電子写真学会誌
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29 巻, 1 号
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  • 明珍 寿史, 井上 芳典
    1990 年 29 巻 1 号 p. 2-8
    発行日: 1990年
    公開日: 2008/03/14
    ジャーナル フリー
    現像用マグネットローラの着磁パターンを磁場解析により最適化し,小径(φ10)かつ高磁力のマグネットローラを試作した.
    小径かつ高磁力のマグネットローラを得るためには,現像主極をいかに効率良く着磁するかが決め手となる.従来のマグネットローラは,現像主極(N)を中心にしてS-Nと交互に着磁していたため,現像主極の通過磁束が分散され,着磁量に限界があった.
    本件のマグネットローラは,現像主極を中心にして,S-Sと同極に着磁し,磁束を現像主極に集中させることにより,高磁力化を実現することができた.
    今回試作したマグネットローラを用い,複写機(ミノルタEP413Z)でコピーしたところ,良好な画像を得ることができた.これにより,現像機を従来より小径化できる可能性を見い出した.
  • 山本 肇, 国重 秀則, 小野 泰蔵, 寺田 浩
    1990 年 29 巻 1 号 p. 9-13
    発行日: 1990年
    公開日: 2008/03/14
    ジャーナル フリー
    感光体上で直接トナー像を重ね合わせカラー画像を形成する“1ドラム色重ねプロセス”では,先に形成したトナー像を乱さずに次のトナーを色重ね現像するために,感光体を摺擦しない非接触の現像法が必要である.今回,1成分カラートナーを用いた非接触直流電界飛翔現像法を開発し,デジタルカラー複写機カラーレーザプリンタ部のカラー現像器として実用化した.この現像器では,絶縁性トナーを現像器内部の導電性ファーブラシで摩擦帯電した後,弾性ブレードによって現像ローラ上に均一な約30 μmのトナー薄層を形成する.この現像ローラを,感光体と150μmのギャップを開け対向し,感光体と同速同方向に回転させ,バイアス電圧を印加しトナーを飛翔させ静電潜像を反転現像する,この現像法は,プロセス速度300 mm/sまで追従する性能を有することを確認した.
  • 山本 肇
    1990 年 29 巻 1 号 p. 14-25
    発行日: 1990年
    公開日: 2008/03/14
    ジャーナル フリー
    『1ドラム色重ねプロセス』では感光体上にトナー像を重ね合わせるために,直流電界飛翔現像法を用いる.この直流電界飛翔現像法について,現像ギャップ,トナー電荷量,トナー層厚等の影響を,有限要素法を用いて考察した.さらに,露光と現像の条件が解像度に与える影響について考察した.その結果,以下のことがわかった.
    (1)現像ギャップを広げると電界強度が低下し画像濃度が低下するだけでなく,ギャツプ内で電気力線が感光体側に回り込み,画線が細る.
    (2) 低電荷量トナーは潜像に向かって飛翔するが,高電荷量トナーは現像ローラに静電的に吸着され動かない.
    (3)現像ローラ上のトナー層厚が厚すぎると,逆極性のドナーが皆無であっても地かぶりが発生する.
    (4)高い現像バイアスでは,画線の細りはなくなるが,同時に背景部において地かぶりが発生しやすい.
    (5)露光を矩型にしても現像電位は矩型にならない.240dpiと400dpiの比較では,露光幅を変えると現像電位は幅のみでなく深さも変わる.
    (6)400dpiのラインが独立した1本おきの露光であっても,現像時に潜像は相互に影響しあう.ライン間の白抜け部の電位が下がってしまいライン間はかぶりやすくなる.
    これらの結果から,直流電界飛翔現像法を用いたときの現像と露光の最適条件を決定し,デジタルカラー複写機“Panasonic FP-C1”のレーザプリンタ部のカラー現像部および光学系の仕様とした.
  • 金光 義彦, 今村 舜仁, 小関 一浩
    1990 年 29 巻 1 号 p. 26-31
    発行日: 1990年
    公開日: 2008/03/14
    ジャーナル フリー
    アモルファスセレン(a-Se)の局在準位と光劣化現象をゼログラフィック放電法を用いて研究した.a-Se薄膜に長時間光照射することにより荷電欠陥が生成される,光照射により生成される荷電欠陥はあらかじめ試料に存在する荷電欠陥D+D-と同じものであり,光照射することによりD+D-の密度が増加する.バンドギャップと等しいフォトンエネルギーを持つ光で照射することにより効率よく荷電欠陥は生成される.一方,光照射中に電界を印加することにより欠陥の生成効率は減少する.これらの実験結果は,光照射による荷電欠陥の生成には光生成された電子-正孔ペアのgeminate再結合過程が重要であることを示唆している.a-Seの光疲労と励起再結合機構について議論する.
  • 小林 信昭, 高橋 智, 中西 達雄, 山崎 敏視, 森口 博行
    1990 年 29 巻 1 号 p. 32-37
    発行日: 1990年
    公開日: 2008/03/14
    ジャーナル フリー
    アモルファス・シリコン(a-Si)感光体の光感度が(SiH4-B2H6-Ar)混合ガスのグロー放電分解におけるRf電極上のRf電位のpeak-to-peak値(Vp-p)や直流バイアス電位(VDC)と直接的な関係をもつことを見出した,即ち,低いVp-p値となる成膜条件で作製した感光体ほど高感度であった.SiH4--Arプラズマ中のVp-p値はa-Si:H膜の成膜パラメータであるガス圧力,電極間距離,Rf電力,(SiH4/Ar)希釈率に特異的に依存し,プラズマ中の電子エネルギーや電子密度と相関しているようである.さらに,ヘリウム,ネオン(ラムザウァ効果のある希ガス),アルゴン,クリプトン,キセノン(ラムザウァ効果のない希ガス),水素,窒素,メタン,シラン(分子性ガス)のプラズマ中でRf電極上のVp-p値やVDC値を測定し,興味深い結果を得た.これらのプラズマ中でのVp-p値やVDC値はガス中の原子・分子と2~10 eVのエネルギーをもつ電子との衝突断面積と相関しているようである.
  • 丹野 清彦, 平根 英夫, 倉田 宏一
    1990 年 29 巻 1 号 p. 38-46
    発行日: 1990年
    公開日: 2008/03/14
    ジャーナル フリー
  • 鈴木 弘治
    1990 年 29 巻 1 号 p. 48-54
    発行日: 1990年
    公開日: 2008/03/14
    ジャーナル フリー
  • — 事務用複写機 —
    深瀬 康司
    1990 年 29 巻 1 号 p. 55-61
    発行日: 1990年
    公開日: 2008/03/14
    ジャーナル フリー
  • 雨宮 幸司, 大森 高志
    1990 年 29 巻 1 号 p. 62-69
    発行日: 1990年
    公開日: 2008/03/14
    ジャーナル フリー
  • 小藤 治彦
    1990 年 29 巻 1 号 p. 70-76
    発行日: 1990年
    公開日: 2008/03/14
    ジャーナル フリー
  • 堀 康郎
    1990 年 29 巻 1 号 p. 77-85
    発行日: 1990年
    公開日: 2008/03/14
    ジャーナル フリー
  • 林 美樹
    1990 年 29 巻 1 号 p. 86-92
    発行日: 1990年
    公開日: 2008/03/14
    ジャーナル フリー
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