エレクトロニクス実装学会誌
Online ISSN : 1884-121X
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13 巻, 3 号
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巻頭言
特集／ナノマイクロ空間を用いたバイオセンシングデバイス
研究論文
  • PbフリーBGAはんだ接続部の衝撃耐性評価手法の確立（第1報）
    衝撃破断モードの基板ひずみ依存性の検討
    矢口 昭弘, 谷江 尚史, 中 康弘, 山本 健一, 木本 良輔, 大野 信忠
    原稿種別: 研究論文
    2010 年13 巻3 号 p. 204-212
    発行日: 2010/05/01
    公開日: 2010/12/25
    DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.13.204
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    製造工程内や携帯機器使用時の落下などの衝撃負荷によるPbフリーBall Grid Array（BGA）はんだ接続部の破壊挙動を検討するため，21 mm角BGAパッケージプリント配線板実装試験片について，衝撃耐性試験とはんだ接続部の詳細な破断モード観察を行った。BGAはんだ接続部の衝撃耐性はロッド落下式の衝撃試験装置で測定した。Pbフリーはんだ接続部衝撃耐性には基板ひずみ周期依存性があること，および，基板ひずみとはんだ接続部破断寿命との関係で示した衝撃耐性が破断寿命の長短によって異なる傾向を示すことを明らかにした。この衝撃耐性の傾向の違いは，はんだ接続部破断モードの違いに依存している。基板ひずみが高い低寿命域では接続界面に生成される金属間化合物層破断となるのに対して，高寿命域では，はんだ母材に発生したき裂が金属間化合物層に進展して破断する。破断モードを試験条件ごとに観察し，PbフリーBGAはんだ接続部破断モードの基板ひずみ最大値と基板ひずみ周期依存性を明らかにした。
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  • 三次元実装用貫通電極の高速めっき技術
    門田 裕行, 菅野 龍一, 伊藤 雅彦, 大貫 仁
    原稿種別: 研究論文
    2010 年13 巻3 号 p. 213-219
    発行日: 2010/05/01
    公開日: 2010/12/25
    DOIhttps://doi.org/10.5104/jiep.13.213
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    電解銅めっきによるViaの貫通電極形成技術は，三次元実装技術のキープロセスである。本研究では，めっき時間の短縮を目的として開発した新コンセプトめっき装置を用いることにより，10 μm，アスペクト比7.0の貫通電極にCuを完全に埋め込むためのめっき時間を，従来法に比べ最大約60%低減できるめっきプロセスを開発した。得られたCu貫通電極の微細構造および抵抗率は従来法のそれとほぼ同等であることがわかった。
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講座「最新の分析・計測技術」第1回
研究室訪問
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