巻号一覧
52 巻, 1 号
選択された号の論文の16件中1～16を表示しています
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等々力 達1983 年 52 巻 1 号 p. 1
発行日: 1983/01/10
公開日: 2009/02/09
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梶山 健二, 中田 穣治, 高橋 光俊1983 年 52 巻 1 号 p. 2-9
発行日: 1983/01/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー最近,数Mevの高エネルギーイオンビームを不純物導入およびアニーリングに適用する研究が進められている.これにより, Si集積回路製作工程の簡略化および非晶質層結晶成長の抵温化が試みられている.まず,高エネルギーイオン注入した不純物の分布・損傷の回復条件を示し,これに基づき製作したバイポーラトランジスタおよびリングオシレーターの特性を述べる.次に,この新しいアニーリング法により,イオン注入あるいは堆積による非晶質Siをビームスポット直下でも300°C以下という低温でエピタキシャル成長させられることを述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (579K) -
伊原 英雄1983 年 52 巻 1 号 p. 10-21
発行日: 1983/01/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー超伝導体表面の性質が重要な問題となるジョセフソン素子のトンネルバリアの作成過程をとり上げ,その評価に光電子分光がいかなる役割を果たすことができるかを述べる.光電子分光,特にXPSは,バリアの厚さに相当する程度の深さ領域の組成,膜厚および膜質を非破壊的に測定することが可能で,バリア層の評価には最適な手段の一つであることを示す.ここではPb合金, Nb, Nb3Sn, およびNb3Ge表面の酸化過程を中心にとり上げ,表面酸化膜の組成,膜厚,膜質などを明らかにするとともに, Nb3Geの表面酸化で明らかになった,接触ポテンシャルとイオン化ポテンシャルを用いた酸化モデルは,そのほかの超伝導体表面の酸化機構も統一的に説明できることを示す.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1015K) -
清水 宏晏1983 年 52 巻 1 号 p. 22-28
発行日: 1983/01/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーダイヤモンドアンビル高圧セル中のブリルアン散乱の特徴と90°散乱配置での理論を述べる. 5パス,ファブリー・ぺロー干渉計,サンプリング,そして圧力測定のためのルビー法に関ずる技術的システムを説明する. 35kbar (=3.5GPa) までのNaCl, 18kbarまでのKBr, 40kbarまでのMg2SiO4, 200kbarまでのH2とD2の実験結果を示して,得られる物理的性質の紹介と考察を行なう.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (604K) -
瀬高 信雄, 松本 精一郎, 加茂 睦和, 佐藤 洋一郎1983 年 52 巻 1 号 p. 29-33
発行日: 1983/01/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーダイヤモンドは他の物質では得られない,いくつかの優れた物性を有し,将来,新しい機能材料として発展する可能性を秘めた材質である.そのためには,ダイヤモンドの気相合成を確立することが必要である.このような視点から,ダイヤモンドの気相合成の発展の経緯とその現況を概観し,さらにダイヤモンドの物性,ならびに機能材料として発展し得る可能性のある分野を紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (997K) -
小栗 多計夫1983 年 52 巻 1 号 p. 35
発行日: 1983/01/10
公開日: 2009/02/09
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西川 治1983 年 52 巻 1 号 p. 36
発行日: 1983/01/10
公開日: 2009/02/09
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菅 滋正, 神前 熈1983 年 52 巻 1 号 p. 37-38
発行日: 1983/01/10
公開日: 2009/02/09
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西嶋 光昭1983 年 52 巻 1 号 p. 39
発行日: 1983/01/10
公開日: 2009/02/09
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田村 一二三, 石谷 亨1983 年 52 巻 1 号 p. 40
発行日: 1983/01/10
公開日: 2009/02/09
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庄野 克房, 金 鉄柱, 杉浦 聡一1983 年 52 巻 1 号 p. 41-45
発行日: 1983/01/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーBP-Si多層エピタキシャル成長を一つの具体例とした三次元集積化をめざす研究を紹介する.結晶学的には20層までのエピタキシャル成長に成功している.III-V族化合物半導体や一つであるBPは,熱処理により,化学量論からのずれを制御して高抵抗化できる. BP-Si構造のダイオードで障壁電位の低下を伴った熱電子放出電流を観渕し, Si層間の僧号の伝達に利用することを提案する.最後にBP-Si構造の限界に触れ,今後の課題が示される.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1083K) -
高橋 政廣, 佐々木 勇三郎, 古賀 清毅, 中村 彬1983 年 52 巻 1 号 p. 59-68
発行日: 1983/01/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーA magnetically shielded room has been constructed. It has three composite walls of permalloy and aluminum plates. The most crucial point for the characteristics of the shielded room is the connections of these plates. Residual DC magnetic field inside the room is below 1×10-7 T, and the value can be decreased down to 7×10-9 T within the space of one meter cube at the center of the shielded room by using three pairs of cancellation coils placed perpendicularly with each other pair close to the outside surface of the shielded room. Shielding factor for 50 Hz AC magnetic field is larger than 80 dB, and increases with increasing frequency up to a value larger than 135 dB at 18 MHz.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1596K) -
芝 亀吉, 一瀬 正, 北村 仁一1983 年 52 巻 1 号 p. 69-74
発行日: 1983/01/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーThe correct theory of the capillary viscometer for gases is not yet established, as the customary theory assumes that the increase of volume and the decrease of density of the flowing gas due to the decrease of pressure are negligible, in spite of the decrease of the pressure itself not being negligible.
In this paper, at first a differential equation to express Hagen-Poiseuille's law for gases is obtained on the basis that the mass flow rate of gas in the capillary tube, in a steady state, is a function of the distance from the axis of the capillary tube. Then some approximate solutions of the differential equation are obtained which represent approximately the measuring principle of the capillary viscometer for gases.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (379K) -
祖父江 和夫, 大島 成夫, 桑野 博1983 年 52 巻 1 号 p. 75-82
発行日: 1983/01/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーAnalysis of the double injection current-voltage (J-V) characteristics with negative resistance in diodes having a single deep impurity level are made, taking the quantity of space-charge accurately into account. The sample concerned is divided into two regions, one in the low injection level and the other in the high injection level, as in the regional approximation method developed by Lampert and Shilling. The equations of the J-V characteristics are derived, considering space-charge formed by both minority and majority carrier injections. In order to evaluate the theory developed in the present analysis, Ni doped Si diodes were fabricated, and their J-V characteristics at various temperatures were measured. It was found that the theory is in good agreement with the experimental results.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (609K) -
村原 正隆, 河村 良行, 豊田 浩一, 難波 進1983 年 52 巻 1 号 p. 83-89
発行日: 1983/01/10
公開日: 2009/02/20
ジャーナル フリーPreparation, sensitization and developing procedures to fabricate holographic gratings with groove spacing between 2.7μm and 0.19μm on a thin PMMA film are described. Polymethyl methacrylate (PMMA) sensitized by 4_??_7% anthracence at the KrF laser wavelength (249nm) was used as the photoresist. A sensitivity about one hundred times larger as compared with pure PMMA was realized. This sensitization made it possible to obtain the grating by a single exposure of the short KrF laser pulse (12ns). As a recording equipment, a new interferometer was designed. Using this optical system, we were able to change the grating pitch over a wide range without readjustment of the optical axis.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1081K) -
崔 一〓, 吉田 慎一, 秋葉 幸男, 野田 克史, 黒須 楯生, 飯田 昌盛1983 年 52 巻 1 号 p. 90-95
発行日: 1983/01/10
公開日: 2009/02/20
ジャーナル フリーTurn-on processes of pin negative resistance diodes are experimentally studied. A simple analytical simulation for the current-voltage characteristics is also given by using the regional approximation method. The experiments were carried out by using a planar-type Si pin diode doped with Au. It was found that a low resistivity region begins to spread into the i-region from the p-region before the sample voltage reaches the threshold voltage Vth and that the i-region is divided into two regions, i.e., negative and positive resistance regions when the negative resistance appears. These results are in good agreement with the results of the simulation.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1844K)
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