電磁波を吸収・発熱する電磁波吸収幕を用いた電磁界強度分布測定装置を開発した。電磁界の強度に応じて生じる幕の温度上昇を赤外線カメラで測定することで，2次元電磁界強度分布を，測定対象電磁界を乱すことは少なく測定できる。そこで，本論文では，開発した装置により回路近傍の電磁界を測定した。AC–DC変換器近傍の3次元電磁界強度パターン，および，高周波回路に生じる定在波により形成される電磁界や，実装したフィルタ素子の周辺の電磁界分布を観測した。このような情報は回路の設計・評価に有用であり，開発した装置は回路の電磁環境調査に有効であることを示す結果が得られた。

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SiCパワーデバイスをNi(P)拡散バリア付きの配線基板（Si₃N₄/Cu/Ni(P)）上にAu–Geはんだで接合させた後，300°C以上の高温保持状態に置くと，Ni(P)拡散バリアのNiがAu–GeはんだのGeと反応し，はんだとNi(P)の界面にNiGe，Ni₅Ge₃およびNi₃Pの金属間化合物が生成することがわかった。Ni₅Ge₃金属間化合物は成長が速く，パワーデバイスの接合強度を著しく低減させる。これを防ぐため，Si₃N₄/Cu/Ni(P)配線基板の表面にスパッタ法で約200 nm厚みのTa/TaN/Ta拡散バリアを形成することで，SiC–SBDパワーデバイスの高温接合信頼性を改善することができた。330°C，1,600 h高温保持試験後，デバイスの接合強度はほぼ低下することなく，50 MPa以上を維持した。接合を含むデバイスの電気抵抗は低い数値で変化が見られなかった。また，Ni(P)/Ta/TaN/Ta拡散バリアは−40–300°Cの冷熱サイクル条件下においても剥離などは観察されなかった。

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In this paper, we examined the effectiveness of multi-valued transmission as a crosstalk reduction technique. In multi-value transmission, 4-value transmission is the most effective for crosstalk reduction. In addition, using a S-G-S micro-strip line that set up a grand line between single lines showed clearly that crosstalk reduction is possible, without decreasing the slew rate.

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