表面科学
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11 巻 , 10 号
選択された号の論文の6件中1~6を表示しています
  • 城戸 義明
    1990 年 11 巻 10 号 p. 570-580
    発行日: 1990/12/10
    公開日: 2009/11/11
    ジャーナル フリー
  • 山本 寛
    1990 年 11 巻 10 号 p. 580
    発行日: 1990/12/10
    公開日: 2009/11/11
    ジャーナル フリー
  • 山村 泰道
    1990 年 11 巻 10 号 p. 581-590
    発行日: 1990/12/10
    公開日: 2010/02/19
    ジャーナル フリー
    単元素固体におけるイオン・スパッタリングの全収量と微分収量を主としてACATコードによるシミュレーションを通して解説をする。まず, 現存する荷電粒子と固体との相互作用をシミュレーションするコードを分類し, モンテカルロ法によるシミュレーション・コードの位置づけを行なった後, 全収量については入射エネルギー依存性と入射角依存性の特徴を議論する。また, 微分収量については放出粒子の角度分布とエネルギー分布を取り上げて実験, 理論およびシミュレーションを比較することにより, 現在, 理解されていること, また, シミュレーション結果を踏まえて是非実験して欲しいことなどをまとめた。
  • 石谷 亨
    1990 年 11 巻 10 号 p. 591-597
    発行日: 1990/12/10
    公開日: 2009/11/11
    ジャーナル フリー
    イオン打ち込みのモンテカルロ・シミュレーションについて概説する。計算モデルは非晶質試料を対象とした単一散乱のモデルである。本モデルはイオンの全エネルギー領域 (数10eV~数MeV) にわたって, 散乱角, 行路長, およびエネルギー損失の3つのパラメータのみの繰返し計算でイオン軌道を追跡するものである。高エネルギーイオンに対してはその行路長が長く設定され, 1軌道当たりの計算時間の短縮が図られているのが特長である。
    代表的なイオンと試料との組合せにおいて, 打ち込みイオンの深さ分布の計算やイオン軌道をプロットし, モンテカルロ法の以下の2つの特徴についても述べた。 (1) イオン打ち込み条件やおよび試料の形状・組成条件が自由に設定できること, (2) イオン軌道がプロットでき, イオン振舞の概略が視覚的に把握できることである。
  • 上殿 明良, 谷川 庄一郎
    1990 年 11 巻 10 号 p. 598-603
    発行日: 1990/12/10
    公開日: 2009/11/11
    ジャーナル フリー
    表面の原子構造や電子状態を測定できる新しい表面解析プローブとして, 低速陽電子が注目を集めている。また, 低速陽電子を用いて, 表面近傍の空孔型格子欠陥の深さ分布を, 極めて高感度かつ非破壊で検出することが可能である。多層膜構造を持つ試料では, 薄膜の評価や界面の位置を知ることもできる。本稿では, 陽電子のユニークな特徴を利用した最新の応用例について報告する。
  • 一村 信吾
    1990 年 11 巻 10 号 p. 604-611
    発行日: 1990/12/10
    公開日: 2009/11/11
    ジャーナル フリー
    モンテカルロ計算法のオージェ電子分光法 (AES) への応用として, プログラム作製上の基本的な考え方と, 我々のプログラムを使って試みたAESの背面散乱電子効果補正に関して解説した。まず, AESとEPMAの大きな違いが対象とする電子のエネルギー領域にあることを指摘し, AESで必要となる低速電子の散乱の記述のための理論的取扱いについて説明した。弾性散乱については部分波展開の方法を使った量子力学的な取扱いをのべ, 非弾性散乱については今後の利用が予想される誘電関数を使った方法についても簡単に紹介した。また作製したモンテカルロプログラムの定量オージェ分光法への応用として, 背面散乱電子効果の補正計算に使用した例を実験との比較と併せて説明した。
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