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原稿種別: 表紙
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Cover1-
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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原稿種別: 目次
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Toc1-
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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池田 達也, 重松 文也, 富田 保男
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-1
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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近年、LCDの大型化に伴い、そのバックライト用光源として用いられる冷陰極蛍光ランプは、太径化、長尺化が進んでいる。その大型LCD用のランプに要求される機能は、高光束、長寿命、ランプ軸方向の色度変化量の低減、高効率などがある。今回、蛍光体粒子径に着目してランプの高性能化を検討した。大型LCDに使用される太径ランプは、細径ランプに比べて蛍光体に照射される紫外線強度が弱くなる。我々は、蛍光体に照射される紫外線強度に対して最適な蛍光体粒子径や膜厚にすることで約3%の光束向上を実現した。
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石井 啓二, 平野 芳邦, 本山 靖, 村上 由紀夫
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-2
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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陽光柱領域から真空紫外光を放射する陽光柱放電セルは、高い発光効率を有する。発光効率と励起粒子密度の関係を調べるために、陽光柱領域のXe励起粒子の密度分布をレーザー吸収法により測定した。放電電流が増加した場合、陽光柱内のXe励起粒子の密度が増加する一方で、陽光柱領域は陽極側に向かい空間的な収縮が見られ、放電空間内のXe励起粒子の総数はほぼ一定となった。次に、放電電流一定の条件下で、放電セル幅を0.36mmから0.12mmまで狭めた場合の特性を評価した。セル幅を縮小した場合、陽光柱内のXe励起粒子密度は増加し、セル壁面に形成される蛍光面に到達する紫外光強度が増加することが明らかになった。
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鎌田 憲彦, 岡本 航, 木島 直人
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-3
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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Above-Gap励起光(AGE, hν_A>Eg)、Below-Gap励起光(BGE, hν_B<Eg)を試料に照射し、BGE照射によるフォトルミネッセンス(PL)強度の変化を測定する2波長励起PL法により、禁制帯内準位の定量評価を進めている。Y_2O_2S:Eu^<3+>蛍光体試料において、BGE照射によるEu^<3+>の過渡的なPL(輝尽)を観測し、そのEu^<3+>添加濃度依存性を調べた。その結果、検出された準位はEu^<3+>添加ではなく、母体欠陥に起因することが示された。
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井上 亮, 小松 正明, 椎木 正敏, 今村 伸
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-4
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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低加速電圧領域でのZnS蛍光体への電子線侵入距離を検討した。2層膜構造蛍光体による侵入距離の実測とMonte Carloシミュレーションを用いた計算による解析を行った。2層膜構造蛍光体の測定では、ZnS:Cu,Al蛍光膜への電子線侵入距離は加速電庄7kv、粒径4μmで約12μm程度、粒径8μmで約16μm程度と推定できた。しかし、低加速電圧5-10kVでは、加速電庄の違いにより侵入距離にほとんど違いがなかった。この原因は測定とシミュレーション結果との比較から、低加速電圧での侵入距離に膜中ピンホール、粒界が大きく関与しているためと考えられる。
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小倉 学, 山元 明
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-5
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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低速電子線励起用赤色蛍光体SrIn_20_4:Pr^<3+>にIII族元素不純物を添加したとき、イオンにより発光効率を上げるものと下げるものとがある。前者にはAl^<3+>, B^<3+>, Sc^<3+>, Y^<3+>, Gd^<3+>などが、後者にはLa^<3+>がある。本研究ではGd^<3+>についてSrIn_20_4結晶中で占める格子点について検討し、以下のモデルによりこの現象を考察した。SrIn_20_4には酸素イオン空孔があり、高温では無幅射中心となるが、Tn^<3+>格子点に入ったIII族元素不純物はこれと競合して電子を捕らえるトラップ準位を形成してPr^<3+>による発光の効率を向上させる。一方Sr^<2+>格子点に入ったIII族元素不純物は酸素イオン空孔を増加させて、効率を低下させる。
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中島 宏佳, 井和丸 昌, 澤田 和明, 小野 貴史, 小南 裕子, 中西 洋一郎, 畑中 義式
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-6
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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電界放射型ディスプレイ(FED)用蛍光体として期待されている希土類添加SrGa_2S_4蛍光体の薄膜化を多元蒸着法に作製した。作製後、薄膜は結晶性の改善及び発光特性の向上をはかるためにH_2S雰囲気中で熱処理を施した。薄膜を陽極電圧2kv、電流密度60μA/cm^2で電子線励起を行ったところSrGa_2S_4:Euに起因する緑色発光を示した。この薄膜を用いフィールドエミッタを組み合わせてCL特性を測定したところ、陽極電圧1kv、電流密度8μA/cm^2の励起で、輝度焼く5cd/m^2、発光効率0.2 lm/W及び色度点(0.29, 0.68)が得られた。ここで、得られた発光効率からフィールドエミッタを使用しても、電子銃を使用した場合と同等の発光特性をえることが確認された。
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井和丸 昌, 中島 宏佳, 小南 裕子, 中西 洋一郎, 畑中 義式
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-7
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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本研究では、フルカラー電界放射型ディスプレイ(FED)における蛍光体として同一母体薄膜による三原色発光を目指している。これまでSrGa_2S_4:Ce薄膜の青色発光及びSrGa_2S_4:Eu薄膜の緑色の発光について報告した。今日は赤色発光を目指してSrGa_2S_4:Pr薄膜及びSrGa_2S_4:Mn薄膜の作製を試み、その発光特性について評価を行っている。SrGa_2S_4薄膜蛍光体は、多元蒸着(MSD)法を用いて石英基板上に作製した。蒸着後、Ar+1% H_2S混合雰囲気中において800〜900℃で30分間の熱処理を行った。しかし、これらの薄膜において赤色発光は得られなかった。 SrGa_2S_4:Mn薄膜は緑色発光を示し陽極電圧3kvの時、約30cd/m^2の輝度、CIE色度座標(0.30,0.63)が得られた。SrGa_2S_4:Pr薄膜は青緑色発光を示し約10cd/m^2の輝度、CIE色度座標(0.33,0.43)が得られた。
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木村 隆宏, 岡 秀和, 高須 康輔, 深田 晴己, 大観 光徳, 田中 省作, 小林 洋志
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-8
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
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ガラス基板と両面ITO透明電極の組み合わせによるSrS:Ce透明薄膜EL素子を電子線蒸着法により作製した。Ce^<3+>の発光は成膜方法や条件により変化しやすく、再現性が得られていない。そこでCe^<3+>の青緑色発光の再現を試みた。今回Ce^<3+>発光と成長槽内の雰囲気の関係をQMS(四重極質量分析計)により調べた。過剰なH_2Sの供給と、適度なH_20の雰囲気の組み合わせにより作製したSrS:Ce薄膜EL素子は、Ce^<3+>本来の青緑色発光を示した。作製した透明EL素子は1kHz、250V駆動においてCIE色度座標値(x,y)=(0.18,0.33)、輝度340cd/m^2、効率0.15lm/Wを示した。
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江原 摩美, 袴田 新太郎, 深田 晴己, 小南 裕子, 中西 洋一郎, 畑中 義式
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-9
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
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(Sr_<1-x>Ca_x)S:Cu,F固溶体薄膜は、固溶体蛍光体を蒸発源として電子ビーム蒸着法で作製し、ArあるいはH_2S中でラピット・サーマル・ア二ール(RTA)にて900℃でア二ールをおこなった。xの増加に伴って、薄膜のXRDのピーク位置は高角度側にシフトし、PLスペクトルのピークは短波長側にシフトした。しかしH_2S中でアニールをおこなった薄膜のPLスペクトルは長波長成分が大きくなった。このことはH_2S中のア二ールでSr欠陥によるCu^+-Cu^+ダイマー中心が生成したことを示唆している。薄膜EL(TFEL)素子をSrS:Cu,F薄膜でAr中におけるRTA法とH_2S共蒸着法で作製した。それらの色度座標はそれぞれ(0.16, 0.23)と(0.16, 0.21)であった。この結果からH_2S共蒸着をおこなうことにより、色純度の良いTFEL素子が作製できることが示唆された。
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深田 晴己, 篠倉 明日香, 木村 隆宏, 大観 光徳, 田中 省作, 小林 洋志, 中西 洋一郎
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-10
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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アルカリ金属(Na, K, or Rb)を添加したSrS:Ce薄膜EL素子を作製し,アルカリ金属の添加によるSr欠陥の補償効果について検討を行った.SrS格子内のSr欠陥濃度の相対的な比較は,PL励起スペクトルのピーク波長を比較することにより評価が可能であるとわかった.アルカリ金属はCe^<3+>発光中心近傍のSr欠陥を補償し,Ce^<3+>-V_<Sr>複合中心の生成を抑制する作用があるとわかった.特に,添加物としてRbを用いた場合に最も効果的であった.また,Ceを高濃度添加したSrS:Ce,Rb粉末蛍光体のPL特性より,Ce添加濃度を1.0 mol%まで増加してもレッドシフトならびに濃度消光が生じないことがわかった.
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小林 洋平, 鈴木 康之, 宮田 俊弘, 南 内嗣
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-11
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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新規な多元系酸化物蛍光体である((Y_20_3)_<1-x>-(Ga_20_3)_x):Mn薄膜をGa_2O_3含有量を0から100mol.%と変化させて作製し、それを発光層に用いるセラミック絶縁形薄膜EL素子において高輝度多色発光を実現した。Ga_2O_3含有量を変化させることにより、発光色を黄色から緑色に変化させることができ、Ga_2O_3含有量を50mol.%とした((Y_20_3)_<0.5>-(Ga_20_3)_<0.5>):Mn薄膜EL素子では、1kHz正弦波交流電圧駆動時において、最高輝度7250cd/m^2、の黄色発光を、またGa_2O_3含有量を70mol.%とした((Y_20_3)_<0.3>-(Ga_20_3)_<0.7>):Mn薄膜EL素子では、最高輝度1258cd/m^2、の緑色発光をそれぞれ実現できた。
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南 雅之, 三島 啓以, 川西 光宏, 三浦 登, 松本 皓永, 中野 鐐太郎
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-12
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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II-II-S固溶体を母体としたエレクトロルミネッセンス(EL)用の赤色蛍光体材料としての可能性を探る為に、A-S(A=Ca,Sr,Ba)化合物蛍光体のMg、Zn添加効果について検討した。Ca_<0.8>Mg_<0.2>S:Eu、Sr_<0.6>Mg_<0.4>S:Eu、Ba_<0.6>Zn_<0.4>S:Eu蛍光体はフォトルミネッセンス(PL)ピーク波長がそれぞれ666nm、619nm、650nmであり、添加していないものに比べ、PL強度がそれぞれ約4倍、5倍、4倍となった。
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三島 孝介, 三浦 登, 松本 皓永, 中野 鐐太郎
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-13
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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エレクトロルミネッセンス(EL)用蛍光体としてZnAl_2S_4:Mn^<2+>, MgAl_2S_4:Mn^<2+>を作製した。作製した蛍光体からはそれぞれピーク波長600nm,605nmの橙色PL発光が得られた。また、二源パルス電子ビーム蒸着法を用いてMgAl_2S_4:Mn^<2+>薄膜を作製し、基板温度、熱処理温度を変化させ、成膜条件を検討した。この結果を基に、MgAl_2S_4:Mn^<2+>を発光層に用いてEL素子を試作したところピーク波長610nmの橙色発光が得られた。最高輝度は、1kHz正弦波駆動で118cd/m^2であった。CIE色度座標は、(x=0.584,y=0.410)である。
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小野 義明, 川西 光宏, 三浦 登, 松本 皓永, 中野 鐐太郎
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-14
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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色度値の非常に優れた高輝度緑色発光electroluminescent (EL)素子を開発した。緑色蛍光体は、Eu^<2+>添加IIa-IIIb_2-S_4族蛍光体のなかから探索した。作製した蛍光体のなかで、CaAl_2S_4:Euが最も純度の優れた緑色photoluminescence (PL)を示した。2源パルス電子ビーム蒸着法によりCaAl_2S_4:Eu electroluminescent (EL)素子の作製を行った。最高輝度は、1kHz正弦波駆動で4,000cd/m^2を超え、CIE色度座標はx=0.121、y=0.670であった。
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三宅 亜紀, 中村 高遠, 東 直人, 青木 徹, 小南 裕子, 中西 洋一郎, 畑中 義式
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-15
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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Si基板上にまずZnSエピタキシャルを作製し、それを酸素中で熱処理することによってZnOエピタキシャル薄膜を作製する。その際に起こっている酸化過程をギブスの自由エネルギーを用いて熱力学的に検討を行った。さらにZnSの粉末を用いてTG-DTA測定を行い、実際の酸化反応の過程と比較して検討を行った。熱力学的な計算とTG-DTA測定から、酸化過程の主反応はZnSからZnOへの直接的な一段階反応であり、ZnS+3/2O_2→ZnO+SO_2、ZnS+2O_2→ZnO+SO_3、ZnS+1/2O_2→ZnO+1/2S_2のいずれかが主反応であることが示された。
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清水 克美, 中村 篤志, 青木 徹, 天明 二郎
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-16
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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ジエチルジンク(DEZn)と0_2ガスを原料とする水素ラジカル励起リモートプラズマMOCVD法により、a面サファイア基板にc面ZnO薄膜を成長した。rfホロカソードジェトタイプのプラズマ生成部で生成された水素ラジカルは、原料であるジエチルジンクを低温で分解するために用いた。この方法を用いて、基板温度300℃でa面サファイア上にc軸配向したZnO薄膜を作製した。また、ラジカル原料である水素と酸素原料の流量比を変化させることにより、PLスペクトルの欠陥準位からの発光を低減できることがわかった。
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中村 篤志, 清水 克美, 青木 徹, 田中 昭, 天明 二郎
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-17
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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リモートプラズマMOCVD法により酸素プラズマを用いてジエチル亜鉛(DEZn)からZnOを成長させた。有機原料DEZnのキャリアガスとして水素と窒素を用いた場合、ZnOの成長速度に違いがみられ、水素キャリアを用いた場合に成長速度が大きくなった。また、水素ガス流量とプラズマ酸素流量の割合によっても成長速度が変化した。結晶成長時のプラズマ発光スペクトルを測定した結果から、酸素プラズマと水素ガスによる相互作用による成長機構を提案した。
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松井 宏樹, 青木 徹, 天明 二郎, 畑中 義式
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-18
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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緑色発光デバイスを目指してn型のZnTe系単結晶薄膜を得ることとバンドの制御を目的としてリモートプラズマ励起MOCVDによりZnTeおよびZnSe_xTe_<1-x>薄膜を成長した。良好なZnTe薄膜が得られたが、ドーパントとしてVII族原料のn-BtIを用いてn型ZnTe薄膜の作製を試みたが抵抗率の大きな変化は確認することができなかった。一方、II族原料のDEZnを一定にしVI族原料のDESe及びDETeの比を変化させることにより全範囲で任意の組成比xを持つZnSe_xTe_<1-x>薄膜を成長することができた。ZnSe_<0.2>Te_<0.8>薄膜においてヨウ素ドーピングを試みたところ、n型として低抵抗化し、ZnSe_xTe_<1-x>混晶はバンド制御のみでなくn型化においても有効であることがわかった。
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原 和彦, 奥山 絵里, 米村 淳
原稿種別: 本文
セッションID: IDY2003-19
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
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二段階気相法の粒子成長過程において、不純物原料としてTb、Tm、ZnSを用い、これらをGaClと同時に供給することにより、GaN粉体へのTb、Tm、およびZnのドーピングを達成した。不純物濃度は、それぞれ6×10^<19>、4×10^<20>、1.5×10^<20>cm^<-3>であった。これらの試料のうち、GaN:TbはTb^<3+>イオンの内殻遷移によるフォトルミネッセンス(PL)を示した。GaN:Znについては、NH_3雰囲気中、1000℃でアニールを行うことにより、Znを発光中心とする青色のPLを示した。
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原稿種別: 付録等
p.
App1-
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
フリー
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原稿種別: 付録等
p.
App2-
発行日: 2003/01/27
公開日: 2017/09/20
会議録・要旨集
フリー