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日本物理学会年会講演予稿集
Online ISSN : 2433-1163
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表紙
原稿種別: 表紙
p. Cover1-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_Cover1
会議録・要旨集
フリー
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(19K)
目次
原稿種別: 目次
p. Toc1-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_Toc1
会議録・要旨集
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(349K)
2FI 極低温度に於ける半導体の電気的性質(招待講演)
袋井 忠夫
原稿種別: 本文
p. 1-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_1_1
会議録・要旨集
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(179K)
2F2 半導体に於ける固有吸収端の温度依存について
豊沢 豊, 横田 紀男
原稿種別: 本文
p. 1-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_1_2
会議録・要旨集
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(179K)
2F3 ゲルマニウムの禁制帯の幅の温度係数βについて
戸村 正夫, 大塚 エイミ
原稿種別: 本文
p. 2-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_2_1
会議録・要旨集
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(157K)
2F4 P型Geの易動度について
植村 泰忠
原稿種別: 本文
p. 2-3
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_2_2
会議録・要旨集
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(279K)
2F5 眞性領域の近くでの半導体のホール効果
古荘 勝久, 金井 康夫
原稿種別: 本文
p. 3-4
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_3
会議録・要旨集
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(402K)
2F6 ゲルマニウムP-n junction の磁気効果について
戸村 正夫, 大塚 エイミ
原稿種別: 本文
p. 4-5
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_4
会議録・要旨集
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(413K)
2F7 眞性半導体に於ける電子、正孔の熱的再結合の確立
豊沢 豊, 横田 紀男
原稿種別: 本文
p. 5-6
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_5
会議録・要旨集
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(267K)
2F8 Ge中のminority carrier の寿命測定にlight injection 法
町田 純一
原稿種別: 本文
p. 6-7
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_6
会議録・要旨集
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(257K)
2F9 正孔注入の大い場合の現象について
金井 庸夫
原稿種別: 本文
p. 7-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_7
会議録・要旨集
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(162K)
2F10 N型Ge中に注入されたhole のlifetime
桑形 正博, 大貫 正実
原稿種別: 本文
p. 8-9
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_8
会議録・要旨集
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(284K)
2F11 Hole Injection の機構の考察
木俣 守彦
原稿種別: 本文
p. 10-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_10_1
会議録・要旨集
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(127K)
2F12 A型トランジスターの一変形
江崎 玲於奈
原稿種別: 本文
p. 10-11
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_10_2
会議録・要旨集
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(205K)
2F13 A型トランシスターのCurrent gain;trap theoryの注意
菊池 誠, 重井 康夫, 傅田 精一
原稿種別: 本文
p. 12-13
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_12
会議録・要旨集
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(360K)
2F14 半導体の雑音電流
岡崎 進, 沖 浩
原稿種別: 本文
p. 13-14
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_13
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(137K)
2F15 半導体と絶縁物との接触抵抗
中野 朝安
原稿種別: 本文
p. 15-16
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_15
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(410K)
2F16 Si wide p-n Junction(IV)Forward charter
渡辺 寧, 西澤 潤一
原稿種別: 本文
p. 16-17
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_16
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(349K)
2F17 Ge 整流器の発振機構
石田 光夫
原稿種別: 本文
p. 17-19
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_17
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(533K)
2F18 インジウムのテルル化物の電気傳導度
高林 眞, 菅池 李三
原稿種別: 本文
p. 19-20
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_19
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(425K)
2F19 ゲルマニウム蒸着膜の表面電位と伝導度
中田 一郎, 小川 岩雄
原稿種別: 本文
p. 20-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_20_1
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(274K)
2F20 ZnS 上の吸着、光活性吸着と表面再結合
小林 秋男, 川路 神治
原稿種別: 本文
p. 20-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_20_2
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(274K)
3F1 硼素の電気的性質(V)
宇野 良清, 入江 泰三
原稿種別: 本文
p. 21-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_21_1
会議録・要旨集
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(162K)
3F2 硼素の電気的性質(IV)
宇野 良清, 入江 泰三
原稿種別: 本文
p. 21-22
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_21_2
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(348K)
3F3 半導体のGalvano magnetic Effectに於いて(その2)
平原 栄治, 村上 幸
原稿種別: 本文
p. 22-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_22
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(219K)
3F4 半導体のGalvano magnetic Effect(その3)
平原 栄治, 村上 幸
原稿種別: 本文
p. 23-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_23_1
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(168K)
3F5 金属整流器の容量の温度変化に就いて
新美 達也
原稿種別: 本文
p. 23-24
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_23_2
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(440K)
3F6 亜硫化銅整流器の逆方向抵抗の弛緩現象について
鈴木 保正, 遠藤 成章
原稿種別: 本文
p. 25-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_25_1
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(171K)
3F7 酸化亜鉛の機械的研磨層の整流特性
山口 次郎, 片山 佐一
原稿種別: 本文
p. 25-26
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_25_2
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(237K)
3F8 高電圧高電流パルス波による半導体の測定装置について
小野 満雄
原稿種別: 本文
p. 27-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_27_1
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(153K)
3F9 Cds 単結晶の光電流に及ぼす磁場の影響について
菅 義夫, 田中 昭二, 眞隅 泰三, 飯島 茂
原稿種別: 本文
p. 27-28
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_27_2
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(411K)
3F10 半導体膜の光電効果並びに整流作用(第14報) : 硫化タリウム蒸着複合膜の点接触に於ける整流特性
浅居 ちか
原稿種別: 本文
p. 28-29
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_28
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(404K)
3F11 結晶の電気傳導及びホール効果のテンソル現象論
岡田 利弘
原稿種別: 本文
p. 29-30
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_29
会議録・要旨集
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(393K)
3F12 Sn Se 結晶構造解析
上田 幾彦, 岡崎 篤
原稿種別: 本文
p. 31-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_31
会議録・要旨集
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(128K)
3F13 セレン化錫単結晶の電気性質について II
岡崎 篤義, 岡田 利弘, 平川 金四郎, 松倉 保夫, 朝鍋 靜生
原稿種別: 本文
p. 32-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_32_1
会議録・要旨集
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(245K)
3F14 セレニウム膜の結晶化 IV
岡崎 篤義, 橋本 公夫, 平川 一美
原稿種別: 本文
p. 32-34
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_32_2
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3F15 セレンと亜鉛等の金属との接触について
岡崎 篤義, 坪田 弘, 鈴木 弘道
原稿種別: 本文
p. 34-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_34_1
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3F16 セレン光電池の表面電位と光起電力
〓〓 梅次郎, 鈴木 〓
原稿種別: 本文
p. 34-35
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_34_2
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3F17 セレン整流器のCd Se の振舞
山口 次郎, 金沢 忠雄
原稿種別: 本文
p. 35-36
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_35
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3F18 セレン化鉄の電気的性貭
田崎 秀夫, 松田 直藏
原稿種別: 本文
p. 37-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
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https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_37_1
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3F19 Hg-Se の電気的特性
三上 修, 水間 基一郎
原稿種別: 本文
p. 37-38
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_37_2
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(228K)
3F20 PbTe の電気的性質
榊 米一郎, 生源寺 希三郎, 内山 晋
原稿種別: 本文
p. 38-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
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https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_38_1
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(160K)
3F21 In_2Te_3, Cd Te, Sb_2S_3 等単結晶の光導電
宮沢 久雄
原稿種別: 本文
p. 38-39
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
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https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_38_2
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(206K)
3F22 Cesium Antimonide の電解現象
佐方 利道
原稿種別: 本文
p. 40-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
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https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_40
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(295K)
4F2 燐光体の電場励起に於ける性質(一報) : ZnS-Cu のGudden-Pohl効果に就いて
浅越 貫一, 谷 範人
原稿種別: 本文
p. 41-
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
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https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_41_1
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(151K)
4F2 ZnCdS:Ag:Cu 燐光体のelector trap
中村 堅一, 菊地 通
原稿種別: 本文
p. 41-42
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
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https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_41_2
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(259K)
4F3 蛍光体の研究(第5報)
笹倉 博, 吉田 俊夫, 植村 悌二
原稿種別: 本文
p. 43-44
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoi.9.9.0_43
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4F4 極端紫外線領域に於けるアルカリハライド蛍光体の刺戟分布(II)
尾中 龍猛
原稿種別: 本文
p. 44-45
発行日: 1954/11/02
公開日: 2018/03/23
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4F5 石墨の格子振動
吉森 昭夫, 北野 芳治
原稿種別: 本文
p. 45-46
発行日: 1954/11/02
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4F6 石墨の比熱の理論 II
小松 幸藏
原稿種別: 本文
p. 46-48
発行日: 1954/11/02
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