日本結晶成長学会誌

表紙

原稿種別: 表紙
2004 年 30 巻 5 号 p. Cover1-
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_Cover1

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日本結晶成長学会定款

原稿種別: 付録等
2004 年 30 巻 5 号 p. App1-
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_App1

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目次

原稿種別: 目次
2004 年 30 巻 5 号 p. Toc1-
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_Toc1

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奥付

原稿種別: 目次
2004 年 30 巻 5 号 p. Toc2-
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_Toc2

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複写される方に

原稿種別: 目次
2004 年 30 巻 5 号 p. Toc3-
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_Toc3

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編集委員

原稿種別: 目次
2004 年 30 巻 5 号 p. Toc4-
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_Toc4

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CONTENTS

原稿種別: 目次
2004 年 30 巻 5 号 p. Toc5-
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_Toc5

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Notice about photocopying

原稿種別: 目次
2004 年 30 巻 5 号 p. Toc6-
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_Toc6

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Editorial Committee

原稿種別: 目次
2004 年 30 巻 5 号 p. Toc7-
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_Toc7

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科研費の季節

日比谷孟俊

原稿種別: 本文
2004 年 30 巻 5 号 p. 355-
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_355

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「最先端デバイスと科学技術」小特集にあたって(<小特集>バルク成長分科会特集-最先端デバイスと科学技術-)

柿本浩一, 日比谷孟俊

原稿種別: 本文
2004 年 30 巻 5 号 p. 356-
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_356

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シリコン単結晶成長に関する最近の数値シミュレーション技術と熱物性値(<小特集>バルク成長分科会特集-最先端デバイスと科学技術-)

塚田隆夫, 水戸光将, 宝沢光紀, You-Rong Li, 今石宣之

原稿種別: 本文
2004 年 30 巻 5 号 p. 357-363
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_357

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In single crystal growth of silicon, it is important to acquire correct knowledge about momentum, heat and mass transfers in the crystal growth furnace and then to control them, because the quality of crystals is closely related to the transport phenomena in the furnace. Numerical simulation is one of the methods to understand the phenomena in the furnace, and recently there has been much interest in the calculation of melt convection and global analysis of heat transfer in the furnace. Particularly, since the growth of larger single crystals generates turbulent melt convection, most of the studies focus on accurate modeling of turbulence in the melt to understand the melt convection in the real crystal growth process. Here, the recent studies on numerical simulations of silicon single crystal growth by the Czochralski and floatingzone methods are introduced, and also the values of thermophysical properties used in these numerical studies are investigated. Moreover, being based on the sensitivity analysis of the thermophysical properties by using the global model of the CZ furnace in addition to the survey of properties, the necessity of the standard data for thermophysical properties is discussed.

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シリコン単結晶成長プロセスの数値シミュレーションに要求される熱物性値(<小特集>バルク成長分科会特集-最先端デバイスと科学技術-)

福山博之, 塚田隆夫, 渡邉匡人, 田中敏宏, 馬場哲也, 日比谷孟俊

原稿種別: 本文
2004 年 30 巻 5 号 p. 364-369
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_364

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Thermophysical properties required for numerical simulation of silicon crystal growth processes have been investigated from Japanese silicon wafer producers. Results from the survey are presented for molten silicon, crystalline silicon and refractory materials. Thermal transport properties such as thermal conductivity of both melt and crystal are greatly important. Mechanical properties such as elastic constant of the crystal are required especially at high temperatures. Thermal transport properties of refractory materials are also essential for the global analysis of heat transfer in the furnace. However, refractory data have been kept confidential.

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先端デバイス開発におけるSOI基板への期待(<小特集>バルク成長分科会特集-最先端デバイスと科学技術-)

小椋厚志

原稿種別: 本文
2004 年 30 巻 5 号 p. 370-378
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_370

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SOI (Si-on-insulator) substrate is one of the key materials to promote Si LSI performance in the "post-scaling era". Right after SOI devices were emerged in the market, many advanced SOI structures such as ultra-thin SOI, patterned-SOI, FinFET, and strained-SOI have been proposed. In this paper, we demonstrate our recent study on the evaluation of ultra-thin SOI and the formation of high-quality patterned-SOIs by Light Ion Implantation technique. We also describe recent progress in FioFET and strained-SOI, and discuss about the expectation for SOI substrates to realize them.

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窒素ドープ結晶利用によるSIMOXウェーハの高品質化(<小特集>バルク成長分科会特集-最先端デバイスと科学技術-)

佐々木勉, 川村啓介, 高山誠治, 前田哲男, 長竹洋一, 松村篤樹

原稿種別: 本文
2004 年 30 巻 5 号 p. 379-385
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_379

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High quality SIMOX wafers, one of silicon-on-insulator (SOI) materials, are produced with combined two technologies, low-dose oxygen implantation and the internal thermal oxidation (ITOX) annealing. Basic features of low-dose ITOX-SIMOX technology, such as excellent layer thickness uniformity and improvement of buried oxide (BOX) quality by ITOX process, will be reviewed. Further quality improvement has been achieved by incorporating nitrogen doped (N-doped) Czochralski (Cz) silicon as a starting substrate for low-dose ITOX SIMOX process. Surface pits due to crystal originated particles (COPs), which are void defects existing in as-grown CZ, can be eliminated with N-doped CZ silicon. The impact on gate oxide integrity (GOI), which is one of important indicators of surface quality, has been also investigated for ITOX process and types of stating substrate. It is demonstrated that ITOX-SIMOX wafers with starting substrate of N-doped CZ silicon exhibit superior GOI.

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表面分析によるL-アラニン結晶成長への添加物作用機構の解明

小川薫, 今井潤, 本城幸, 趙彬, 清水健司

原稿種別: 本文
2004 年 30 巻 5 号 p. 386-393
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_386

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The effect of L-methionine additive on the crystal growth of L-alanine crystal was investigated by atomic force microscope (AFM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and time of flight-secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS). The crystal was grown in the presence of L-methionine (5 mol % with respect to L-alanine concentration) at a supercooling ΔT=2K. The growth rate of (120) face was almost suppressed and that of (011) face was only relatively inhibited. The surface topography of each face was also observed by AFM and they showed to be different. From the XPS depth profile results, sulfur atoms were detected only outer surface of the (120) face, but in the case of (011) face, sulfur atoms were detected not only outer surface but also in side of the crystalline lattice. In addition, from the TOF-SIMS results, L-methionine molecule and L-alanine molecule were dotted each other on the surface of (011) face, but in the case of (120) face, L-methionine molecule was present only on local part of surface, on which L-alanine molecule won't. It was considered that L-methionine molecule which exist in outermost surface of (120) face hinder the growth of that face of L-alanine and that which exist in the surface of (011) face don't prevent the growth. The difference of growth suppression effect on each face by L-methionine additive was confirmed by XPS analysis and TOF-SIMS analysis.

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第33回結晶成長国内会議(NCCG-33)特別講演会について

原稿種別: 付録等
2004 年 30 巻 5 号 p. 394-
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_394

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タンパク質結晶化の自動化の試み : タンパク質結晶をより理論的に進める道はあるか?(第33回結晶成長国内会議特別講演会)

菅原光明, 仲村勇樹, 黒石千寿, 浮田陽子, 岡崎伸生, 粂井麻希, 田中智之, 小林正則, 高秀幸, 宮野雅司

原稿種別: 本文
2004 年 30 巻 5 号 p. 395-397
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_395

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窒化物半導体 : これまでの発展と,将来への期待(第33回結晶成長国内会議特別講演会)

赤崎勇

原稿種別: 本文
2004 年 30 巻 5 号 p. 398-407
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_398

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かつて高品質結晶の作製が絶望視されていたGaN系窒化物半導体は,近年低温堆積緩衝層技術の開拓によって結晶品質の劇的な改善が達成された.その結果,"p型伝導"の実現をはじめ,n型伝導度制御の達成,さらに量子効果に関する成果を導き,高効率青色,緑色,白色発光ダイオード,長寿命青紫色半導体レーザ,ヘテロ接合型電界効果トランジスタ,低雑音紫外線検出器といった新規の高性能デバイスの実現に繋がった.これらの窒化物半導体デバイスは極めて堅牢であり,苛酷な環境においても動作可能である.同時に,それらの多くは省エネルギー,省資源に大きく寄与できる.環境にもやさしい窒化物半導体およびデバイスのさらなる発展は,将来の社会に多大な貢献をなしうるものと考えられる.ほとんどの研究者が撤退する中,30年以上苦闘し続けてきた筆者にとって,現在の窒化物半導体分野のこのような盛隆をみるとき,たいへん喜ばしくもあり,同時に隔世の感がある.

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完全結晶の成長(第33回結晶成長国内会議特別講演会)

西澤潤一, 小山裕

原稿種別: 本文
2004 年 30 巻 5 号 p. 408-416
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_408

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Aspects of perfect crystal growth in semiconductors are reviewed. This article contains our successful results on vapor phase epitaxy including photo epitaxy and epitaxy in UHV (molecular layer epitaxy). It is shown that the chemical reaction and kinematical aspects are important for the achievement of perfect crystal growth. Stoichiometry control issues in compound semiconductors are also shown in bulk crystal growth and LPE.

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フライブルグ大学K.W.Benz教授退官記念コロキューム(閑話休題)

西永頌

原稿種別: 本文
2004 年 30 巻 5 号 p. 417-418
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_417

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掲示板

原稿種別: 付録等
2004 年 30 巻 5 号 p. 419-423
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_419

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日本結晶成長学会誌第30巻(2003年)総合目次

原稿種別: 目次
2004 年 30 巻 5 号 p. 424-426
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_424

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Cumulative Article Index of Volume 30 (2003)

原稿種別: 目次
2004 年 30 巻 5 号 p. 427-429
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_427

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編集後記

原稿種別: 付録等
2004 年 30 巻 5 号 p. 430-
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_430_1

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編集委員

原稿種別: 付録等
2004 年 30 巻 5 号 p. 430-
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_430_2

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日本結晶成長学会入会のご案内

原稿種別: 付録等
2004 年 30 巻 5 号 p. App2-
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_App2

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裏表紙

原稿種別: 表紙
2004 年 30 巻 5 号 p. Cover2-
発行日: 2004/01/15
公開日: 2017/05/31

DOIhttps://doi.org/10.19009/jjacg.30.5_Cover2

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