巻号一覧
57 巻, 11 号
選択された号の論文の20件中1～20を表示しています
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市ノ川 竹男1988 年 57 巻 11 号 p. 1619
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
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白木 靖寛1988 年 57 巻 11 号 p. 1620-1643
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーSiおよび関連材料の分子線エピタキシー (MBE) 研究の現状と今後の見通しについて解説した.まず, Si MBE技術の基本となる,基板のクリーニング法や,ホモエピタキシー膜の膜質の現状と問題点を指摘し,各種ドーピング法を紹介した.また, MBE法の長所であるヘテロエピタキシー(金属/Si,絶縁物/Si,帯導体/Si)の研究経過と現状を述べた.最後に, Si MBEのデバイス応用に関する最近のトピックスをいくつか取り上げ,その狙いについて考察した.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (5182K) -
北沢 宏一, 岸尾 光二1988 年 57 巻 11 号 p. 1644-1665
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー酸化物超伝導体のバラエチィーは,ここ2年足らずで急拡大し,また,その物性と材料としての特性もかなり明らかとなった.超伝導体としてこれらの物質は,特にキャリア数の低い点,コヒーレンス長の短い点を特徴とするが,クーパー対形成に立脚している点では,従来材料の延長上で,その現象論は理解できると考えられる.しかしながら,電子構造は通常の金属とは性格を全く異にしており,かつ,超伝導機構も従来知られるフォノン機構単独とは思えない.このような意味で,酸化物超伝導体の研究は,材料としての実用化を図るうえでも,従来の概念を超えた柔軟な発想を必要としているように思われる抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1708K) -
小長井 誠1988 年 57 巻 11 号 p. 1666-1677
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー数年前から開発が始まったMOMBE (有機金属分子線エピタキシー)やガスソースMBEも,ようやくデバイスグレイドの膜質や界面特性を得るところまで開発が進んでいる.本稿では, GaAs系化合物半導体を中心に,これらのガスを原料に用いるMBEの開発の流れから,現状の膜質,界面特性,膜の成長機構デバイス特性を紹介する.また, MBE法やMOCVD法と比較することにより, MOM・BE法の特質を明確にする.さらに, MOMBE法を基礎にした新しい成長技術について,簡単に紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (946K) -
塚田 捷, 島 信幸1988 年 57 巻 11 号 p. 1678-1685
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーアルカリ単原子吸着層の電子構造に焦点をあて,最近注目を集めた興味ある話題を紹介する.仕事関数の急激な減少と,特徴的な被覆度依存性の機構,および吸着層構造との関係について,電子状態の新しい描像に基づいて議論する.またSi (100) 2×1表面, Si (111) 2×1表面上のアルカリ単原子吸着層のユニークな性質と,それをめぐる問題点,最近の研究の状況などを紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (615K) -
青野 正和, 片山 光浩1988 年 57 巻 11 号 p. 1686-1697
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー表面単原子層の構造に関して,最近の話題から三つを選んで解説した,下地がイオン結晶,半導体,金属である場合に公類し,それぞれの場合について一つの話題を取り上げた.イオン結晶としては,三次元の集積回路を作製するうえで重要な絶縁体であるCaF2を取り上げ,その (111) 表面の最外層の組成と構造が,電子線照射と適当な熱処理によって,かなり任意に制御できることを述べた.帯導体としてはSiを取り上げ,その (111) 表面に単原子層程度のAgを真空蒸着し,かつ適当な熱処理を行った場合に生じる有名な, √3×√3R30° 構造の,構造解析の現状について述べた,金属としてはPbを取り上げ,その表面層が,パルクの融点より低い温度で融解するという,表面融解の現象について述べた.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2413K) -
大島 忠平, 相沢 俊1988 年 57 巻 11 号 p. 1698-1709
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー最近の実験技術の進歩により,表面フォノンのエネルギー分散関係が測定可能となり,固体表面の,数原子層付近のフォノン構造の詳細な情報が得られるようになった.圃体表面の格子は,従来から知られていたようにソフト化するだけでなく,場合によっては,格子緩和などによりハード化することも明らかになった.発展しつつある表面フォノン分光の現状について,紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (989K) -
伊藤 利道, 加藤 剛久1988 年 57 巻 11 号 p. 1710-1720
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーシリコン単結晶をフッ化水素酸水溶液中で陽極化成することにより作製される多孔質シリコン (PS) について,その作製法から応用までを述べる. PSはSiウエハーの結晶性を残しながら, 2～30nm程度の大きさの微小孔を無数に含んでおり,作製条件により, PS中のSi密度は,バルクの20～80%の間で変化する。水素が内部表面を覆っているため,膨大な内部表面積 (～200m2/cm3) であるにもかかわらず,不純物の混入が抑制されでいる.これらのPSの性質を利用して, SOI構造の形成, PS上のヘテロエピタキシャル成長や金属シリサイド化の試みが行われでいる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1598K) -
鈴木 敬三, 平岡 進, 西松 茂1988 年 57 巻 11 号 p. 1721-1727
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーホット分子(加熱により並進および内部エネルギーを高めた分子)ビームを用いた,半導体素子製造用表面処理技術の研究を行っている.本技術は,表面損傷発生という,現行プラズマプロセスの本質的問題点を解決し,極低損傷性,高選択性,微細加工性を同時に満足しうることを,原理的特長としている.本稿では,ホット分子ビームを用いる利点について説明し,次いで,塩素のホット分子ビームを用いた多結晶Siエッチングにおいて,上記原理的特長を実擦に確認する.さらに,エッチング表面反応機構,特にホット分子のもつ振動・並進エネルギーが,表面反応に及ぼす効果について検討する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1164K) -
目黒 多加志, 岩井 荘八, 青柳 克信1988 年 57 巻 11 号 p. 1728-1733
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー可視,紫外域のレーザー照射により,有機金属を原料ガスとしてGaAs, AlAsのIII-V族化合物半導体の単原子層制御結晶成長 (atomic layer epitaxy: ALE) が可能である.レーザー照射を利用したALE (レーザーALE) では,レーザー照射の効果は熱効果ではなく,表面光化学反応が主である.本稿では,レーザーALEにおける表面反応機構ならびに,レーザーALEの応用例に関して記す.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (439K) -
山本 恵彦1988 年 57 巻 11 号 p. 1734-1741
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー電子放出材料と単原子層との開係には,きわめて深いものがある.それは,電子放出特性が,材料最表面の特性に支配されるからである.熱電子放出材料の一種である含漫型カソードでは,まさに単原子層制御技術がカソードの良否を決定している.一方,電界放出材料では,単原子層は放出電流変動(プリッカー雑音)の原因になる.このため,単原子層の吸着を避ける方法や,材料探索に関する研究が行われている.また逆に,単原子層を積極的に利用する拡散補給型カソードも登場している.近年の単原子層評価技術には目を見張るばかりの進歩があり,従来経験的に行われていた電子放出材料研究にも新しい展開が期待される.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2223K) -
秋山 正博1988 年 57 巻 11 号 p. 1742-1747
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーMOCVDを用いた二段階成長法によるSi基板上へのGaAsの成長において,低温で成長させたGaAsバッファ層は島状の成長をする.これらの島は,Si表面のステップの高さが完全に偶数の原子層で形成されておらず,成長した島の結晶方位が一致していなくても,これをアニールすることにより,すべての島が,優勢なほうの方位に並び替える,この並び替えが起こるためには,GaAsの.島が十分小さいうちに,周囲の島と接することが必要であり,この条件が満たされるならば,バッファ層の成長温度によらず,シングルドメインの成長層が得られる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1725K) -
川辺 光央1988 年 57 巻 11 号 p. 1748-1753
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーSi基板上のAs付着条件により,GaAs澱エピタキシャル層はがらりと変わる.ステップ構造の変化によるとするか, Si-As結合構造の差とするかを決めるには,まだ不明な点が多くある.ダブルドメイン基板上のAPB消滅機構についても,この問題点がついてまわる。ここではシングルドメインSi基板上のRHEED, Si-As表面の不活性度などの結果から,ステップ構造より, Si-As結合構造がGaAs結晶方位を決定しているという立場をとっている.また, APB消滅機構については, GaAs第1層でシングルドメイン化するより, CaAs成長中に優先方位が残って,シングルドメインになると考えている.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1293K) -
川浪 仁志1988 年 57 巻 11 号 p. 1754-1759
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーSi基板上へのCaAs膜成長の初期過程に関し, APDの消滅機構と, GaAs膜の結晶方位の第1層As付着温度依存性について取り上げ,検討した. APDの消滅機構としては,実験事実をよく説明するモヂルが存在するが,しっかり、した実験的裏づけが必要であることを指摘する. GaAs膜の結晶方位の問題に関して,報告されたヂータおよび,われわれの実験結粟を述べ,いくつかの説明を列挙し,まだ矛盾なく,すべての結果を説明できず,この現象について,さらに深い理解が必要であることを述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (438K) -
梅野 正義, 曽我 哲夫, 神保 孝志1988 年 57 巻 11 号 p. 1760-1765
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーSi (100) 基板上に成長したGaAsとGaPのアンチフェイズドメインの消滅機構について述べる,これは, ［011］方向と［010］方向の,原子レベルでのスチップの違いを考慮することによって説明できた,また, GaPを成長する場合においては, PはSi基板上に付着しにくいために,AsをSiに付着させて,その上にGaPを成長すると,シングルドメインが得られる.また, GaPのアンチフェイズドメインの消滅が,透過電子顕微鏡によって観察できた.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (961K) -
窪田 政一1988 年 57 巻 11 号 p. 1781-1782
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーPDF形式でダウンロード (182K) -
宇佐美 誠二1988 年 57 巻 11 号 p. 1783-1784
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
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西嶋 光昭1988 年 57 巻 11 号 p. 1785-1786
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
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楠 勲1988 年 57 巻 11 号 p. 1787-1788
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/09
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高橋 良夫1988 年 57 巻 11 号 p. 1789-1797
発行日: 1988/11/10
公開日: 2009/02/20
ジャーナル フリーWe performed controlled processing on silicon nitride and carbide, using laser pulses from an A/O Q-switched continuously pumped Nd: YAG laser. The removal process can be carried out by overlapping many drilled holes with single pulses at a Q-switch frequency which does not exceed 5 kHz. The experimental values obtained from processing depth and surface roughness were in agreement with the values calculated on the assumption that the shape of the hole is a frustum of a cone. The removal amount per single Q-switch pulse is approximately pro-portional to the pulse energy with the constant of 2_??_4×10-3 mm3/J for silicon nitride. As a result of this experiment, it is found that the scanning method with a frequency modulated Q-switch Nd: YAG laser should be a successful method for ceramics as well. Pictures of the processed samples are also shown.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1808K)
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