日本物理学会年会講演予稿集

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後続誌

21.3

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表紙

原稿種別: 表紙
p. Cover1-
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_Cover1

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目次

原稿種別: 目次
p. _3-i_-_3-xiii_
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0__3-i_

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スパッタリング現象 : 薄膜真空シンポジウム : Sputtering

中井順吉

原稿種別: 本文
セッションID: 31a-B-1
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_1

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スパッター膜の構造 : 薄膜真空シンポジウム : Sputtering

岡本英一

原稿種別: 本文
セッションID: 31a-B-2
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_8

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グロー放電スパッタ : 薄膜真空シンポジウム : Sputtering

小野寺大, 光岡洸, 佐藤透

原稿種別: 本文
セッションID: 31a-B-3
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_12

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W表面上のAg蒸着薄膜 : 表面物理・薄膜

菅田栄治, 武田憲治郎

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-K-1
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_16

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タングステン表面上へのセシウムの吸着 : 表面物理・薄膜

菅田栄治, 黒田司

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-K-2
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_17

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酸化タングステン表面へのGeの蒸着 : 表面物理・薄膜

菅田栄治, 金鉉佑, 笠木訓典

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-K-3
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_18

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タングステンとCOの相互作用 : 表面物理・薄膜

千崎清司, 佐藤美恵子, 川崎弘司

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-K-4
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_19

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電子衝撃によるMo上のCOの研究 : 表面物理・薄膜

菅田栄治, 金鉉佑, 石井栄

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-K-5
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_20

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チタン蒸着膜におけるCO_2の吸着 : 表面物理・薄膜

杉田利男, 海老沢重雄, 渡辺二郎, 川崎弘司

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-K-6
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_21

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酸化亜鉛粉体からの気体の熱脱離 : 表面物理・薄膜

渡辺英夫, 和田正信, 高橋正

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-K-7
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_22

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SiO蒸着膜のガス吸着性 : 表面物理・薄膜

植松滋幸, 坂中玄史

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-K-8
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_23

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SiO蒸着膜のESR : 表面物理・薄膜

植松滋幸, 下地貞夫, 新居宅壬, 坂中玄史

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-K-9
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_24

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電着強磁性薄膜の強磁性共鳴吸収 : 表面物理・薄膜

前田正雄, 武笠幸一

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-K-10
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_25

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縞状磁区薄膜とSDR : 表面物理・薄膜

長谷川英機, 石川孝夫, 神山雅英

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-K-11
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_26

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弗化物蒸着膜(BaF_2蒸着膜) : 表面物理・薄膜

三浦千三, 長沢英郎, 武田義章, 堀場鉚一朗

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-K-12
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_27

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Stain Filmの光化学反応 : 表面物理・薄膜

谷口一郎, 竹岡清, 山崎瞬平, 堀江弘宣, 岡本朋英

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-K-13
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_28

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金属薄膜のゲージ率 : 表面物理, 薄膜

西村秋典, 桑原改造

原稿種別: 本文
セッションID: 4a-C-1
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_29

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アドバンス蒸着膜IV : 表面物理, 薄膜

井上太郎, 矢野正, 三森照彦

原稿種別: 本文
セッションID: 4a-C-2
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_30

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真空蒸着法による酸化錫膜(4) : 表面物理, 薄膜

服部能之, 服部倭子

原稿種別: 本文
セッションID: 4a-C-3
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_31

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金属蒸着膜の電気伝導機構 : 表面物理, 薄膜

難波義捷

原稿種別: 本文
セッションID: 4a-C-4
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_32

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島状構造を持つ薄膜の電気特性 : 表面物理, 薄膜

難波義捷, 毛利敏夫, 立川道雄

原稿種別: 本文
セッションID: 4a-C-5
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_33

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Sb蒸着膜 : 表面物理, 薄膜

篠原敏典, 富樫富隆

原稿種別: 本文
セッションID: 4a-C-7
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_34

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ビスマス蒸着膜のピエゾ抵抗効果 : 表面物理, 薄膜

小池龍太郎, 黒川浩幸

原稿種別: 本文
セッションID: 4a-C-8
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_35

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W蒸着薄膜の特性 : 表面物理, 薄膜

吉田洪二, 河村孝夫, 竹野下寛

原稿種別: 本文
セッションID: 4a-C-9
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_36

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NiCr蒸着膜のホトエッチング : 表面物理, 薄膜

本田進, 田中哲夫, 小川長而

原稿種別: 本文
セッションID: 4a-C-10
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_37

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Ti蒸着膜の電気的特性(III) : 表面物理, 薄膜

難波進, 河本信彦

原稿種別: 本文
セッションID: 4a-C-11
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_38

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チタン蒸着膜の電気的性質(III) : 表面物理, 薄膜

村上洋一, 下林純武

原稿種別: 本文
セッションID: 4a-C-12
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_39

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タンタル蒸着時の真空度および基板温度の影響 : 表面物理, 薄膜

吉崎裕, 東成行

原稿種別: 本文
セッションID: 4a-C-13
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_40

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シリコン単結晶薄膜(II) : 表面物理, 薄膜

難波進, 河津璋, 秋本利明

原稿種別: 本文
セッションID: 4p-C-1
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_41

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真空蒸着法に依るSiのエピタキシャル成長膜 : 表面物理, 薄膜

伊藤糾, 井出恭三, 長谷川新一

原稿種別: 本文
セッションID: 4p-C-2
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_42

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非晶質Ge蒸着膜の結晶化過程 : 表面物理, 薄膜

伊奈謙太郎, 酒井善雄

原稿種別: 本文
セッションID: 4p-C-3
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_43

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スパッタリングによるCdS薄膜 : 表面物理, 薄膜

伴五紀, 武田義章, 山崎皓一郎

原稿種別: 本文
セッションID: 4p-C-4
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_44

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CdS蒸着膜の電気的特性 : 表面物理, 薄膜

難波進, 河津璋, 秋本利明

原稿種別: 本文
セッションID: 4p-C-5
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_45

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CdSe蒸着膜の特性 : 表面物理, 薄膜

真壁遼治

原稿種別: 本文
セッションID: 4p-C-6
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_46

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CdSe蒸着膜の縦電界効果 : 表面物理, 薄膜

古畑情司, 田中国昭

原稿種別: 本文
セッションID: 4p-C-7
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_47

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PbSe光導電薄膜の製作条件と特性 : 表面物理, 薄膜

安岡義純, 関寅雄, 和田正信

原稿種別: 本文
セッションID: 4p-C-8
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_48

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新型光電圧素子(II)[CdFe斜方蒸着を應用せる素子] : 表面物理, 薄膜

松山信, 小林美登, 浅越貫一, 木村康之

原稿種別: 本文
セッションID: 4p-C-9
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_49

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半導体蒸着膜の光起電力効果(I) : 表面物理, 薄膜

村山洋一, 柏木邦宏, 松本政之

原稿種別: 本文
セッションID: 4p-C-10
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_50

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Ge蒸着膜の表面電位と光電子放出 : 表面物理, 薄膜

光定一道, 中井順吉, 大倉五佐雄

原稿種別: 本文
セッションID: 4p-C-11
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_51

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イオン衝撃薄片化における傾斜衝撃効果 : 表面物理, 薄膜

友田泰行, 野沢静子, 永田三郎, 阿部泰三

原稿種別: 本文
セッションID: 5a-C-1
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_52

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磁界中のスパッタリング : 表面物理, 薄膜

和佐清孝, 早川茂

原稿種別: 本文
セッションID: 5a-C-2
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_53

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4極直流および高周波スパッタ膜の諸特性 : 表面物理, 薄膜

牟田弘樹, 満延孝夫, 麻蒔立男, 山成卓

原稿種別: 本文
セッションID: 5a-C-3
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_54

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超高真空における電子ビーム蒸着 : 表面物理, 薄膜

能勢宏, 浅田雄司, 田岡忠美, 黒田秀郎, 織田善次郎

原稿種別: 本文
セッションID: 5a-C-4
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_55

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Some Comments on Evaporation Rate Measurements by Means of a Quartz-Crystral Microbalance : 表面物理, 薄膜

Ryuzo UEDA

原稿種別: 本文
セッションID: 5a-C-5
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_56

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イオンゲージ蒸着モニターの問題点と対策 : 表面物理, 薄膜

飯田昭参

原稿種別: 本文
セッションID: 5a-C-6
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_57

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写真的方法による金属銀薄膜 I : 表面物理, 薄膜

鈴木重芳

原稿種別: 本文
セッションID: 5a-C-7
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_58

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アルミニウム蒸着膜の熱酸化 : 表面物理, 薄膜

森川浩志, 塩尻詢, 水渡英二

原稿種別: 本文
セッションID: 5a-C-8
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_59

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絶縁物薄膜を通しての電気伝導特性 : 表面物理, 薄膜

堀内司朗, 内藤清明, 山口次郎

原稿種別: 本文
セッションID: 5a-C-9
発行日: 1966/03/31
公開日: 2018/03/23

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.21.3.0_60

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