巻号一覧
58 巻, 9 号
選択された号の論文の15件中1～15を表示しています
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川端 昭1989 年 58 巻 9 号 p. 1287
発行日: 1989/09/10
公開日: 2009/02/09
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尾関 雅志1989 年 58 巻 9 号 p. 1291-1308
発行日: 1989/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーIII-V族化合物半導体にたいするMOVPE技術の最近の発展はめざまもしく,結晶性,組成などの急しゅん性は, LPR, MBEなどの成長技術に匹敵するレベルに達しつつある.また,大面積基板を用いる多数枚同時成長といった量産技術は,期待どおりの成果が得られつつある.一方, MOVPEの新しい発展として有機金属原料を用いる原子層エピタキシーがあり,最近著しい進歩が見られている.原子層エピタキシーの核心は,成長の自動停止機構(セリフリミティング機構)にあり,いくつかのモデルが提案され,また実現されている.本論文では,著者らが開発した原子層エピタキシー技術を中心に,原子層エピタキシーの成長機構,その特徴,さらに応用について報告する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1631K) -
吉田 博1989 年 58 巻 9 号 p. 1309-1320
発行日: 1989/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリー第一原理に立脚した固体電子論に基づく計算は,半導体中の不純物を含むような系についても,その構造配置や電子状態を経験的パラメーターなしで,しかも高い精度で予測することを可能にした。このような電子状態の計算を基礎にし,データベースとエキスパート・システムを絶み合わせることにょり, 21世紀のエンジニアリングとしての「物質設計システム (MDS, Materials Design System)」を提案する.最近の半導体物理学における電子状態の計算の動向を踏まえ,物質設計の新しい概念と方法を解説する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1014K) -
福田 幸夫, 小濱 剛孝, 大町 督郎1989 年 58 巻 9 号 p. 1321-1326
発行日: 1989/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーSi1-xGexは, Si結晶とヘテロ構造を作ることにより,これまでSi単独では得られなかった興味深い電気的光学的性質を示す材料となり,現在,精力的にデバイス応用が進められている.本稿では, MBE法により形成したSi1-xGex/Siヘテロ構造における格子不整合の緩和機構について解説する.また,最近話題となっている本ヘテ回構造の臨界膜厚の問題について考察する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (424K) -
隈 彰二, 乙木 洋平, 稲田 知己1989 年 58 巻 9 号 p. 1327-1333
発行日: 1989/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーLSIのための無添加半絶縁性GaAs結晶は,その特性の均一性が要求されて久しい,インゴットを熱処理することにより,有転位結晶でも著しい均一性の向上が認められているが,そのメカニズムについては不明な点が多かった.最近,結晶中の過剰ひ素の熱的挙動を明らかにすることにより,新しい三段階熱処理法を開発し,無転位インジウム添加GaAs結晶よりも均一性の優れた結晶が得られるようになった.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3493K) -
柿本 浩一, 江口 実, 渡辺 久夫, 日比谷 孟俊1989 年 58 巻 9 号 p. 1334-1339
発行日: 1989/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーSi融体の対流は,単結晶内の不純物分布を左右することが経験的こはわかっているものの,観測手段が存在しなかったこともあって,ほとんど理解されていないのが現状である. Siのみならず溶融金属の対流についても,数値計算によるシミュレーションのみで実験的な理解は行われていないといえる.結晶育成装置にX線透視装置を装着することによリ, Si融体育の対流め観測が初めて可能になった,ここでは,X線透視法とトレーサー法を併用することにより観測したSi融体対流の研究結果について紹分し,数値シミュレーションとの対比, GaAs育成時のB2O3液体封止剤の対流観測結果,および固液界面形状のその場観測結果についても紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3098K) -
南日 康夫1989 年 58 巻 9 号 p. 1340-1344
発行日: 1989/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーGaAsの表面は,非常に活性で異分子が付着すると欠陥が発生する,ところが,過剰な硫黄を含む硫化アンモニウム溶液で処理すると,表面は硫黄分子層で覆われて不活性となった.界面形成時に発生する構造点欠陥が界面準位の主因であると考えられているが,この処理界面では,その準位密度が今までより1桁低くなっている. (GaAl) Asとのヘテロ結晶界面で得られたと同等,あるいはそれ以土の良質な界面が,金属や絶縁物との間でも,実現される見通しが初めてつけられた.このGaAsの安定化された表面の応用外野は非常に広い.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (427K) -
原 和彦, 篠沢 太郎, 本田 徹, 吉野 淳二, 柊元 宏1989 年 58 巻 9 号 p. 1345-1350
発行日: 1989/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーワイドギャップHII-VI2族化合物 CuGaS2, CuAIS2, CuGaSe2およびこれらの混晶薄膜のMOVPBについて述べる.基板としてGaPおよびGaAsを用いて,これらの薄膜のエピタキシャル成長に成功した.成長の方位については,カルコパイライト型結晶格子の異方性および格子不整合によって説明することができた.さらに GaP (100) と格子整合する組成のエピタキシャル膜では,結晶性および表面モフォ目ジーが大幅に改善された.成長した膜はバンド端域の発光を含む良好なフォトルミネッセンス特性を示した.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1120K) -
横川 俊哉, 成沢 忠1989 年 58 巻 9 号 p. 1351-1359
発行日: 1989/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーわれわれは,有機金属気相成長法によるZnSe/ZnSひずみ超格子成長技術の開発と,このZn/SeZnSひずみ超格子からなる,可視光領域で低損失な光導波路の開発を行ってきた.本稿では,GaAs基板およびSi基板上に良質なZnSe/ZnSひずみ超格子が得られたのでその評価結果と,さらに作製したZnSe/ZnSひずみ超格手光導波路の導波特性について紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1151K) -
五明 明子, 鈴木 徹, 飯島 澄男1989 年 58 巻 9 号 p. 1360-1367
発行日: 1989/09/10
公開日: 2009/02/20
ジャーナル フリー有機金属気相成長により成長したGaxIn1-xP結晶のバンドギャップエネルギー (Eg) が, GaAs基板に格子整合のとれた組成 (x=0.5) のもとで,既報告値～1.92eVより約90meV低い値をとりうることを見いだした. Ga0.5In0.5PのEgは,成長時の原料のV族対III族濃度比,成長温度, ZnやMgなどのp型不純物ドーピング濃度,基板結晶方位などに依存する.このEg異常に対応して, [〓1±11] 方向のGaとIn単層超格子の形成を見いだした,この単層超格子の形成に対する基板方位の及ぼす影響を調べ,超格子の形成に基板が本質的な役割を果たすことを明らかにした.その結果に基づいて,超格子形成メカニズムを提案した.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1948K) -
生駒 俊明1989 年 58 巻 9 号 p. 1377-1378
発行日: 1989/09/10
公開日: 2009/02/09
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高垣 雪彦, 蒲生 健次, 難波 進1989 年 58 巻 9 号 p. 1379-1380
発行日: 1989/09/10
公開日: 2009/02/09
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福井 孝志1989 年 58 巻 9 号 p. 1381-1382
発行日: 1989/09/10
公開日: 2009/02/09
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宮本 恭幸, 古屋 一仁1989 年 58 巻 9 号 p. 1383-1384
発行日: 1989/09/10
公開日: 2009/02/09
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杉本 伸夫, 笹野 泰弘, 中根 英昭, 林田 佐智子, 松井 一郎, 湊 淳1989 年 58 巻 9 号 p. 1385-1397
発行日: 1989/09/10
公開日: 2009/02/09
ジャーナル フリーA multiple wavelength differential absorption laser radar has been constructed to measure the ozone profiles from the lower troposphere up to the upper stratosphere. The system consists of two subsystems ; one (the low altitude system ; LA) for the tropospheric measurements and the other (the high altitude system ; HA) for the stratospheric measurements. The LA system employs a KrF excimer laser with a deuterium and a hydrogen Raman shifter to generate 277, 292 and 313 nm laser pulses, and a receiving telescope with a diameter of 0.56 meter. The HA system has a XeCl laser with a deuterium Raman shifter and a XeF laser to generate 308, 339 and 351 nm laser pulses, and a receiving telescope with a diameter of 2 meters. The whole system is controlled by a mini-computer. Details of the system and some measurement examples are presented.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2923K)
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