表面科学
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11 巻 , 8 号
選択された号の論文の9件中1~9を表示しています
  • 安江 常夫, 一宮 彪彦, 大谷 俊介
    1990 年 11 巻 8 号 p. 462-468
    発行日: 1990/10/10
    公開日: 2009/11/11
    ジャーナル フリー
    電子衝撃あるいは光衝撃による脱離現象は,古くから真空技術との関連で多くの研究がなされてきた。また近年ではエピタキシャル成長技術にも応用されている。このように物性的,工業的な重要性によって脱離現象に関する興味が高まっている。脱離現象を理解するためにはまずその脱離過程を詳細に知る必要がある。ここでは現在までに知られている脱離機構を紹介すると共に,実験的に脱離過程を研究した2,3の例を述べる。
  • 大井川 治宏, 樊 甲法, 南日 康夫, 重川 秀実
    1990 年 11 巻 8 号 p. 469-476
    発行日: 1990/10/10
    公開日: 2009/11/11
    ジャーナル フリー
    硫黄処理を施したGaAs表面では,MIS界面準位密度の減少や,ショットキー障壁高さの顕著な金属依存性が観察される。この効果は,自然酸化膜の除去作用,並びに単原子硫黄膜の吸着による表面保護作用によってもたらされる。特に,硫黄表面の不活性さは,物質の化学吸着を抑制し,表面欠陥の発生を妨げる。本解説では,各種の電子分光実験やRHEED観察結果から,この表面安定化の機構について紹介する。
  • 新井 親夫
    1990 年 11 巻 8 号 p. 477-482
    発行日: 1990/10/10
    公開日: 2009/11/11
    ジャーナル フリー
    並列拡散は吸着の進行過程において広く認められている現象であり,放物型偏微分方程式で記述されている。ここでは,液相吸着を例にして,まず拡散モデルと拡散係数の測定法を簡単に紹介する。次に,拡散係数の測定において避け難い拡散方程式の数値解法として,選点法について述べる。選点法は多項式の直交性を利用する方法であり,分点における数値解が,分点の関数である係数と従属変数との一次変換で得られる。また,選点法は差分法に比べて収束が速く,分点における重みを用いるとGauss型積分公式が厳密に適用できるなどの利点がある。分点,係数,重みの算出法,および並列拡散方程式の解法を詳述する。
  • 枝元 一之, 池田 剛, 穴沢 俊久, 宮崎 栄三, 小島 勇夫
    1990 年 11 巻 8 号 p. 483-488
    発行日: 1990/10/10
    公開日: 2009/11/11
    ジャーナル フリー
    Inverse photoemission spectroscopy has been used to study the unoccupied electronic state of NbC and TiC (100) surfaces. Most of the features of the spectra are well explained by the unoccupied bulk states expected from theoretical band calculations along Γ-X direction. An unoccupied surface state is identified for the NbC (100) surface. After oxygen adsorption, empty O 2p derived states are observed for both surfaces. For the TiC (100)-O surface, IPES spectra indicate that the oxycarbide layer is formed by heating at 1000°C, which is not observed for the NbC (100)-O surface.
  • 寺岡 靖剛, 寄元 祐二, 梶原 博文, 鹿川 修一
    1990 年 11 巻 8 号 p. 489-494
    発行日: 1990/10/10
    公開日: 2009/11/11
    ジャーナル フリー
    The silica-overlayer deposited on MgO (SiOx/MgO) is prepared by the chemical vapor deposition of tetramethoxysilane. The surface property of the resulting oxides is characterized by XPS, IR, TPD and titration techniques. The deposition of silica overlayer brings about a change in acid-base property of the surface or the concentration of surface hydroxyls. The generation of Lewis acid sites on SiOx /MgO is evidenced by 1R spectra of adsorbed pyridine. The amount and the strength of acid of SiOx /MgO are found to be greater than those of silica gel. With increasing silanization period (the amount of deposited SiOx), the amount and the strength of acid increase at coverages less than monolayer, while the multilayer deposition of SiOx layer decreases the surface acidity. XPS study shows that the chemical state of Si atoms in SiOx overlayers is different from that in silica gel. It is concluded that the generation of acid sites on SiOx/MgO results possibly from the electronic and structural effects from the MgO substrate through Mg-O-Si bond formed at the interface.
  • 吉村 雅満, 塩田 隆, 黒木 昭彦, 荒 則彦, 影島 賢巳, 重川 秀実, 大井川 治宏, 南日 康夫, 斉藤 芳男, 河津 璋
    1990 年 11 巻 8 号 p. 495-499
    発行日: 1990/10/10
    公開日: 2009/11/11
    ジャーナル フリー
    The surface structure of (NH4)2Sx-treated GaAs (100) was observed with a scanning tunneling microscope (STM) both in air and in vacuum. STM images obtained showed line shaped protrusions which run [110] direction and are 220 nm in width. For the sulfur treated n- and p-GaAs surfaces with 400°C-20 min heating, about 1 eV surface band bendings toward higher and lower binding energy side were observed, respectively. No band gap state appeared for either case.
  • 日比野 浩樹, 篠田 幸信, 小林 慶裕, 杉井 清昌
    1990 年 11 巻 8 号 p. 500-506
    発行日: 1990/10/10
    公開日: 2009/11/11
    ジャーナル フリー
    The analysis of the reflection high energy electron diffraction (RHEED) patterns from the vicinal Si(111) (misoriented 1°-6° from [111] to [112]) and (100) surfaces (misoriented 0.4°-4° from [100] to [011]) clarified the differences in step structures on the two surfaces. On the vicinal Si(111) surface, wide terraces with a 7 7 structure and step bunching regions were observed; whereas on the vicinal Si (100) surface, a regular monolayer or bilayer step array was observed. Terrace width and multilayer step height on the vicinal Si (111) surface were estimated by RHEED, scanning electron microscopy, and transmission electron microscopy. The terrace width and multilayer step height were gathered as functions of misorientation angle.
  • 曽我 眞守, 岸本 良雄, 園田 信雄, 山本 玲子
    1990 年 11 巻 8 号 p. 507-513
    発行日: 1990/10/10
    公開日: 2009/11/11
    ジャーナル フリー
    An analysis of air-oxidized polyacetylene (PA) showed higher order structural changes such as expansion of fibril diameter and partial splitting of fibrils as well as the conventionally found primary structural changes caused by breakage of double bonds in the main chains into carbonyl and hydroxyl groups. These were evidently confirmed by SEM observation. Also, X-ray diffraction analysis revealed disordered crystal orientation and degenerated crystallization.
  • 平尾 一之
    1990 年 11 巻 8 号 p. 514-515
    発行日: 1990/10/10
    公開日: 2009/11/11
    ジャーナル フリー
    字宙環境を利用すると,これまで地上では作製できなかった新材料を創製することができる。それは,無重力下では,結晶に欠陥が生じにくい,熱対流で分離できなかったものが容易に分離できる,分散が良い,浮遊状態で溶融などができる,などの効果があるからと考えられている。重力下で隠されていた濡れ性,表面張力,粘性,マランゴニ対底流などの影響が大きく関わっており,表面科学の研究は今後,重要になっていくと思われる。
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