AuとIn-Sn系はんだによるマイクロ接合部の界面反応を調べるために, AuとSn-27InおよびSn-20Inの拡散対を用いて熱処理を行い, 反応層の成長過程および成長則を明らかにした。はんだ材の融点以下の固相反応においては, いずれのはんだ材の場合にも, 界面部には初めにAuIn
2, Au
7In
3, AuInなどのAu-In系の金属間化合物が生成し成長する。さらに熱処理を続けると, 界面部にはAu-Sn系の金属間化合物層が生成し, それに伴いAu
7In
3およびAuIn層は消滅する。一方, はんだ材の融点以上の温度の523Kで熱処理をした場合には, 熱処理時間60sで界面部にはすでにAu-Sn系の化合物層が生成することが明らかとなった。
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