板ガラスの切断に用いられてきた「スクライブ+ブレイク」技術を電子部品用材料の切断に応用することで,高効率な切断が実現でき,すでに実用化されつつある.しかし,スクライブ現象については未だ解明されていないところが多い.本研究では,電子部品材料として使用されるアルミナ,単結晶Si,単結晶SiCにおけるスクライブ時の亀裂伸展挙動について調査し,ガラスとの比較を行った.その結果,アルミナと単結晶Siでは,ガラスと同様に,負荷時に伸展する亀裂(1
st Crack)と除荷後に伸展する亀裂(2
nd Crack)の痕跡が確認されたが,単結晶SiCでは1
st Crackの痕跡のみであった.
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