電子パッケージの機械的・電気的信頼性を確保するためには，電子パッケージ中のひずみや応力を適切に見積もることが必要不可欠である。本論文では，電子パッケージのひずみ計測手法として，X線CT画像と位相シフトサンプリングモアレ法を用いる新たな手法を提案する。その際，X線撮像時の計測位置のずれに起因する見かけのひずみを校正する手法も併せて示す。提案手法をQFPの樹脂封止に起因するチップ上の残留ひずみの評価に適用し，有限要素法解析結果との比較から提案手法の有効性を示す。

データセンター市場におけるQSFP28 AOCの低コスト化と量産要求を満足するために，既に開発を行った10 Gb/s × 12 ch送信／受信光モジュールと14 Gb/s × 4 ch光トランシーバモジュールの部品を一部共通化し，組立設備を共有でき，安価なOM2ファイバを用いることができる1,060 nm VCSELを用いた28 Gb/s × 4 ch光トランシーバモジュールを開発した。28 Gb/sに対応するために専用デバイスと新規に設計された基板が必要であるが，光学系と放熱構造の特性を検証することで，それ以外の部品は共通化可能である。光学特性を検討した結果，許容可能な光軸ずれは14 Gb/s × 4 ch光トランシーバモジュールと同様に±10 μmであり，光学結合系を共通化できることを明らかにした。放熱特性の検討では，光モジュールの消費電力は14 Gb/s × 4 chから28 Gb/s × 4 ch にすることで0.5 Wから0.9 Wに上昇するが，動作環境下において使用デバイスは十分に仕様温度範囲内にあることを明らかにした。光モジュールのループバックテストの結果，最高ケース温度75°Cにおいて，BER = 10^–12において，0.4 U.I以上のジッタマージンを確保した。次に，光モジュールをPCBにはんだ実装してOM2ファイバと共にQSFP28 AOCに組込み，両端から双方向の信号評価を行った結果，ハウジング温度70°Cの動作環境下において，全てのチャンネルが0.4 U.I.以上のジッタマージンを確保することを確認した。これにより，28 Gb/s × 4 chトランシーバモジュールを組み込んだQSFP28 AOCはデータセンターアプリケーションに適用できることが明らかになった。

パワー半導体パッケージの放熱性能向上を目的として，厚板Cu配線セラミックス基板の開発が推進されている。本報では，高温実装時の熱反り変形の把握を目的として反り測定と応力解析を実施し，厚板Cu配線セラミックス基板では従来の薄板Cu配線セラミックス基板と異なる熱反り変形が生じ，回路用の溝との直交方向，平行方向いずれにおいても従来よりも熱反り量が増大することを明らかにした。さらに，その変形メカニズムがセラミックスとCuの剛性の関係に起因することを解明し，熱反りの増大が厚板Cuセラミックス基板特有の現象であることを明らかにした。そして，解明したメカニズムを考慮した応力解析によって熱反り量を推定できることを示した。

In recent years, hybrid vehicles, which use advanced electronic controls, are increasing. As the Engine Control Unit (ECU) has come to be mounted in the engine compartment, solder cracking resulting from the stress due to the mismatching CTE (Coefficient of Thermal Expansion) between electronic and PCB has become an issue. Low elastic modulus material was developed to solve this issue.

Low elastic prepreg has a low elastic modulus and high elongation, and also has high reliability properties in CAF (Conductive Anodic Fliament) and heat resistance. Low elastic modulus material applied to the surfaces of PWBs of standard FR-4 material inhibits solder cracking, absorbing the soldering stress.