巻号一覧
48 巻, 8 号
選択された号の論文の6件中1～6を表示しています
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小特集「低速多価イオンの物理とその応用―イオン工学最前線 1」
解説
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山崎 泰規2005 年 48 巻 8 号 p. 461-465
発行日: 2005年
公開日: 2006/08/11
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中村 信行2005 年 48 巻 8 号 p. 466-470
発行日: 2005年
公開日: 2006/08/11
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金安 達夫, 東 俊行2005 年 48 巻 8 号 p. 471-477
発行日: 2005年
公開日: 2006/08/11
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岩井 良夫, 金井 保之2005 年 48 巻 8 号 p. 478-482
発行日: 2005年
公開日: 2006/08/11
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坂上 裕之, 加藤 太治2005 年 48 巻 8 号 p. 483-488
発行日: 2005年
公開日: 2006/08/11
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一般論文
速報
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宮内 良広, 佐野 陽之, 水谷 五郎2005 年 48 巻 8 号 p. 489-491
発行日: 2005年
公開日: 2006/08/11
ジャーナル フリーWe have observed SH intensity images of the hydrogen terminated Si(111) surface partly irradiated by UV light (hω=3.5 eV) in ultra-high vacuum using a SH microscope. The SH signal intensity of the surface covered with hydrogen was weak. Hydrogen desorption due to the UV light irradiation caused the enhancement of SH intensity. The observed SH intensity images of the H-Si(111) surface represent the spatial distribution of the surface electronic states created by the hydrogen deficiency. We have also investigated dependence on the UV light power of the hydrogen desorption from H-Si(111) surface using the SH microscope. These experimental results suggest that the observed hydrogen desorption results from the laser induced thermal desorption (LITD).抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (657K)
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