結晶性のよい, 平たんなエピタキシャル膜の成長には, 成長表面における原料原子の移動がきわめて重要である.この移動の担い手は, 例えばGaAsの成長においては孤立したGa原子である.MEE法では, この性質を積極的に利用するため, Asのない雰囲気でGa原子を供給する.これによって原子の表面移動は促進され, ヘテロ接合の平たん性の改善や成長温度の低減が可能になった.この特徴を利用するとこれまで実現不可能であった新しい形のヘテロ接合や超格子を作製することが可能である.本報ではMEEの原理, 特徴等とその応用について述べる.
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