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鈴木 雄将, 山岸 圭太郎, 斉藤 成一, 大橋 英征
セッションID: 11A-01
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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Gbps級の高速信号伝送を,メタルケーブルを用いて長距離伝送する場合,ケーブルの周波数依存の伝送損失による波形劣化の問題がある.この問題に対して, イコライザを用いて周波数特性を補正し,伝送距離を延伸する方法が用いられる.本稿では,高インピーダンス線路線路装荷形イコライザに対して遺伝的アルゴリズム(GA: Genetic Algorithm)を用いた最適化設計手法を適用し,効果を確認したので報告する.
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山岡 正拓, 瓜生 一英, 山田 徹
セッションID: 11A-02
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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近年、デバイスの小型・高機能化に伴い、様々な電磁界的結合による特性劣化が頻発し、開発遅延の要因となっている。従来の電磁界解析ツールでは、デバイス内の全結合を考慮した特性算出は可能であるが、部分的な結合有無の影響を見ることができず、特性劣化要因の特定が困難である。そこで、結合の影響を高精度かつ高速に算出する新電磁界解析ツールMomCACEを開発した。本ツールは任意箇所の結合の有無を切替えて計算することにより、劣化要因箇所の特定が可能となる。本ツールを設計に適用することにより、結合による劣化要因の究明が容易かつ短期間で可能となる。今回、実デバイスに適用し、有効性を実証したので報告する。
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太田 雅之, 作左部 剛視, 高橋 丈博, 澁谷 昇
セッションID: 11A-03
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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本研究では3次元電磁波解析シミュレータを用いて、FPCによって接続された2枚の基板間の電磁特性を計算から求め、実測にて確認した。結果より、特性インピーダンスの違いと伝送路の形状の違いの両方が放射ピークを生じさせる共振点に影響する。このときの共振点の挙動を電信方程式から導いた。加えて、FPCによって接続された基板同士を向き合わせるときの計算を行い、伝送特性と放射電界強度の違いを確認した。
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小国 直樹, 浅井 秀樹
セッションID: 11A-04
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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ADI(Alternating-Direction Implicit)-FDTD法は陰的解法で数値安定性が良いため、Courant条件に制限されることなく時間刻み幅を大きくとることができる。そのため通常のFDTD(Finite-Difference Time-Domain)法に比べ高速に電磁界解析を行うことができる。また係数行列が対角優位という性質を持つことから緩和アルゴリズムとの親和性が良い。そこで本稿では緩和アルゴリズムを用いたADI-FDTD法について検証し、その有効性を示した。さらにADI-FDTD法の緩和アルゴリズムの並列化についても述べる。
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井上 雄太, 関根 惟敏, 浅井 秀樹
セッションID: 11A-05
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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従来のSPICE系シミュレータと比べて高速な回路の過渡解析を行えるLIM(Latency Insertion Method)に,MPI(Message Passing Interface)を用いた並列分散処理化を施した.これにより,並列計算機で使用できるCPUの数に比例した計算速度の向上を期待することができる. 本報告ではプレーン等価回路を解析対象として与え,並列分散処理化を施していないLIMプログラムの計算時間と,並列分散処理化を施したLIMプログラムの計算時間を比較した.この時の計算速度が,実行プロセス数に比例して向上することを示す.
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永田 真
セッションID: 11A-06
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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オンチップの電源・グラウンド・基板雑音や回路信号のモニタ技術により、実LSIチップ内部における電源系雑音の発生および回路への影響についての理解が進んでいる。デジタル回路内部に埋め込み可能な小型の雑音検出回路について紹介するとともに、プロセッサ・チップにおける回路動作時のチップ内ダイナミック雑音や、プリント基板に実装されたデジタルLSIチップにおける電磁環境両立性など、LSIの電源インテグリティ評価の実例を紹介する。
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岡 典正, 五百旗頭 健吾, 豊田 啓孝, 古賀 隆治
セッションID: 11A-07
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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SI(信号品質)解析用のICモデルとして, IBIS(I/O Buffer Information Specification)モデルが幅広く活用されている. IBISモデルは理想電源を前提としており, 非理想電源下では精度が悪化することが指摘されている. 本発表では, 電源-グラウンド間共振とSIとの相関を示し,IBISモデルに電源-グラウンド間インピーダンスを付加することによってSI解析精度が向上することを示す. DUTとして市販のCMOSインバーターを用い, 電源-グラウンド間インピーダンスの実測に基づく抽出法を示す. また, 構築したモデルの精度を従来のIBISモデルと比較する.
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三浦 雅広, 島田 諭, 宮崎 誠, 初澤 健次, 花岡 仁登, 松田 徹
セッションID: 11A-08
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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高速・高性能化した高密度実装基板では,EMI対策が重要であるが,部品実装の制約上,適切な位置に対策用コンデンサを配置できない。その対策として,基板内部にコンデンサを埋め込む部品内蔵基板が期待されている。 前回,部品内蔵基板において,内層にコンデンサを配置することで基板の共振によるEMIの低減が確認されたことを報告した(MES2008)。 今回,コンデンサの最適配置の指針を得る為,部品配置の差異によるEMI低減効果の検討を行った。その結果,電源プレーン周辺縁部に所定の間隔でコンデンサを配置することが有効であることが解ったので報告する。
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西村 宜幸, 飯森 陽介, 渡辺 充広, 本間 英夫
セッションID: 11A-09
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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近年、電子機器の高機能化・高性能化に伴い、信号処理速度の高速化が重要な課題の一つとなっている。通信分野においては多くの情報を受信するため、GHz帯の高周波が利用されている。一方、プリント配線板においては、信号伝播速度の高速化・高周波化に対応するため、配線板材料の特性として低誘電率・低誘電損失(低tanδ)および低吸湿性などが求められている。本検討では紫外線を照射することによってシクロオレフィンポリマーフィルムの表面改質を行い、表面平滑性を損なうこと無く、密着性に優れた導電層を形成する手法について検討を行った。
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中島 光志, 中村 健太郎, 松原 敏明, 杉本 将治, 本間 英夫
セッションID: 11A-10
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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近年、多層プリント配線板の高密度化が進んでいる中で、そのコア層におけるスルーホールの導電性、放熱性の向上が求められている。また基板の薄膜化、スルーホール径の縮小化に伴い、スルーホール内への導電ペースト充填工程は技術的に困難となってきている。そこで本研究ではスルーホールを電気銅めっきにより完全充填することを目的とし、めっき浴添加剤にPEG誘導体を用いて新しいめっきプロセスを検討したところ、スルーホールフィリングへの有効性が示唆されたため報告する。
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吉冨 了平, 小林 禧夫, 馬 哲旺
セッションID: 11A-11
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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銅張りガラスクロスセラミックPTFE積層基板AR-1000に関して、平面および垂直方向の複素比誘電率および両面に張られた銅箔の表面および界面の比導電率を種々の共振器法により測定した。これらの測定値を用いてAR-1000上に構成されるマイクロ波伝送線路の減衰定数αを1-20GHzにわたり計算し、実験結果と比較した。特に、αを誘電体損αdと導体損αcに分離して評価した。しかし、この計算結果は、製作した伝送線に金めっきが施されていたために実験結果と一致しないことがわかった。本報告では、AR-1000上に施された金めっきがαに及ぼす影響について検討する。
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金森 元気, 田中 慎也, 田代 雄彦, 渡辺 充広, 本間 英夫
セッションID: 11B-01
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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現在、プリント配線板の作製の際、樹脂表面を過マンガン酸カリウムなど強力な酸化剤を用いて基板表面の粗度を数μm以上粗らして導電層との密着を得ている。しかし、この粗度ではパターンを形成した際に、信号遅延等の問題が生じてしまう可能性があるため、高速伝送や高周波対応に不向きである。しかし、実際の信号伝播における表皮深さは、1 GHzで2.0μm、10 GHzで0.6μmの粗度で対応できる。これらの事から超平滑でなくても、充分にギガヘルツ領域においても対応できる。そこで本研究では、過マンガン酸カリウムを用いて樹脂表面を低粗度で粗化し、その上に密着性の高いシード層めっきの形成を目標として、その結果を報告する。
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大西 裕一, 大山 俊幸, 高橋 昭雄
セッションID: 11B-02
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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主骨格に多環芳香族を導入したエポキシ樹脂は、高い耐熱性、低熱膨張率、高熱伝導性を示すことから、半導体封止材への応用が期待できる。そこで本研究ではナフタレンやアントラセンジヒドリド骨格のエポキシ樹脂を用い、硬化剤と硬化条件の検討による多環芳香族のスタッキング構造と高温力学特性の関係を調べた。
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工藤 喜美子, 田邉 靖博, 下地 輝明, 縄舟 秀美
セッションID: 11B-03
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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ファインパターン性及び耐熱性の両立を目的として、銅上への直接無電解パラジウム/金めっきプロセスの検討を行った。その結果、新たに開発したプレコート液を用いる事により、銅上の直接無電解パラジウム/金めっきが可能となった。我々は本プロセスにより得られためっき皮膜と他の皮膜の性能を比較した。その結果、本プロセスは優れた耐熱性を示し、はんだ接続強度及びワイヤーボンディング性も従来の無電解ニッケル/パラジウム/金めっきと同等以上の性能を示した。
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吉田 学, 末森 浩司, 植村 聖, 星野 聰, 高田 徳幸, 小笹 健仁, 鎌田 俊英
セッションID: 11B-04
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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我々は印刷導電パターンをプラスチック等のフレキシブル基板上に低温で作製する技術を開発した。我々の技術の特徴は、金属フィラー間の接合を形成させるために圧力を用いていることである。また、この際に印刷された導電パターンの形状を崩さないように精密に圧力制御を行っている。
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植村 聖, 末森 浩司, 吉田 学, 星野 聰, 高田 徳幸, 小笹 健仁, 茨木 伸樹, 鎌田 俊英
セッションID: 11B-05
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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フレキシブル電子デバイス用保護膜としてプラスチック基板に適応可能な温度で高バリア性のシリコン系ナノコンポジット保護膜を調製する技術について検討を行い、またその膜の印刷による作製技術について検討を行った。
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榎本 靖, 松村 康史, 赤松 謙祐, 縄舟 秀美
セッションID: 11B-06
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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ダイレクトメタライゼーション法は、ポリイミド前駆体樹脂に吸着させた金属イオンを還元することにより樹脂表面に緻密な金属皮膜を簡便に形成することが可能なプロセスである。本報告では、インプリントリソグラフィーにより形成したトレンチ形状のポリイミド前駆体表面にダイレクトメタライゼーション法を用いてNi皮膜を形成し、トレンチフィリング電解Cuめっきと過剰Cu層の研削を行うことによるCuダマシン回路形成について検討した。
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谷山 慎悟, 王 英輝, 須賀 唯知
セッションID: 11B-07
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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デバイスの高精度かつ効率的な組立ての実現を目指すにあたり、ウエハサイズでの一括接合に注目が集められている。またSAB(表面活性化接合)法は次世代エレクトロニクス実装における有効な手段として広く紹介されている。本論文では、SAB法を用いてシリコンウエハを常温条件下で接合し、一定の条件下でボイドなく接合されることを確認した。シリコンは常温、真空度2.5×10-6 Pa以下において結合エネルギーが2.2 J/m2以上得られることが確認された。また真空度などのパラメータについて接合強度に対する影響を調べた。またシリコンウエハに金属薄膜を蒸着させたもの同士を150℃までの低温領域で接合し、温度依存性などについて調べた。
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溝口 勝久, 上田 充
セッションID: 11B-08
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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近年、半導体デバイスの保護膜や層間絶縁膜として感光性ポリベンゾオキサゾール(感光性PBO) が用いられている。半導体デバイス内部の銅配線幅は年々細くなり、今後、感光性ポリマーの成分である光酸発生剤からの酸によるデバイス内部の銅配線の腐食問題が挙げられる。そこで、本研究では、光塩基発生剤を用いて、その塩基触媒によるマイケル付加反応を用いた新規感光機構を提案し、銅配線腐食の問題の無いアルカリ現像可能なネガ型感光性PBOを開発したので報告する。
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加藤 凡典
セッションID: 11B-09
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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携帯電話、パソコン、ゲーム機などの先端電子機器の実装技術を確認し、そこから見えてくる必要される材料特性や新規材料について議論する。 また今後ビジネスでの勝者となるために必要な標準化やDFMについても言及する。
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村田 直一, 玉川 欣治, 鈴木 研, 三浦 英生
セッションID: 11B-10
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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現在、電解めっき銅薄膜は銅の優れた電気伝導性、熱伝導性から、プリント基板用配線からバンプ構造まで幅広く使用されている。しかしながら、電解めっき銅薄膜はその微細組織から延性や電気伝導率の低下など従来のバルクとは大きく異なる特性を持つことが報告されており、デバイスの信頼性を著しく低下させる。本研究では、その微細組織が疲労特性に及ぼす影響について検討を行い、電解めっき銅薄膜は負荷領域が弾性域では脆性的な粒界疲労破壊、塑性域では延性的な粒内疲労破壊の2種類の疲労破壊モードが混在していることを明らかにした。
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和久田 大介, 金 槿銖, 菅沼 克昭
セッションID: 11B-11
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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近年,耐熱性の弱い有機デバイスの利用や熱応力の緩和という目的から,金属ナノ粒子を利用した低温実装技術が注目されている.これまで,我々の研究グループでは,ドデシルアミンと硝酸銀からなる錯体を用いた化学還元法によってペーストの合成を行い,保存安定性があり,溶剤の蒸発と共に焼結が進行するペーストを開発している.本研究では,このペーストを用いた接合実験を行い,Cu板の常温接合を行った.ペーストの基本的性質および接合実験で得られた新規知見を講演会において発表する。
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山本 礼, 吉川 徹, 鈴木 雅彦, 吉田 優香, 関 智徳, 矢島 倫明
セッションID: 11B-12
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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新帯 亮
セッションID: 11C-01
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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自動車用電子部品の封止あるいは実装技術は民生分野での発展とともに進展している。しかしながら、自動車独自のニーズによる考え方や実装技術の開発も必要とされている。本講演では、特に、自動車に要求される「信頼性」「搭載性」などを中心に、進展の歴史を振り返りつつ、いくつかの開発事例、特に樹脂による封止、実装を中心に紹介し、将来への課題を述べる。
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毛利 護, 福士 秀幸, 田中 秀治, 江刺 正喜
セッションID: 11C-02
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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MEMSウエハレベル実装用の貫通配線基板として、陽極接合可能なシリコンと熱膨張係数を合わせたLTCC基板を開発している。この多層貫通配線基板の気密封止性能を真空中で陽極接合させたシリコンダイヤフラムの凹み量で評価した。大気中に取り出した8μm厚のダイヤフラムは約7μmの凹んでおり、800時間経過後も凹み量の変化はほとんどなかった。この試料を更に-40/+125℃(30分/30分)の熱衝撃試験にかけたが、同じく凹み量の変化はほとんどなく高い信頼性をもった気密封止が出来ていることが確認出来た。
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貝塚 聡, 和田 浩史, 和久田 陽平, 田代 雄彦, 渡辺 充広, 本間 英夫
セッションID: 11C-03
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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近年、リソグラフィ技術、電鋳技術、およびモールディング技術を利用したマイクロマシニング技術が隆盛を極めており、様々な製品に応用されている。電鋳技術によるマイクロマシンの作製では、求められる材料特性を持つ電鋳皮膜を得るための基本的な研究が必要不可欠である。本研究では、マイクロカンチレバーに必要なバネ特性に優れた電鋳皮膜の検討を行ったので、これを報告する。
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中島 毅, 宮本 幸司, 佐藤 充弘, 野北 寛太, 和泉 亮
セッションID: 11C-04
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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半導体部品においてICから外部システムとつなぐ接続方法のひとつであるフリップチップ接続の接続端子は半導体製品の高機能化、高速化のニーズから、接続部分の微細化が求められており、この微細化に伴い接続部分の酸化膜の影響が無視できなくなっている。そこで、本研究はHot-Wire法により生成した水素ラジカルによってはんだバンプ表面の酸化膜除去を施し、この処理によってフリップチップ接続状態の改善を確認した。
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齋藤 浩一, 中里 真弓, 柳瀬 康行, 藤井 隆弘, 小林 初, 山本 哲也, 岡山 芳央, 臼井 良輔, 井上 恭典
セッションID: 11C-05
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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貼り合わせ工法を用いた新規実装技術における微細化対応について報告する。前回、低コスト且つ高精度な電極接合を実現できる上記工法において、バンプ先端の熱硬化性樹脂(NCF)をエッチングする工程を追加することにより、良好な端子接続を達成した。そこで今回は、上記の新規実装技術における接続ピッチ微細化の検討を行った。樹脂ラミネートプロセス改善などの適用により、バンプピッチ100μm以下(前回報告は250μm)の微細化を実現した。
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佐々木 拓也, 三浦 英生
セッションID: 11C-06
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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半導体デバイス内に発生する残留応力はチップの割れや微細銅配線の破断などの不良を引き起こすことが懸念される.一方,近年,トランジスタに積極的に歪みを導入し高機能化を図る歪みシリコン技術が採用されている.半導体デバイス内の残留応力を制御し不良を低減させ,且つトランジスタの高性能化を図る必要がある.よって半導体デバイス内の残留応力を考慮した高信頼性設計指針の構築は必要不可欠である.そこで,本研究では,半導体デバイス製造プロセス起因で発生する残留応力の評価法を確立するため,前工程で生じる薄膜堆積による真性応力や応力集中,後工程で生じるフリップチップ実装構造内残留応力分布を測定した.
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堀部 晃啓, 山田 文明
セッションID: 11C-07
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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半導体素子の性能向上と低価格化は、その微細化によって推し進められてきた。しかし、その物理的限界やコスト上昇などの懸念があり、次の時代を担う半導体デバイスの高性能化技術として貫通電極を用いた三次元チップ積層技術が注目を集めている。三次元積層デバイスにもその機械強度や、チップ間電極の耐腐食性など信頼性を向上するためにチップ間樹脂充填が必要となると考えられる。この充填材料(インターチップフィル:ICF)は、今後数ミクロンの狭ギャップにも対応する必要性があり、事前塗布技術(ウェハレベル塗布など)の適用など、通常のアンダーフィル材とは異なると考えられるため、その要求特性について検討を行った。
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森田 将, 林 信幸, 中西 輝, 米田 泰博
セッションID: 11C-08
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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現在、はんだの接続信頼性評価方法で一般的なものが熱サイクル試験である。しかし、この方法は数ヶ月ほどの期間を要し、開発効率向上のためには更なる試験の短期間化が重要である。そこで、機械的な応力を繰り返し発生させるベンディング試験でより短時間に熱サイクル試験と同じ効果を実現できるのではないかと考えた。その検証方法として、JEITAで定められている寿命予測式である修正型コフィン・マンソン則の材料パラメータを、すず・鉛共晶はんだについて導出し過去の熱サイクル試験のデータと比較した。また、Sn-3.0Ag-0.5Cuについても導出し、すず・鉛共晶はんだとの差異を調べた。
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佐川 智春, 久米 篤, 尾野 靖, 今井 隆之
セッションID: 11C-09
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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ポリエステルフィルムを基材とするメンブレン回路基板は、デジタル家電製品などにも多く使用されているが、近年、デジタル家電製品の小型化が進み、内蔵するメンブレンも小さくなっている。それにともない、部品実装エリアの省スペース化が求められているが、一般的に、メンブレンでは導電性接着剤によって部品を実装し、さらに樹脂によって部品を封止しているため、この樹脂が実装エリアの省スペース化を阻害していた。そのため、封止用樹脂を使用しない実装工法の検討を開始し、低融点はんだと樹脂を混合した材料を使用することで、良好な実装特性とともに実装エリアの省スペース化を実現した。
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坂本 英次, 秦 昌平, 青木 久, 小泉 俊晃, 竹盛 英昭, 廣瀬 一弘
セッションID: 11C-10
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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光通信や記録用光モジュールでは光素子の実装に薄膜はんだが用いられる。従来、融点278℃のAu-Snはんだが使われてきたが、接続後の残留応力を低減させるために、より低温の220℃~240℃で接続できるSn系薄膜はんだが求められている。Sn系薄膜はんだの課題は酸化しやすいことである。そこでSn上に拡散バリアとしてAg層、酸化防止のためのAu層を形成したSn/Ag/Au構造を考案した。本構造により窒素中、フラックスレスでの接続で良好なぬれ性を実現した。さらに、低温で接続可能なSn-Bi系薄膜はんだを開発し、200℃以下での良好な初期接続性を実現した。
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条谷 辰幸, 中丸 弥一郎, 井上 浩徳, 田代 雄彦, 本間 英夫
セッションID: 11C-11
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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UV照射による表面改質法を用いることで、平滑な導体/基材界面において良好な密着性を得ることが可能となっている。この技術を応用して、選択的にめっきを析出させることが可能であるが、それを配線として使用する場合導体を厚くする必要性がある。しかし、無電解めっきは等方成長してしまうため横方向にもめっきが成長するという問題がある。そこで、本研究では横方向の成長のみを抑制するような異方性成長する無電解めっきの開発を検討したところ、添加剤の種類や添加量により析出金属の異方性成長が確認できたため報告する。
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百川 裕希, 西山 知宏, 村上 朝夫, 石塚 直美, 長柄 陽子, 水村 宣司, 五十嵐 仙一
セッションID: 11C-12
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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助川 直史, 青木 広宙, 越地 耕二
セッションID: 11C-13
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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近年、非接触による充電技術が注目されている。本稿では携帯機器の非接触充電を対象として、一次・二次コイルの形状、インダクタンス、磁界分布等の検討を行い、試作したコイルを用いてリチウムイオン電池の実装有無のそれぞれの場合について電力伝送効率を測定・評価した。その結果、電池の実装を考慮した場合において一次・二次コイルを方形型とし、さらに二次コイルを電池底部に配置することで90%(AC-to-AC)の電力伝送効率を得ることができた。また二次側電圧の制御方法についても検討を行った。
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橋爪 正樹, 一宮 正博, 四柳 浩之, 小野 安季良, 高木 正夫
セッションID: 11D-01
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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QFP ICをプリント配線板にはんだ付けする際に発生するリード浮きを電気的に検出する検査法を我々は現在開発中である。本稿では複数個のリードを同時に検査することができる検査回路とその回路の設計法を提案する。またその検査回路によりQFP ICのリード浮きが検出できることを明らかにする。
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小野 安季良, 一宮 正博, 四柳 浩之, 高木 正夫, 橋爪 正樹
セッションID: 11D-02
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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ICをプリント配線板に実装する工程ではんだ不良により発生するICのリードとランド間の断線故障であるリード浮きを検出する検査法を我々は過去に提案した。その検査法は外部から検査対象リードに交流電圧を印加したときに,断線センサとして使用している論理ゲートの電源電流を測定し,その異常で,リード浮きを検出する検査法である。これまでにその検査法で,ICのHもしくはLの論理入力リードのリード浮きは検査入力生成を必要とせずに検出可能であることを明らかにした。本稿では,その検査法でICの電源電圧を供給する電源リードのリード浮きが検出可能かどうかを調査したので報告する。
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野口 祐智, 斎藤 之男, 角田 興俊, 田島 孝光
セッションID: 11D-03
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
会議録・要旨集
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プリント配線板検査には外観検査が用いられているが信頼性は十分ではない。信頼性向上のためには、高速で配線の配線状態を確認することが可能な検査装置の開発が求められている。本研究ではコンタクトピンの通電不良を無くすため誘電体付プローブの開発を行ってきた。さらに微細な配線には、精密な位置決めを行い、微小領域の信号をとらえることで微細な傷の検出が可能と考えた
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新谷 宣明, 進 健範, 韓 榮建, 崔 雲, 友景 肇
セッションID: 11D-04
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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電子システムの小型化、高密度に伴い、SiP(System-in-a-Package)やPoP(Package-on-package)などの3次元パッケージ技術が提案されている。そのため多層パッケージに対する短時間解析手法が強く求められている。しかし、現在不良解析に使用されているX線検査での外観検査では限界がある。本研究ではTDR(Time Domain Reflectometry)法を用いてフリップチップ実装した基板の解析を行い、バンプ接合不良箇所を特定し、X線検査結果と比較することで有効性を確認した。その結果TDR法の結果とX線検査結果はよく一致し、TDR法は有効な手法であることが分かった。
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野口 健二, 浅井 律雄, 村越 貴行, 寺本 篤司
セッションID: 11D-05
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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可視光を用いた従来の外観検査手法では、はんだに隠れる部分の異物は検査することができない。一方、CT画像では、異物が存在する基板接合面付近の情報をスライス画像として得ることができる。そこで、本発表では、はんだ接合部を撮影したCTスライス画像から、異物を検出する手法について提案する。
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松嶋 道也, 河合 直浩, 藤江 裕之, 安田 清和, 藤本 公三
セッションID: 11D-06
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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微細化高密度化傾向に伴い,電子デバイス実装部の安定した検査が可能な自動視覚検査システムが望まれており,定性的な判定を行うため,ニューラルネットワーク学習を用いた自動検査システムが研究されている.特に良否の判別が困難なソルダ接合部は,観察する角度によっては不良品が良品に見えることがあるため,複視線角画像による検査が必要である.本論文では,複視線角画像を用いたニューロ検査システムについて,個別に行った各画像の判定結果を組合せた判定と複数画像を1つの入力として判定を行った場合を比較した.中間サンプル適用による誤判定防止と主成分分析を用いた入力情報効率の改善についても併せて示す.
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蔵田 和彦
セッションID: 12A-01
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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JIEP光回路実装技術委員会ではロードマップワーキンググループにて光インターコネクション実現に向けた課題と展望の議論を行い、08年度版「光インターコネクション普及に向けての提言」を発行した。今回その検討ポイントおよび各技術領域の展望、提言に関し検討結果を述べる。
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喜多 由起, 金高 健二, 清水 克也, 粟辻 安浩, 裏 升吾
セッションID: 12A-02
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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広帯域チップ間信号伝送を実現するため,我々は薄膜導波路と波長多重技術を利用した光配線を検討している。今回、2つの分布ブラッグ反射器(DBR)で構成する共振器とグレーティングカップラ(GC)を集積する、導波型共振器集積グレーティングカップラ(CRIGIC)を設計・作製し、動作確認実験を行った。CRIGICは短い結合長で高効率な結合を得ることが可能な素子である。今回、CRIGICを結合長20μmで作製したところ、入力波長843.22nmのとき、結合長500μmのGCの0.8倍の結合効率が得られた。
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村西 智行, 清水 克也, 井上 純一, 西尾 謙三, 金高 健二, 粟辻 安浩, 裏 升吾
セッションID: 12A-03
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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我々はチップ間光インターコネクションをめざして、導波路内を伝搬する導波光と自由空間光を結合する傾斜微小ミラーの作製について検討を行っている。石英基板上に導波路を化学気相堆積で形成し、レーザービーム描画および反応性イオンエッチングにより導波路にトレンチを作製した。UVレジストを塗布し、液浸斜め露光法を用いて傾斜構造をトレンチ内に作製し、金を蒸着して埋め込み傾斜微小ミラーを得た。端面結合により導波光を励振し、傾斜微小ミラーの出力光結合特性を測定した。
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小川 知訓, 神田 昌宏, 三上 修, 児島 直之
セッションID: 12A-04
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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ボードレベル・チップレベルの光インターコネクションでは光デバイス(VCSEL・PD)と光導波路との容易かつ高効率なアライメント技術の確立が普及のキーポイントの一つである。そこで、我々はUV硬化性樹脂を用いたフォトマスク転写法により安易かつ高効率なアライメントを実現するビルトイン光接続ロッドを備えた光モジュール技術を提案してきたが、今回光配線板との接続について検討した。
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木下 智嗣, 平野 翔, 池下 敏広, 石田 宏司
セッションID: 12A-05
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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機器、筐体内の光配線用導波路作製を目的に、スピンコートによる膜形成とダイシング工程のみの簡便なプロセスを用いて多チャンネルフッ素化ポリイミド光導波路フィルムを作製し、良好な透過特性を持つことを確かめた。また、筐体内で、高密度に接続することが可能な、垂直光路変換用45°ミラーの作製についても報告する。
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加藤 尚斗, 須田 俊央, 小林 壮一, 石田 宏司
セッションID: 12A-06
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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高品質かつコストパフォーマンスに優れた感光性ポリシランを用い、マスク露光およびレーザー直接描画による大面積マルチモードのフレキシブル光導波路作製方法を検討し、A4版以上の大面積光配線板を、マスクレスプロセスで作製可能なことを明らかにした。
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碓氷 光男, 内山 真吾, 橋本 悦, 葉玉 恒一, 石井 雄三, 松浦 徹, 阪田 知巳, 下川 房男
セッションID: 12A-07
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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西尾 俊彦, 森 裕幸
セッションID: 12A-08
発行日: 2009年
公開日: 2014/07/17
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45ナノメーターゲート長の最先端半導体技術(以下45ナノ)から、次世代32ナノ以降の半導体製品のロードマップ実現のために要求される実装技術について予想し、その実現についての挑戦課題について分析する。具体的には、半導体製品をサーバー用、ゲーム用、ASIC用、さらにモバイル用といったカテゴリーに分けた際に、ロードマップ実現のための実装技術について、電気的性能、発熱コントロール、信頼性という観点から、その挑戦的課題を、各カテゴリーに共通な部分と個別な部分に分けて分析する。さらにそれらの課題克服のための、業界内での協業の仕組みを提案し、ロードマップ実現への効率的な仕組みの提案も行う。
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