巻号一覧
52 巻, 9 号
選択された号の論文の17件中1～17を表示しています
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山本 賢三1983 年 52 巻 9 号 p. 735
発行日: 1983/09/10
公開日: 2009/02/09
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亀井 裕孟1983 年 52 巻 9 号 p. 736-742
発行日: 1983/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー生体をはじめとする不均一系の内部の様子を,非侵襲(非破壊)的に眺める手法として,核磁気共鳴 (NMR) 映像法が開発されている.従来のX線CTや超音波映像法などと異なり, NMR映像法は物理的(解剖学的)情報だげでなく,化学的(生理学的)情報も描出できる可能性をもっている.そのため,新しい断層診断技術として,医学,医療の分野で,多くの期待を集めている.また, NMR映像法は不均一系全般の物性研究にとっても,新しい手法となろう,ここでは, NMR映像法の原理から現状,さらに今後の課題といったものについて展望する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1390K) -
西田 靖1983 年 52 巻 9 号 p. 743-748
発行日: 1983/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー分散性媒質であるプラズマに電磁波を照射した場合,そのエネルギーが十分大きく,非線形性が重要になると,キャビティーを生成し,電磁波の包絡線はソリトンを形成する.これらに関連する現象を,マイクロ波プラズマ相互作用の実験的研究を中心に紹介し,現象の特異性と現在の問題点について述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1776K) -
佐藤 卓蔵1983 年 52 巻 9 号 p. 749-753
発行日: 1983/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー高繰り返し大出力放電励起ヱキシマーレーザーの研究を中心に,最近のエキシマーレーザーの大出力化,高繰り返し化,長寿命化技術の研究開発の現状を述べる.また,エキシマーレーザーを利用した,半導体の表面処理・加工や,材料の精製・合成など,プロセス技術への応用研究についても紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (369K) -
岡田 成文, 後藤 誠一, 伊藤 博1983 年 52 巻 9 号 p. 754-761
発行日: 1983/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー近年,核融合炉に対する経済的要請から,より小さな閉じ込め磁場で,より大きな圧力をもったプラズマを閉じ込めることのできる高ベータ装置の研究が行なわれている.このなかで逆転磁場ピンチ (RFP), および,反転磁場配位 (FRC) を例にとって,最近の高べ一タプラズマ研究の現状の紹介を行なう.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (704K) -
山口 貢, 浜島 高太郎1983 年 52 巻 9 号 p. 762-767
発行日: 1983/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー最近の大型超伝導マグネットの開発は,核融合装置,嵩エネルギー物理実験装置,磁気浮上列車,回転機などの実用化をめざして著い、スピードで進められている。超伝導マグネットの安定化理論,交流損失現象の解明,嵩磁界用超伝導線の開癸などの現状と最近の動向について,核融合装置に用いる火型超伝導マグネットの開発を中心に記述する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (531K) -
武田 進1983 年 52 巻 9 号 p. 768-773
発行日: 1983/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー開放型核融合装置の欠点である端損失を減少させて,閉じ込め時間を改善する方法の一つとして,高周波電圧を用いる方法がある.この目的でいままで発表された主な論文を参照しながら,得られた実験結果の解釈,問題点,将来の方向などを,私見を交えながら展望する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (405K) -
糟谷 紘一, 堀岡 一彦1983 年 52 巻 9 号 p. 774-780
発行日: 1983/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー大強度イオンビームの出力は,すでに, MeV, MAの水準に達しており,イオンリングによる逆転磁場配位の形成や,トカマクなどの磁場閉じ込め核融合プラズマの追加熱,さらには材料照射などへの応用も考えられている.一方,この種のイオンビームは,慣性核融合のエネルギードライバーとしても有望である.いずれの場合にも,特定のイオン種を高純度,高輝度で,しかも高繰り返しで発生できるイオン源の開発と,ビームの輪送法の確立が現在の重要な研究テーマである.ここでは慣性核融合への応用を中心に,大強度パルスィオンビームの発生法と輸送法の現状と問題点を述べ,今後の課題にも言及する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (594K) -
中川 洋1983 年 52 巻 9 号 p. 781
発行日: 1983/09/10
公開日: 2009/02/09
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林 義孝1983 年 52 巻 9 号 p. 782
発行日: 1983/09/10
公開日: 2009/02/09
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池上 達治1983 年 52 巻 9 号 p. 783
発行日: 1983/09/10
公開日: 2009/02/09
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守住 直明1983 年 52 巻 9 号 p. 784
発行日: 1983/09/10
公開日: 2009/02/09
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杉井 正克1983 年 52 巻 9 号 p. 785-788
発行日: 1983/09/10
公開日: 2009/02/09
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高橋 清, 横山 成昭, 日原 雅人, 中山 智文1983 年 52 巻 9 号 p. 789-795
発行日: 1983/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーA measuring device was constructed in an attempt to measure the concentration of sus-pension by a change in the dielectric constant. The dielectric constant of suspension depends on the temperature of the suspension, the flocculation of dispersed particles in the liquid and their sedimentation. Therefore, in this device, temperature control was employed for the test liquid. Also, a shearing velocity was applied to keep constant the measuring conditions of the suspension, throughout the measurement of its dielectric constant. In addition, a micro-computer was used, for the data processing of measurement. The result of the measurement of the concentration for carbon black and etc. using this device proved the applicability of the device.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (462K) -
岩永 浩, 望月 勝美, 井垣 謙三, 柴田 昇1983 年 52 巻 9 号 p. 796-800
発行日: 1983/09/10
公開日: 2009/02/20
ジャーナル フリーCdS and ZnS crystals were grown using the sublimation method by controlling the vapour pressure of the constituent elements. The crystallographic polarity of the grown crys-tals was determined by chemical etching. In the growth of US or ZnS crystals on almina substrates under 2Pcd_??_Ps2, or 2Pzn Ps2, it was found that US crystals grew in the +c direction at the initial stage, while ZnS crystals grew in the -c direction. In the case of a prolonged growth time, growth along the -c direction became predominant for both CdS and ZnS crystals. US and ZnS ctystals on carbon substrates grew in both the c directions at the initial stage and grew preferentially in the -c direction after a prolonged growth time. Effects of excess constituent elements on the polarity of the grown crystals are discussed.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3359K) -
小林 良二1983 年 52 巻 9 号 p. 801-805
発行日: 1983/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーThe measuring principle of the present viscometer is based on the correct theory of the previously reported capillary viscometer for gases. The viscometer, here reported, has a very simple construction and enables us to measure easily the viscosities of gases in a short time (a few minutes), without the necessity of measuring the flow rate. Results of experiments show that the viscosities measured by the present viscometer are in good accordance with those obtained by Sutherland's equation for the viscosity of gases.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (857K) -
中野 鐐太郎, 川崎 浩史, 佐藤 純, 藪本 忠一1983 年 52 巻 9 号 p. 806-808
発行日: 1983/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーIn doubly insulated thin film electrolumi-nescent device having ZnS: ErF3, YbF3 as the emission layer, the emitting color changed from green to red with increase of electric field excitation frequency. Infrared-to-visible conversion properties of ZnS: ErF3, YbF3 phosphors are measured in order to investigate the mechanism of energy transfer from Yb3+ to Er3+ ion. On exciting the phosphor with 950nm light, both the green and red emission bands of Er3+ ion showed the quadratic ex-citation power dependence while the red-to-green emission intensity ratio increased with excitation pulse width.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (203K)
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