青色発光を示すCe^<3+>添加ストロンチウムチオガレイト(SrGa_2S_4 : Ce)薄膜を多元蒸着法を用いて作製した。蒸発源としてはSr金属、Ga_2S_3及びCeCl_3粉末を用いた。蒸着後SrGa_2S_4 : Ce薄膜をH_2S雰囲気中で熱処理することは結晶性及び発光特性の改善に極めて効果的であることが見出され、蒸着時基板温度450℃、Ga_2S_3及びSrの基板への供給比Ga_2S_3/Sr=50で薄膜を作製した後、H_2S雰囲気中800℃で1〜2時間のアニールを行うことによって50倍以上のカソードルミネッセンス強度の向上がなされた。また、CIE色度座標は(0.12,0.10)で非常に色純度の優れた青色であることが示された。
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