表面科学
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12 巻 , 2 号
選択された号の論文の8件中1~8を表示しています
  • 越田 信義, 平山 信之
    1991 年 12 巻 2 号 p. 72-78
    発行日: 1991/03/20
    公開日: 2009/08/07
    ジャーナル フリー
    固体表面の物性や機能を制御する手段として,イオン注入は優れた利点と大きな技術的可能性をもつ。最近のイオン注入機器の進歩により,イオン種,加速電圧の範囲が広がり,それに伴ってイオン注入の対象は従来からの無機半導体に加えて,ポリマー,金属,セラミック,磁性体など,あらゆる材料に及び,研究分野は急速にひろがりつつある。ここでは,ポリマーをターゲットとしたイオン注入について,その特質と期待される効果を述べ,研究目的を不純物ドーピングと表面改質に分けてこの数年間の研究状況についてまとめる。
  • 大谷 文章
    1991 年 12 巻 2 号 p. 79-84
    発行日: 1991/03/20
    公開日: 2009/08/07
    ジャーナル フリー
    酸化チタンや硫化カドミウムの半導体粉末による光触媒反応を応用した有機合成反応について解説する。粉末や板状の半導体に外部から光を照射すると,半導体が光エネルギーを吸収して電子―正孔対が生成する。半導体表面に接する気相や液相中の成分が,この電子―正孔によりそれぞれ還元・酸化されるプロセスが半導体光触媒反応の基本反応である。この反応は室温・常圧という温和な条件で進行する。ここで詳しくとりあげる粉末状の半導体を用いる光触媒反応系では,ひとつの粒子上のきわめて近接した反応サイトで正孔―電子による酸化と還元がおこることが大きな特徴である。反応基質や条件をうまく選ぶことにより,ひとつの反応系内で酸化と還元,さらに他の化学反応を結び付けることが可能で,実際にさまざまな新しいタイプの反応が見いだされている。本稿では,光触媒反応の報告例を概観してその特徴を明らかにするとともに.有機合成への応用についての展望と課題を述べる。
  • 今西 信嗣, 大平 俊行
    1991 年 12 巻 2 号 p. 85-91
    発行日: 1991/03/20
    公開日: 2010/02/05
    ジャーナル フリー
    イオンが物質中を通過すると構成原子と衝突して,電荷変換衝突が生じる。比較的エネルギーの高いイオンの電荷変換衝突が固体表面とのかかわりで検討されたことは,これまでほとんどなかった。これは電荷変換断面積が非常に大きいため平均自由行程が非常に短く,表面被覆層の影響を著しく強くうけ,媒質依存性がほとんど観測されなかったことによる。したがって,固体表面を清浄に保つ技術が確立してくると,こんどは固体の極表面の原子配列等の情報を得たり,表面被覆層の有無を容易にしらべうる道具に使える可能性がでてきた。ここではNiSi2(111)表面からの水素イオンの電荷分布の出射角依存性,出射エネルギー依存性についての実験結果を解析し,固体の極表面の原子配列や表面に吸着する不純物層の構造解析への応用について解説する。
  • 須田 良幸
    1991 年 12 巻 2 号 p. 92-102
    発行日: 1991/03/20
    公開日: 2010/02/05
    ジャーナル フリー
    Si/Ge系を用いた超格子などの微細構造電子デバイスの作成法として,原子層エピタキシー法が検討されている。本稿では,このIV族半導体の原子層エピタキシー法を原子層エピタキシー法の新しい研究動向として捉え,まず,これを実現するためのプロセスとその基本となる表面反応機構に関する研究について,これまでの報告例を基に紹介する。また,特に,Si2H6(disilane)/Si(100)2×1系を取り上げ,原子層エピタキシー法の基本原理である自己停止機構を得るために必要な飽和吸着現象に関する表面反応機構の解析結果について詳述する。次に,同系に対してArFエキシマレーザー光の照射を行ったときの表面励起反応の機構について述べ,さらに,これらの表面反応機構をSiの原子層エピタキシー法へ応用する場合の可能性について言及する。
  • 橋詰 宙子, 一村 信吾, 清水 肇
    1991 年 12 巻 2 号 p. 103-109
    発行日: 1991/03/20
    公開日: 2009/08/07
    ジャーナル フリー
    Laser induced neutral particle emission was observed. When Al surface was irradiated by a Q-switched YAG 532nm beam with energy density below 2J·cm-2, only neutral atoms were detected. The amount of ejected atoms and their kinetic energies were measured as a function of laser fluence. Both the results indicate that increase of the surface temperature exceeds several thousands Kelvin, and the mechanism of atom emission around this energy region follows statistical thermodynamics.
  • 松尾 二郎, 佐藤 章, 中山 範明
    1991 年 12 巻 2 号 p. 110-114
    発行日: 1991/03/20
    公開日: 2009/08/07
    ジャーナル フリー
    A soft X-ray photoelectron spectroscopy with Zr Mζ radiation is used to investigate semiconductor surfaces. Zr Mζ photons of 151.4eV energy have good surface sensitivity, because Si2p photoelectron energy was about 50eV where the escape depth reaches minimum (0.5nm). The surface sensitivity was 10times higher than these in conventional techniques, and this result was in good agreement with that of theoretical calculation according to the difference of electron escape depth. Thanks to this high surface sensitivity, the Surface Core Level Shift (SCLS) was found to be -0.5eV in Si (100) 2×1 surface. We also used this technique to study the oxygen adsorbed surfaces layers at room temperature on Si (100) 2×1. The significant difference in photoelectron spectra was observed after annealing above 650°C.
  • E. ヘイダルポール, 毛利 敏男, 難波 義捷
    1991 年 12 巻 2 号 p. 115-118
    発行日: 1991/03/20
    公開日: 2009/08/07
    ジャーナル フリー
    Hardness and structure of diamond thin films prepared by deflected beam of methane ions in comparison with the direct flow have been studied. The physical and structural properties of the films were examined through scanning electron microscopy (SEM), transmission electron diffraction (TED), transmission electron microscopy (TEM), and micro-Vickers hardness measurements. The results show (i) the surface morphology of the films prepared by deflected methane ions suggested a relatively better surface when it is compared with those of direct flow, (ii) TED observation of deflected ions indicated a fine spotty patterns with a large grain size polycrystalline, and (iii) a relatively higher hardness was attained for the films grown by bended ion beam.
  • 久後 行平, 西野 潤
    1991 年 12 巻 2 号 p. 119-122
    発行日: 1991/03/20
    公開日: 2009/08/07
    ジャーナル フリー
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