電子機器からのEMIを抑制する実用的なプリント配線板を得ることを目的に調査し，EMI試験条件を考慮した配置にてケーブルの接続された基板を対象とすると，放射要因のコモンモード電流が基板配線とケーブルの平衡度不整合で生じることを示した。また，基板配線による影響の評価が難しいコモンモード発生に対し，CMRR (Common Mode Rejection Ratio)を平衡度評価の指標とし，Faraday CageとネットワークアナライザによるCMRRの測定方法を提案した。接続するケーブルの平衡度に整合した基板配線パターンを設計することで，コモンモード電流を抑制しEMI対策部品を削減できることが期待される。

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本研究の第1報において，Interstitial Via Hole (IVH)の熱疲労寿命に対して組み合わさって影響する変動要因を明らかにした。本報では，その要因の組み合わせが熱疲労寿命に影響するメカニズムを検討した。本研究における変動要因は，Printed Wiring Board (PWB)の製造工程のうちガラスクロスの積層工程に起因した積層されたガラスクロスの積層状態の違いと，IVHの穴加工工程に起因したある積層状態のガラスクロスに対するIVH形成位置の違いである。これらの変動要因の組み合わせが熱疲労寿命に影響するメカニズムは，IVHに対するガラス繊維の拘束の強さの違いによって説明できることを明らかにした。また，そのメカニズムに基づいて，変動要因の特徴的な組み合わせをパターン化し，そのパターンを用いてIVHの熱疲労寿命の変動を制御する設計の考え方を示した。

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本研究では，Bi-Sn共晶合金の低サイクル疲労特性におよぼす温度およびひずみ速度の影響について精査した。Bi-Sn共晶合金の低サイクル疲労寿命は，通常の金属材料とは異なり，温度の上昇および速度の低下に伴い向上する。温度の上昇および速度低下に伴い粒界すべり変形が支配的となり，Manson-Coffin則の切片である疲労延性係数が増加する。この疲労延性係数の増加により低サイクル疲労寿命が向上する。本研究の範囲内では，Bi-Sn共晶合金の低サイクル疲労特性におよぼす温度および速度の影響は，Z-parameterを用いて修正したManson-Coffin則で表現できることがわかった。

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A wire bond-less SiC power module with sandwich structure is proposed for use in high-temperature devices. The module is composed of two SiC-transistors and two SiC-diodes, which are sandwiched between two ceramic circuit boards. The devices are bonded on the circuit boards using a sintered material (submicron Au paste) with a precise alignment (within ±5 μm) and height control (within ±7 μm). These two circuit boards are soldered with Au-12%Ge solder, resulting in a structured sandwich module within a tilting level of 15 μm/11-mm-substrate. No damage is observed on the devices and internal connections in the module even after 500 cycles of a thermal cycling test (-40°C~250°C).

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