差動伝送用メタルケーブルの対内スキューを低減するため，ケーブル伝送特性の時間応答解析を行った。その結果，対内スキューは二芯の対称性に関係するパラメータ，差動・同相モードの振幅比，差動・同相モードの伝搬時間差の三要素の積で決定付けられていることを明らかにした。二芯一括被覆構造についても解析したところ，差動・同相モードの伝搬時間差が小さく，対称性が悪化しても対内スキューが増大しにくい構造であることを確認した。実際にケーブルを試作し，対内スキューの分布を測定したところ，従来構造の11.5 ps/m 以下に対し，二芯一括被覆構造では6.2 ps/m 以下に抑えられることを確認した。

硫化腐食障害が予想される環境で電子機器を安定稼働させるために，搭載電子部品の防食対策としてコーティング処理の有効性を検討した。電子部品の硫化腐食挙動はコーティング膜の硫黄ガス透過性に依存することを明らかにし，コーティング膜のガス透過試験法，およびガス透過性を考慮した硫化腐食寿命の推定法を確立した。硫化腐食感受性の高いチップ抵抗器を対象に，ガス透過試験により算出した拡散係数と溶解度係数を用いて，その硫化腐食寿命を推定した。さらにこの推定結果に基づき，設計寿命を満足するコーティング膜厚を求めるための防食設計線図を作成した。

本論文では，プリンタブルエレクトロニクスでよく用いられるピエゾインクジェットの内部で起きている現象を「線形現象」と「非線形現象」に分け，その動作領域は通常線形だが場合によっては非線形にもなり得る領域であることを明らかにした上で，非線形現象については，素子モデリングを利用して等価回路中に入れ込む手法により，吐出速度の実測結果に合った計算結果を得た。これにより，インクジェット内部における非線形現象は，オリフィス近傍における流れに対する音響抵抗の揺動を伴った二次関数的増大に起因する可能性を初めて提起することができた。

チップレベルのダイレクトボンディング実用化の障害になっていたSiチップ上の異物除去法の検討を行った。ダイシング後にSiチップに付着している異物は，主にSi切削屑および有機物異物であり，これらは，水素水とワイピングを併用する洗浄法で除去可能なことを明らかにした。

Due to the demand for high-speed performance, 2.n/3D packaging is being developed. Silicon interposer plays an important role in 3D packaging. However, it is not widely used because of its high cost. Therefore, attention has been paid to using glass as a base material instead of silicon.

We have developed a metal oxide adhesion layer that enables wet chemical Cu metallization on glass. The adhesion layer is formed as a smooth and ultra-thin film (about 5–10 nm) by dip-coating. In addition, it has high peel strength of 4 N/cm or more and enables fine line formation (L/S = 9/9 μm), uniform conformal plating, and filling plating. Therefore, this process shows potential for use with glass interposer and glass substrate.