本研究では，オーミックコンタクト型MEMSスイッチのスティクション防止膜として，低表面エネルギの自己組織化単分子膜（SAM）を形成する導電性有機化合物であるチオフェノール，および2-ナフタレンチオールを提案し，それらを成膜した試料を準備して，MEMSスイッチの電極と（同程度の大きさ）のティップレスカンチレバーによる湿度環境下での表面間力測定を行い，シリコン酸化膜，金薄膜試料の結果と比較した。その結果，それらSAMは毛管力の発生を防止し，金薄膜と比べてファンデルワールス力も約60%低減できることが示された。また，表面粗さをRMS値で1 nm程度とすることで表面間力は100 nN以下となることを確認した。

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多層配線板の層間導通用VIAホールをCO₂レーザにより加工した場合，課題のひとつとして，内層回路上にスミアと呼ばれる薄く樹脂が残存することが挙げられる。この残存樹脂は導通不良を引き起こす原因となる。通常，2 μm以上の残存樹脂がある場合には，レーザ加工後の化学的処理では除去することが困難となる。そこで本研究では，この課題を解決する新たなレーザ加工インプロセスモニタリング技術を開発した。レーザ加工時に内層回路表面の酸化銅の還元反応によって生じる発光を検出し，その強度から内層回路上に残る樹脂量を判定する。その結果，レーザ照射パルス数を制御することで，内層回路上の残存樹脂を2 μm以下に管理することができる。この技術を用いることで，VIAホールの導通信頼性を高めた加工システムを提供することができる。

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スタブを用いることで減衰極が実現可能なバンドパスフィルタ（BPF）が種々提案されている。しかし，スタブによって得られる減衰極を効果的に用いるためには試行錯誤により減衰極の実現周波数を設定する必要があった。そこで，本論文では楕円関数特性を用いることで，減衰極周波数を指定することができ，さらに通過帯域近傍の阻止域における阻止レベルをも議論可能なBPFについて検討を行った。提案のBPFは電磁界シミュレーションおよび試作によって特性を評価した。また，検討では，1および3段目の共振器の選択により，通過帯域近傍の阻止域において一般的な楕円関数特性以上の阻止レベルが実現できることも併せて確認した。

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われわれはAuワイヤボンディング可能な無電解Ni/Pd/Auめっきを半導体実装用基板に採用し，従来の電解Ni/Auめっきと同等のはんだボール接続部の耐衝撃性を確保してきた。本報告では，この技術を20 μmより狭い配線間隙をもつ次世代基板に適用するため，高速度はんだボールシア試験法を用いて耐衝撃性を確保できる無電解Niめっき皮膜の下限値を検討した。Sn–3Ag–0.5Cuのはんだボールを用い，ピーク温度252℃の窒素リフロー7回，または空気中150℃，1,000 hの熱処理での無電解Niめっき皮膜の下限値は1 μmであった。また，携帯機器の落下試験で生じる不良と同様の界面破壊の原因は，端子とはんだの界面近傍のボイドの形成と，金属間化合物の結晶粒の微細化であることを見いだした。

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微細配線やワイヤボンディング用パッド形成に適用可能な，金属ナノ粒子ペーストのレーザ焼結に関する研究開発を進めた。平均粒径5 nmの銀ナノ粒子ペーストを用い，バルク構造に近い機能性膜を得るためには，レーザ焼結前に溶媒除去を目的とした加熱処理が必要であること，ペーストに対して吸光度の低い連続波近赤外レーザ光を照射して基板側から焼結させること，高分子保護膜を離脱させるための加熱時酸素を必要としないこと，などを明らかにした。銅基板やポリイミド基板上への微細配線形成では，90℃−0.5R曲げ戻しピール試験に耐える基板との高い密着強度が得られ，また，約4.8 μΩ·cmの比抵抗値を示す導電膜が形成された。銅基板や銅リードフレーム上へのワイヤボンディング用パッド形成に関しては，マルチステップ印刷法の採用により，膜厚2～3 μmの焼結膜形成が可能となった。ボンディング後の金ワイヤのプル強度もめっき膜と同等であることを確認した。

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