCCグリーンシートへのスルーホール形成法を考案した。離形フィルムに接着されたフォトレジストフィルムに、マスクを通して露光を行い、パターンを得た。その上にLTCCスラリーをドクターブレード法にて塗布し、乾燥させた。最後にアルカリ性の溶液でレジストを除去し、スルーホールを得た。形成されたスルーホールの最小寸法は30μmで、グリーンシートの厚さは20μmであった。また、この方法を用いて、異型のスルーホール形成も行った。
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小柳 亮太, 中村 幸一, 宮永 直弘, 平山 紀夫
セッションID: 15A-09
発行日: 2007年
公開日: 2008/01/11
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半導体パッケージに用いられる基板は様々な熱による熱膨張から強いストレスを受ける。我々は基板補強材であるガラスクロスの特性を高め、本質的な基板の低熱膨張化による信頼性向上および加工性向上を両立させる開発を進めている。 本発表では均質化法と有限要素法を用いた効率的な材料設計、およびこの手法を用いた低線膨張プリント配線板用ガラスクロスの開発状況を報告する。
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