次世代パワー半導体のサーマルマネージメント技術として,200°Cを超える高温環境下での熱伝導率を正確に測定する評価方法の開発と基準の標準化が求められている。本研究では,カートリッジ方式一方向熱流定常比較法を発展させた新たな熱伝導率測定装置を開発し,半導体モジュールの絶縁基板を構成するセラミックス,高熱伝導金属素材(銀接合層や銅基板)やTIMの熱伝導率を精度良く測定するための基準を探索した。その結果,測定する際のカートリッジ部の試験片温度差と均熱度が熱伝導率の測定精度に大きく関わり,これら伝熱パラメータを制御することで熱伝導率測定の良否判定を行う際の指標になり得る事を見出した。
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