巻号一覧
40 巻, 8 号
選択された号の論文の9件中1～9を表示しています
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木内 正人, 竹内 孝江, 山本 正夫1997 年 40 巻 8 号 p. 639-642
発行日: 1997/08/20
公開日: 2009/10/20
ジャーナル フリーThe electronic structure of an incident carbon ion on a graphite surface is discussed on the basis of ab initio molecular orbital calculations. A carbon cation forms a covalent bond with the graphite, and a carbon nonion is attracted to the graphite surface through van der Waals interaction. A carbon anion has no stable state on a graphite surface. The charge effects of incident ions become clear upon detailed examination of the electronic structure.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3500K) -
西川 雅弘, 吉川 和博1997 年 40 巻 8 号 p. 643-649
発行日: 1997/08/20
公開日: 2009/10/20
ジャーナル フリーThe compact large gate valve has been newly devised using a reversible SMA driving element. The vacuum boundary is set by the aluminum sheet, which is rolled around two cylinders, one of which is located on either side of the valve. When the SMA driver is heated, the SMA shrinks through the inverse martensitic transformation and the sheet retainer rises and fastens the aluminum sheet. When the SMA driver is cooled, the SMA re-expands to the original shape and releases the aluminum sheet.
This conceptual valve is designed and proven for compactness for use with all metal structures. The fundamental performance characteristics of the SMA gate valve are investigated to obtain good vacuum sealing.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (880K) -
永山 宜史, 荒木 和彦, 美馬 宏司1997 年 40 巻 8 号 p. 650-654
発行日: 1997/08/20
公開日: 2009/10/20
ジャーナル フリーA new method is proposed for the derivation of mass spectrum cracking pattern which is supposed to be possessed by ions in a variety of electron bombardment type ion sources. The cracking pattern of Argon in grid type, axial type and Nier type ion source is obtaind. The pattern coefficient was derived from partial ionization cross section of the sample gas with aid of l-V distribution data of ionizing electron, which represents the specific ionizing electron path length li of an electron having an energy of eVi.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (546K) -
広畑 優子, 山内 有二, 小山 和則, 日野 友明1997 年 40 巻 8 号 p. 655-659
発行日: 1997/08/20
公開日: 2009/10/20
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岡山 英夫, 久保 吏, 望月 則孝, 長田 昭義, 伊佐 弘1997 年 40 巻 8 号 p. 660-663
発行日: 1997/08/20
公開日: 2009/10/20
ジャーナル フリー有機金属化合物を用いたPECVDによって, SOFC用電解質の主材料であるジルコニア膜および安定化固溶材料であるマグネシア膜さらにMSZ膜を作製し, その結晶構造および膜組成について調べた結果, 以下のことが明らかになった.
(1) PECVD膜は熱CVD膜よりも, プラズマによる原料錯体の脱離・吸着反応の促進によって, 低温度で空隙のない緻密膜となり膜中への炭化物などの残留不純物のない膜であることが確認できた.
(2) 成膜圧力を0.067Paで基板温度を400℃としてPECVDによるMSZ膜を生成した結果, 均質で緻密な柱状構造をもつMSZ膜が得られた.生成膜を1000℃でアニールしても, 相転移のない正方晶と立方晶構造の混在した部分安定化ジルコニア (PSZ) 構造であった.しかしながら, MSZ膜はジルコニア膜中へのマグネシア含有量が45mol%とかなり多く固溶されていた.結果として, MSZ膜はPSZ構造の膜であったが, 高温度においても相転移することのない安定な結晶構造を有しているので, SOFC用電解質として充分に使用できるものと期待できる.
(3) 今後は, PECVDによるMSZ膜生成におけるマグネシア固溶含有量の最適化を図り, MSZ膜のイオン導電率とSOFCの発電特性との関連性について明らかにする.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (842K) -
久保 和也, 柳原 英人, 広畑 優子, 日野 友明1997 年 40 巻 8 号 p. 664-667
発行日: 1997/08/20
公開日: 2009/10/20
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柴田 猛順, 田村 浩司, 小倉 浩一1997 年 40 巻 8 号 p. 668-670
発行日: 1997/08/20
公開日: 2009/10/20
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伴野 達也, 道園 真一郎, 齊藤 芳男1997 年 40 巻 8 号 p. 671-674
発行日: 1997/08/20
公開日: 2009/10/20
ジャーナル フリーA newly developed small mass analyzer (MPA : Micropole Analyzer) was installed to a TiN sputtering process chamber without differential pumping units. It is demonstrated that mass analysis is performed at a pressure as high as 0.5 Pa of Ar+N2 and even in the presence of rf-discharge. Results of the measurements of ion species coming out of the plasma to the MPA and of the partial pressure of nitrogen are described and discussed.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (546K) -
大屋 誠志郎, 申 敬燮, 安 鎭庸, 三橋 雅彦, 湯浅 宏康, 唐澤 志郎, 催 勝哲1997 年 40 巻 8 号 p. 675-677
発行日: 1997/08/20
公開日: 2009/10/20
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