巻号一覧
42 巻, 8 号
選択された号の論文の10件中1～10を表示しています
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齋藤 理一郎1999 年 42 巻 8 号 p. 711-716
発行日: 1999/08/20
公開日: 2009/10/20
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齋藤 弥八1999 年 42 巻 8 号 p. 717-721
発行日: 1999/08/20
公開日: 2009/10/20
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上村 佐四郎, 余谷 純子, 長廻 武志1999 年 42 巻 8 号 p. 722-726
発行日: 1999/08/20
公開日: 2009/10/20
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徳本 圓1999 年 42 巻 8 号 p. 727-734
発行日: 1999/08/20
公開日: 2009/10/20
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末永 和知1999 年 42 巻 8 号 p. 735-740
発行日: 1999/08/20
公開日: 2009/10/20
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松尾 直人, 浜田 弘喜, 綾 洋一郎, 納田 朋幸, 三好 正毅1999 年 42 巻 8 号 p. 741-748
発行日: 1999/08/20
公開日: 2009/10/20
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Si表面上でのSiクラスターの自発的形成とTa表面上での解離田中 英行, 金山 敏彦1999 年 42 巻 8 号 p. 749-755
発行日: 1999/08/20
公開日: 2009/10/20
ジャーナル フリーUsing quadrupole mass spectrometry, we observed thermal desorption of Si clusters from Si and Si-deposited Ta surfaces. From Si surfaces, desorption of monomers and clusters up to Sib occurred at 1000-1300°C. From Ta surfaces, on the other hands, only Si monomers desorbed at 1300-1700°C, showing that the large cohesive energy of Si with Ta suppresses the cluster desorption. This indicates that Ta surfaces facilitate elimination of clusters from Si vapor to obtain a purely monoatomic beam. It is also discussed that the desorption rate of each species is thermodynamically governed by the formation energy.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (886K) -
小池 一歩, 矢野 満明1999 年 42 巻 8 号 p. 756-763
発行日: 1999/08/20
公開日: 2009/10/20
ジャーナル フリーThis paper describes temperature effect on the exciton localization at vertically stacked InAs quantum dots (QDs). These QDs were grown on (100) -oriented GaAs by using the self-assembling growth mode in molecular beam epitaxy. Thermal quenching energy for the emission from the excitons localized at 5-stacked QDs was found to be8.5 meV, which was 3.5 times larger than the value for those at single-layered QDs. However, the QD size on upper layers of the stacked structure was revealed to become larger with the number of the stacking periods. By employing a size-controlled growth for the upper QDs, the thermal quenching energy was increased to13 meV. It is also shown that a post-annealing for the size-controlled QDs is effective to increase both the thermal quenching energy and the thermionic energy of the excitons. These effects are probably attributed to the reduction of nonradiative recombination centers and the improvement of dot-array uniformity in the stacked QD structure.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1171K) -
小寺 正敏, 山口 清, 松岡 晃次, 岡川 崇, 小島 義則, 山部 正樹1999 年 42 巻 8 号 p. 764-767
発行日: 1999/08/20
公開日: 2009/10/20
ジャーナル フリーWe developed a Monte Carlo simulation of electron trajectories in a cell-projection electron beam lithography optical system. In the simulation the emission angle, the velocity and the emission timing of electrons from the electron gun are taking into account. The Coulomb interaction among electrons in the beam is calculated. There are five lenses in the system. Assuming that the stencil mask pattern is a series of line-and-space, the exposure pattern is obtained when the current densities are 5, 10, and 13 A/cm2 at the specimen surface. The probability of electrons to enter the designed pattern as a function of the defocusing distance are calculated. The best refocus length is obtained to give the maximum probability in the designed pattern at the specimen surface.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (441K) -
1999 年 42 巻 8 号 p. 789
発行日: 1999年
公開日: 2009/10/20
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