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応用物理
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54 巻 (1985)
12 号 p. 1249-
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9 号 p. 875-
8 号 p. 763-
7 号 p. 639-
6 号 p. 525-
5 号 p. 411-
4 号 p. 307-
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6 号 p. 319-
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7 号 p. 293-
6 号 p. 243-
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1 号 p. 3-
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6 号 p. 211-
5 号 p. 169-
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2 号 p. 45-
1 号 p. 3-
21 巻 (1952 - 1953)
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10-11 号 p. 383-
9 号 p. 339-
8 号 p. 291-
7 号 p. 243-
6 号 p. 195-
5 号 p. 147-
4 号 p. 103-
2-3 号 p. 43-
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20 巻 (1951 - 1952)
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4 号 p. 123-
3 号 p. 83-
2 号 p. 41-
1 号 p. 1-
19 巻 (1950 - 1951)
9-12 号 p. 243-
7-8 号 p. 211-
6 号 p. 179-
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4 号 p. 107-
3 号 p. 65-
2 号 p. 33-
1 号 p. 1-
18 巻 (1949 - 1950)
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3 号 p. 101-
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9 巻 (1940)
12 号 p. 549-
11 号 p. 502-
10 号 p. 451-
9 号 p. 401-
8 号 p. 351-
7 号 p. 301-
6 号 p. 251-
5 号 p. 201-
4 号 p. 151-
3 号 p. 101-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
8 巻 (1939)
12 号 p. 547-
11 号 p. 497-
10 号 p. 447-
9 号 p. 397-
8 号 p. 347-
7 号 p. 297-
6 号 p. 247-
5 号 p. 199-
4 号 p. 149-
3 号 p. 99-
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12 号 p. 549-
11 号 p. 499-
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8 号 p. 351-
7 号 p. 301-
6 号 p. 251-
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3 号 p. 101-
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1 号 p. 1-
6 巻 (1937)
12 号 p. 551-
11 号 p. 501-
10 号 p. 451-
9 号 p. 401-
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12 号 p. 559-
11 号 p. 509-
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8 号 p. 359-
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6 号 p. 259-
5 号 p. 209-
4 号 p. 157-
3 号 p. 105-
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4 巻 (1935)
12 号 p. 487-
11 号 p. 437-
10 号 p. 387-
9 号 p. 333-
8 号 p. 293-
7 号 p. 251-
6 号 p. 211-
5 号 p. 169-
4 号 p. 129-
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1 号 p. 1-
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12 号 p. 445-
11 号 p. 403-
10 号 p. 365-
9 号 p. 323-
8 号 p. 283-
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6 号 p. 201-
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2 号 p. 48-
1 号 p. 1-
1 巻 (1932)
6 号 p. 221-
5 号 p. 178-
4 号 p. 131-
3 号 p. 1-
2 号 p. 1-
1 号 p. 1-
55 巻, 4 号
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極限の変遷
田中 昭二
1986 年 55 巻 4 号 p. 299
発行日: 1986/04/10
公開日: 2009/02/09
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.55.299
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高出力紫外レーザー
宅間 宏
1986 年 55 巻 4 号 p. 300-305
発行日: 1986/04/10
公開日: 2009/02/09
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.55.300
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高出力レーザーは,現在最も高いエネルギー照射密度を実現するとともに,極限的高周波電界を発生する手段として,核融合をはじめ物質の極限状態を研究する上に極めて興味深い存在である.現在高出力レーザーの代表であるガラスレーザーと次世代の代表と考えられるKrFレーザーを取り上げ,それらの現状と,その開発に関連して出て来た物理的問題さらにそれらによって開かれ,さらに発展しようとしている新領域について述べる.
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(491K)
フェムト秒パルスレーザー技術の現状
山下 幹雄, 佐藤 卓蔵
1986 年 55 巻 4 号 p. 306-311
発行日: 1986/04/10
公開日: 2009/02/09
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.55.306
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最近急速な進展をみせている100フェムト秒(10
-13
秒)以下のパルス幅を有する極短光パルス発生技術(CPMレーザー,光パルス圧縮,continuum generatlonなど)の現状と問題点について述べる.
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(530K)
電子ビーム,イオンビームによる極微細加工
阿刀田 伸史, 古室 昌徳
1986 年 55 巻 4 号 p. 312-316
発行日: 1986/04/10
公開日: 2009/02/09
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.55.312
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電子ビームやイオンビームによる100nm以下の極微細構造の形成技術は,従来とは異なる原理に基づく新しいデバイスの実現に発展する可能性を秘めている.ここでは,電子ビーム,イオンビームによる極微細加工技術の現状と今後の動向について,特に極微細化のための手法や,その限界に焦点を絞って概説する.
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(1061K)
原子直視分析電子顕微鏡
橋本 初次郎, 志水 隆一, 遠藤 久満
1986 年 55 巻 4 号 p. 317-324
発行日: 1986/04/10
公開日: 2009/02/09
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.55.317
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原子の種類を同定しその動きを直接観察することを最終目標とするレンズ結像型原子直視分析電子顕微鏡の現状を紹介する.像のもつ意味を理解するため,結晶内原子の像形成メカニズムと高解像度の像をうるための条件をのべ,試料より出る示性X線の検出とエネルギー損失電子で像を作る機能を具えた顕微鏡の構造と性能についてのべ,走査型電子顕微鏡,アトムプローブフィールドイオン顕微鏡との比較および将来の展望についても言及する.
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(3999K)
結晶成長はどこまでミクロに制御できるか
水田 正志, 碓井 彰, 渡辺 久恒
1986 年 55 巻 4 号 p. 325-332
発行日: 1986/04/10
公開日: 2009/02/09
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.55.325
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単原子精度の結晶成長技術は夢であると同時に将来の超格子IC時代に不可火な技術である.現在の自然の摂理に従う成長様式をいかに利用すればミクロな制御が可能であろうか?本稿では現状を紹介するとともに,将来を展望する.
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(662K)
半導体完全結晶へのアプローチ
阿部 孝夫, 原田 博文
1986 年 55 巻 4 号 p. 333-341
発行日: 1986/04/10
公開日: 2009/02/09
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.55.333
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無転位CZシリコン結晶中には1×10
18
cm
-3
程度の酸素が含まれている.使い方によってはデバイスプロセスにとって毒にも薬にもなることがわかって以来,結晶学的な理想結晶を求めるのではなく,デバイスにとって.より完全な結晶を目指す考えが生零れた.役に立つ不純物であれば積極的に添加しようとするものである.本文では酸素と窒素の特異な振舞を原子空孔や格子間シリコンとの相互作用で説明し,得られた特性から,新しい応用を期待する.
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(3604K)
半導体単結晶の大形化の問題点
干川 圭吾
1986 年 55 巻 4 号 p. 342-347
発行日: 1986/04/10
公開日: 2009/02/09
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.55.342
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シリコンおよびガリウムヒ素結晶について,結晶の大形化を図るうえでの技術的間題と今後の課題を述べた.シリコン結晶では,大形化に関する結晶育成技術面での致命的問題は当面見当らない.しかし結晶品質向上に関する継続的な努力が要求されている.一方ガリウムヒ素結晶では長尺の単結晶を育成するための技術的限界に現在直面している.この場合,有転位および無転位いずれの結晶育成を目指すかは,今後の進展にとって重要となる.
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(2547K)
デバイス集積化の極限
角南 英夫, 永田 穣
1986 年 55 巻 4 号 p. 349-353
発行日: 1986/04/10
公開日: 2009/02/09
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.55.349
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1960年代後半から始まった集積回路の大規摸化を, MOSデバイスを中心に素子の微細化トレンドにふれ.その動機必然性について言及する,これに従って将来の微細化傾向を予測し,微細化限界を定める基本的,技術的要因を分析する.バイポーラデバイスは,集積度向上を第一義としてはいないので本考察には含めないこととする.
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電子デバイス高速化の極限
柴富 昭洋, 蓮尾 信也, 岡 秀樹
1986 年 55 巻 4 号 p. 354-359
発行日: 1986/04/10
公開日: 2009/02/09
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https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.55.354
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Siデバイス,化合物半導体デバイス,ジョセフソン接合デバイスの3種類の単体素子の高速化限界について述べる.Siデバイスの高速化は微細加工技術に依存しておりその限界が明確になってきた,化合物半導体デバイスやジョセフソン素子では1psの壁を破る可能性も出て来た.
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半導体集積回路の多機能化はどこまで進むか
光と電子の集積化による多機能化
林 厳雄
1986 年 55 巻 4 号 p. 360-364
発行日: 1986/04/10
公開日: 2009/02/09
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.55.360
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将来機能の異なる素子の集積化がどう進むかの考察を試みた.集積化の動機は,技術的可能性よりは,集積化の実用価値にある.半導体光素子と電子素子を集積した光電子集積回路は,光通信や電子装置にとっていろいろの利用価値があり,将来大きい発展が予想される.コンパクトディスク用の光学ヘッドなどは,半導体と類似の技術によって,集積化が可能であり,既に開発が進んでいる.これらの機能集積に必要な,各種半導体相互間,または半導体と誘電体など異種材料の一体集積化の技術について考察する.
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(418K)
無重力環境の利用
西永 頒
1986 年 55 巻 4 号 p. 365-368
発行日: 1986/04/10
公開日: 2009/02/09
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https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.55.365
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宇宙開発が進むにつれて,無重力環境の利用が現実のものとなりつつある.本稿では,まず無重力環境をいかに作るかにつき述べ,次に無重力下で何が変わるかを議論する.最後に,無重力の利用として何があるか,その例としてアメリカ,ヨーロッパの宇宙実験結果を紹介する.
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超低温の世界
石本 英彦
1986 年 55 巻 4 号 p. 369-372
発行日: 1986/04/10
公開日: 2009/02/09
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.55.369
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最近の核断熱消磁技術の発展により,低温の最前線はmKからμK領域に達している.この到達温度の限界はどの辺にあるのだろうか,また何によって決められているのだろうか.このような温度域で現在どのような物性測定が行なわれているのか概観してみる.
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高温での単結晶育成
大谷 茂樹
1986 年 55 巻 4 号 p. 373-376
発行日: 1986/04/10
公開日: 2009/02/09
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https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.55.373
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IVの族やVの族の炭化物,窒化物,硼化物等は物質中で最高の融点をもつ物質である.これらの物質は融液から育成するFZ法により高純度で大型の単結晶が得られる.現在,最も良質の単結晶が高周波加熱FZ法により育成されている.本稿では,高融点の特徴である蒸発や温度公布に注目し,この分野における研究の現状と最近の成果,並びに,今後の課題について述べる.
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低速イオン散乱分光による表面格子欠陥の解析
青野 正和
1986 年 55 巻 4 号 p. 377-383
発行日: 1986/04/10
公開日: 2009/02/09
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.55.377
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低速イオン散乱分光 (ISS) は“極表面”(表面の最外1~2原子層)に存在する格子欠陥の解析に有効である、TiC (100) 表面に軽イオン照射による選択スパッタリングの結果として生じた表面淡素原子空孔,およびCu (110) 表面に酸素の存在と加熱によって生じた表面原子列の欠損をこの方法で解析した例について述べる.
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レーザー励起法による固体表面微量分析
スパッタされた中性原子の利用
清水 肇, 一村 信吾
1986 年 55 巻 4 号 p. 384-388
発行日: 1986/04/10
公開日: 2009/02/09
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.55.384
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高出力短波長パルスレーザーを利用して,最近,スパッタ中性原子のレーザー励起による蛍光放射,光イオン化過程を,固体表面・固体中の不純物の検出に応用する試みがなされている.この手法の原理,装置および応用例について説明し,微量元素検出に有効な手法であることをSIMSと比較した上で述べる.また同法の問題点についても触れる.
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放射光による分析の極限
合志 陽一, 飯田 厚夫
1986 年 55 巻 4 号 p. 389-396
発行日: 1986/04/10
公開日: 2009/02/09
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https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.55.389
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光ビームのなかでシンクロトロン放射光による分析の極限を概観した.検出下限が信号強度とバックグラウンドに依存するため,強力な放射光でバックグラウンドをおさえつつ試料を励起する方法の発展を論じた.偏光・全反射の利用でppbレベルの分析が可能であり,また,マイクロビームによる非破壊分析も可能である.その計画例と予測検出下限を紹介した.
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