有機電界効果トランジスタ (OFET) の溶液プロセスにおける環境負荷低減のため,非ハロゲン系溶媒を用いて成膜した2,7-dioctyl [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene (C
8-BTBT) を半導体層として有する塗布型トップゲートOFETの高性能化を検討した.熱架橋poly (4-vinylphenol) 層を塗布した基板を用いることで,非ハロゲン系溶媒のトルエン及びシクロヘキサノンを用いたOFETの素子特性の改善が可能であることが分かった.非ハロゲン系溶媒を用いてスピンコート法により作製したOFETにおいて,クロロベンゼンから作製した素子に匹敵する4cm
2 V
-1 s
-1を超える移動度や優れたサブスレッショルド特性を達成した.
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