真空

低雑音四極子形質量分析装置-光及び光・電子刺激脱離イオン除去フィルターの効果-

高橋直樹

2001 年 44 巻 12 号 p. 991-997
発行日: 2001/12/20
公開日: 2010/01/30

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.44.991

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400mmシリコンウェーハとエピタキシャル成長

今井正人, 高田清司

2001 年 44 巻 12 号 p. 998-1004
発行日: 2001/12/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.44.998

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超音速分子線散乱技術を用いた表面化学反応の研究

山本恵彦

2001 年 44 巻 12 号 p. 1005-1012
発行日: 2001/12/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.44.1005

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アルカン分子 (CH⁴とC₂H₆) のPt (111) 表面での衝突によるエネルギー散逸過程 [(1) 分子の内部エネルギーに変換 (内部エネルギー励起) (2) 固体表面にフォノンを励起 (直接的非弾性衝突) (3) 分子の立体構造変形及び分解反応] を (1) 散乱分子線強度の角度分布 (2) Heの等角散乱強度 (3) 散乱分子線の飛行時間分布, 等を軸とする分子線散乱解析技術を用いて明らかにした.
(1) 直接的非弾性衝突が支配的な低運動エネルギー (190meV～350meV) ではCH4及びC₂H₆のPt (111) 表面での散乱は古典モデルの予測に定性的に一致する.即ち, 分子構造に無関係に質量のみが両分子の散乱過程の差異を支配する.予測からのずれは内部エネルギー励起, 特に回転励起の程度と共に増加する.
(2) 中エネルギー領域から高エネルギー領域 (500meV～700meV) にかけては, 解離反応が進行し, 反応生成物としてエチルダイン基 (低い表面温度) やグラファイト (高い表面温度) が表面に析出する.C₂H₆はCH₄に比べてエチルダイン基への解離のための活性化エネルギーが約0.1eV低いため解離が容易である.
(3) 反応生成物によりPt (111) 表面は修飾を受け, 表面凹凸の増減や, 表面原子の実効的な質量の低下, 表面のデバイ温度の増加等が生じる.この結果, 反応のダイナミクスも大幅な変化 (エネルギー散逸機構, 反応の確率, 散乱分子の速度分布等の変化) を示すようになる.
(4) 本報告では詳細を示さなかったが, 上記の反応はER機構に独特で分子線の照射位置のみに限定されている.また, 単原子層以上の反応生成物の析出はないことが, LEED観察, AES測定, 及び仕事関数計測により明らかになった.

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大立体角電子エネルギー分析器の試作

石川剛, 後藤正博, 中島健, 岩井秀夫, 二瓶好正, 大島忠平

2001 年 44 巻 12 号 p. 1013-1017
発行日: 2001/12/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.44.1013

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We have developed new type electron energy analyzer equipped with an electrostatic compact electron source. A display-type electron analyzer was developed by Daimon et al. on 1988, but the energy analysis is done by the combination of low energy pass and high energy pass filters, and hence, the system is very complex. By limiting the acceptable solid angle of the display-type electron analyzer, we realized the energy analysis without any additional filters. The features of our system are 1) a simple structure, 2) a large working space, 3) no angular aberration, 4) a relatively large acceptable solid angle, and 5) conservation of the angular information. We report the preriminary data of the performance of this analyzer.

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真空紫外光を用いた化学的気相成長法によってテトラエトキシシランを原料として堆積した薄膜の評価

西端裕樹, 堀井直宏, 井上昭浩, 沖村邦雄

2001 年 44 巻 12 号 p. 1018-1022
発行日: 2001/12/20
公開日: 2009/10/20

DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.44.1018

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Thin films have been deposited by photo assisted chemical vapor deposition with Xe₂ excimer lamp as a vacuum UV (VUV) source using Tetraethoxysilane (TEOS) as an organic silicon source. A chemical stability of films exposed to in atmospheric condition was measured by means of Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) during 4 weeks in the every week. It was shown that the film deposited from only TEOS at room temperature has unstable chemical structure in atmospheric condition. The FT-IR result indicated that C-H peak was decreased and OH peak was increased after 4 weeks. The results on films deposited from TEOS/O₂ mixture gas showed that the film included large amount of OH, as result from oxidizing CH groups. Ellipsometric analysis data on the films prepared from only TEOS indicated that refractive index was increasing and film thickness was decreasing during 4 weeks. Therefore experimental results have shown that the unstable film contained unstable CH groups. Finally the film deposited from only TEOS and TEOS/O₂ at room temperature was irradiated Xe₂excimer light. It was found that the VUV irradiation was effective in removing CH groups from ethoxysiloxane and decreasing OH bond in the film.

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