巻号一覧
53 巻, 2 号
選択された号の論文の13件中1～13を表示しています
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森 英夫1984 年 53 巻 2 号 p. 81
発行日: 1984/02/10
公開日: 2009/02/09
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田中 昭二1984 年 53 巻 2 号 p. 82-93
発行日: 1984/02/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー「応用物理」という学問分野は最近飛躍的に発達しているが,なかでも,半導体素子や材料の分野での進農が著しも、ひるがえって産業技術という観点から考えると,あらゆる分野において,情報化が進行中であり,いわゆる新産業革命が近い将来到来するものと予測されている.応用物理は,この新産業革命の中核となりつつあるが,この観点から,半導体技術ならびに産業の将来展望と「応用物理」のになうべき役割について述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2246K) -
磯前 誠一, 高野 幸男1984 年 53 巻 2 号 p. 94-102
発行日: 1984/02/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーSi半導体製造プロセスにおいて,Si基板上に形成された薄膜パターンは不純物拡散のマスク,素子間分離などの目的に広く使用されている.これらの薄膜とSi基板とでは一般に物理的性質が異なるため,薄膜パターンエッジにおいて応力集中が生じ,後の熱処理条件によってはパターンエッジから転位が発生する.本稿の前半では,熱酸化膜およびSi3N4膜パターンエッジ応力の特徴,エッジ近傍の応力分布などについて概説し,後半では,主としてSi溝を酸化したときに発生する応力および転位について紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2981K) -
田中 肇1984 年 53 巻 2 号 p. 103-109
発行日: 1984/02/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー二成分混合液体の臨界点近傍における諸物性の研究は,系が単純で,理論的にも実験的にも扱いやすいために,臨界現象の本質を理解するうえで,きわめて重要な役割を担ってきた.最近,臨界現象の動的側面を研究するうえで重要な音波物性に関して,理論・実験の両面で,大きな進展がみられたので,以下に紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (611K) -
宮永 憲明, 加藤 義章, 山中 千代衛1984 年 53 巻 2 号 p. 111-112
発行日: 1984/02/10
公開日: 2009/02/09
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佐藤 俊一, 稲場 文男1984 年 53 巻 2 号 p. 113-114
発行日: 1984/02/10
公開日: 2009/02/09
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西澤 潤一1984 年 53 巻 2 号 p. 115-119
発行日: 1984/02/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーSITは短チャネルFETとみることもでき,ベース抵抗のないBPTと考えることもできる.結果として非常に高周波まで働く.ISITといって非常に電位の山の厚味が薄くなって電子がほぼ衝突なく抜けられるようになったとき,780GKz程度の遮断周波数となる.さらにソースをトンネル接合とすることによって,THz帯の動作が期待できる,並列化によって大電力がとれる,SIサイリスタも高速低損失で,大いに期待できる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (360K) -
須藤 常太, 吉井 彰1984 年 53 巻 2 号 p. 120-123
発行日: 1984/02/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーシリコン集積回路の集積度および性能限界について考察している.デバイスや回路の動作を規制する要因の解析から,パターンルールとして0.1μm程度がデバイスの微細化の限界となる。LSIとしては論理で100万ゲート,メモリーで数+Mbitの集積度に相当し,設計技術の観点からもこの値が集積度の限界となる,このとき基本ゲートの遅延時間としては脛OS,バイポーラともに同程度であり数PSのものが実現できる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (335K) -
河村 信雄1984 年 53 巻 2 号 p. 124-127
発行日: 1984/02/10
公開日: 2009/02/20
ジャーナル フリー超高速化を指向するトランジスタ技衛は材料的にも,また構造的にも多様な技術が競合して開発されつつある.構造の微細化は高速化の基本であり,いずれも0.1μm程度の実用釣限界を指向している.高移動度,高ドリフト速度の期待し得る化合物半導体素子はraw speedに優れ,GaAs MES-FETでfT〓60～80GHz,ヘテロバイポーラ素子でそれを上まわる性能が期待され,各種システムのフロントエンドなど将来の超高速ニーズに応えよう.高速正LSI用素子としてはSiバイポーラ素子にてゲート遅延時間〓50ns(～1mW)が実現されよう.化合物半導体FET型素子は低電圧動作の特徴に加え強い非線形特性の実理が鍵で,縦構造の微細化により非線形性は,なお改良の余地がある.特にヘテロ接合型FET素子はバイポーラ素子に競合し得る可能姓(gm〓1S/mm)を残している.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (366K) -
伊藤 良一1984 年 53 巻 2 号 p. 128-131
発行日: 1984/02/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー注入形半導体レーザーにおける光出力と短波長化の限界について検討した.適当なデバイス設計により,導波路幅5μmのレーザーから2Wの光出力が得られることを示した.このような素子を大形化することにより,いくらでも大きな出力を得ることができる.原理的には紫外域までの短波長化が可能である.550nm以下の短波長化には技術的なブレークスルーが必要である.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (364K) -
古池 進, 寺本 巌1984 年 53 巻 2 号 p. 132-136
発行日: 1984/02/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー可視発光ダイオードの最近の動きをふまえ,今後の高輝度・高効率化について,各発光色領域ごとに主に材料面から展望した.赤色領域ではInGaP,橙・黄色領域ではAIGalnPなどの直接遷移型のIII-V族の混晶が有望である.緑色領域ではGaPが今後も中心であり,その高輝度化には結晶性の良化が不可欠になる.青色領域でII-VI族のZnS, ZnSeがあげられる。両導電型の実現には多くの困難が予想されるが,MOCVD, MBEなどの技術による結晶成長に期待したい.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (425K) -
大橋 弘道1984 年 53 巻 2 号 p. 137-143
発行日: 1984/02/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー最近の電力用半導素子の開発は「制制性」と「高速性」の一方または両方を同時に追求ずる方向にあり,光トリガーサィリスター,ゲートターンオフサイリスター,パワートランジスタ,静電誘導型トランジスタ,パワーMOSFETなど,従来のサイリスターに代わる新しいスイッチング素子を求めて,その開発の実体は非常に多様化しており,このような技衛動向の中で「大電力化」が追求されている一方,LSI, VLSIで開発された「微細加工技術」や,化合物半導体などの「新材料」を中核技術とする,より新しい電力用半導棒素子の研究も始まっており,電力用半導体発子の「大電力化」は再度,新しい展開をみせることが予想される.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2572K) -
透明絶縁薄膜による特性の改善佐藤 進1984 年 53 巻 2 号 p. 157-161
発行日: 1984/02/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーThe quenching of ultraviolet-stimulated fluorescence by voltage application in organic solutions of europium benzoyl-trifluoroacetonate are investigated using sandwich-type cells with transparent insulating films of SiO2, SiO, or ZnS. Four types of fluorescent cells are prepared by taking into consideration the relationship among the direction of UV irradiation, arrangement of the electrode coated with insulating films, and the polarity of the applied voltage. It is seen that electric charge transfer between the electrode and the rare earth ions does not take place at the electrode coated with insulating films, where the fluorescent Eu (III) cannot be reduced to nonfluorescent Eu(II). The serious deterioration in the fluorescent properties that is observed at the time of application of the recovering voltage can, therefore, be improved by using a counter electrode with insulating films. Red fluorescence can be switched by alternately applying the quenching voltage and the recovering voltage across the cells.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (412K)
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